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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
63601STF6N65K3(045Y)N-Kanal 650 V, 1,1 Ohm typ. 5,4 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in TO-220FP engen Leitungen PaketST Microelectronics
63602STF6N65M2N-Kanal 650 V, 1,2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP-PaketST Microelectronics
63603STF6N80K5N-Kanal 800 V, 1,3 Ohm typ. 4,5 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220FP-PaketST Microelectronics
63604STF6N95K5N-Kanal 950 V, 1 Ohm typ., 9 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220FP-PaketST Microelectronics
63605STF6NK50ZN-CHANNEL 500V - 0.98 OHM - 5.6A TO-220/TO-220FP/DPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH™ MOSFETST Microelectronics
63606STF6NK70ZN-CHANNEL 700V - 1.5 Ohm - 5A - TO-220/TO-220FP ZENER-PROTECTED SUPERMESH MosfetST Microelectronics
63607STF715NPN MITTLERE ENERGIE TRANSISTORENST Microelectronics
63608STF7N52DK3N-Kanal 525 V, 0,95 Ohm typ., 6 A SuperFREDmesh (TM) 3 Power MOSFET in TO-220FP-PaketST Microelectronics
63609STF7N52K3N-Kanal 525 V, 0,72 Ohm, 6 A, TO-220FP SuperMESH3 (TM) Power MOSFETST Microelectronics
63610STF7N60M2N-Kanal 600 V, 0,86 Ohm typ., 5 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-220FP-PaketST Microelectronics



63611STF7N65M2N-Kanal 650 V, 0,96 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in einem TO-220FP-PaketST Microelectronics
63612STF7N80K5N-Kanal 800 V, 0,95 Ohm typ., 6 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220FP-PaketST Microelectronics
63613STF7N95K3N-Kanal 950 V, 1,1 Î ©, 7,2 A, TO-220, TO-220FP, TO-247 Z-geschützten SuperMESH3Í ?? 2; 2; Leistungs-MOSFETST Microelectronics
63614STF7NK30ZN-CHANNEL 300V 0.80 ENERGIE MOSFET DES OHM-5A TO-220 TO-220FP™ ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
63615STF7NM60NN-Kanal 600 V, 5 A, 0,84 Ohm MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220FP-PaketST Microelectronics
63616STF7NM80N-Kanal 800 V, 0,95 Ohm, 6,5 A MDmesh (TM) Power MOSFET in TO-220FP-PaketST Microelectronics
63617STF80N10F7N-Kanal 100 V, 0,0085 Ohm typ. 40 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in TO-220FP-PaketST Microelectronics
63618STF817PNP MITTLERE ENERGIE TRANSISTORENST Microelectronics
63619STF8N65M5N-Kanal 650 V, 0,56 Ohm, 7 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220FPST Microelectronics
63620STF8N80K5N-Kanal 800 V, 0,8 Ohm typ., 6 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220FP-PaketST Microelectronics
63621STF8NK100ZN-CHANNEL 1000V - 1.60Ohm - 6,5A - TO-220 - TO-220FPST Microelectronics
63622STF8NK85ZN-CHANNEL 850V -1.1Ohm - 8.6A TO-220/TO-220FP Zener-Geschützter SuperMESH MosfetST Microelectronics
63623STF8NM50NN-Kanal 500 V, 0,73 Ohm, 5 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220FPST Microelectronics
63624STF8NM60NDN-Kanal 600 V, 0,59 Î ©, 7 A, FDmeshÍ ?? 2; 2; II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKST Microelectronics
63625STF92KLEINER TRANSISTOR DES SIGNAL-PNPST Microelectronics
63626STF9N60M2N-Kanal 600 V, 0,72 Ohm typ. 5,5 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-220FP-PaketST Microelectronics
63627STF9N65M2N-Kanal 650 V, 0,79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP-PaketST Microelectronics
63628STF9NK60ZDN-CHANNEL 600V - 0.85 OHM - 7A TO-220/TO-220FP/D2PAK FASTEN DIODE SUPERMESH MOSFETST Microelectronics
63629STF9NK80ZN-CHANNEL 800V -0.9ohm - 7.5A TO-220/TO-220FP Zener-SchützteSuperMESH MosfetST Microelectronics
63630STF9NK80ZN-CHANNEL 800V -0.9ohm - 7.5A TO-220/TO-220FP Zener-SchützteSuperMESH MosfetST Microelectronics
63631STF9NK90N-CHANNEL 900V - 1.1W - 8A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-SchützteSuperMESH¢âPower MosfetST Microelectronics
63632STF9NK90N-CHANNEL 900V - 1.1W - 8A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-SchützteSuperMESH¢âPower MosfetST Microelectronics
63633STF9NK90ZN-CHANNEL 900V 1.1 ENERGIE MOSFET DES OHM-8A TO-220 TO-220FP TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
63634STF9NM60NN-Kanal 600 V, 0,63 Ohm, 6,5 A TO-220FP MDmesh (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
63635STF9NM60N(045Y)N-Kanal 600 V, 0,63 Ohm, 6,5 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in einem TO-220FP engen Leitungen PaketST Microelectronics
63636STFC01Integrierte StrombegrenzungST Microelectronics
63637STFC01DRIntegrierte StrombegrenzungST Microelectronics
63638STFI10N60M2N-Kanal 600 V, 0,55 Ohm typ. 7,5 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63639STFI10N62K3N-Kanal 620 V, 0,68 Ohm typ. 8,4 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63640STFI10N65K3N-Kanal 650 V, 0,75 Ohm typ., 10 A Zener-geschützt SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63641STFI10NK60ZN-Kanal 600 V, 0,65 Ohm, 10 A, Z-geschützten SuperMESH (TM) Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63642STFI11N65M2N-Kanal 650 V, 0,6 Ohm typ., 7 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63643STFI11NM65NN-Kanal 650 V, 0.425 Ohm typ. 11 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63644STFI130N10F3N-Kanal 100 V, 8 mOhm typ. 46 A STripFET (TM) Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63645STFI13N60M2N-Kanal 600 V, 0,35 Ohm typ. 11 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63646STFI13N95K3N-Kanal 950 V, 0,68 Ohm typ., 10 A Zener-geschützt SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in I2PAKFPST Microelectronics
63647STFI13NK60ZN-Kanal 600 V, 0,48 Ohm, 13 A, Z-geschützten SuperMESH (TM) Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63648STFI13NM60NN-Kanal 600 V, 0,28 Ohm typ. 11 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63649STFI15N65M5N-Kanal 650 V, 0.308 Ohm, 11 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63650STFI15NM65NN-Kanal 650 V, 0,35 Ohm typ. 12 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63651STFI20N65M5N-Kanal 650 V, 0.160 Ohm typ. 18 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63652STFI20NK50ZN-Kanal 500 V, 0,23 Ohm, 17 A, Z-geschützten SuperMESH (TM) Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63653STFI20NM65NN-Kanal 650 V, 0,25 Ohm typ. 15 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63654STFI24N60M2N-Kanal 600 V, 0.168 Ohm typ. 18 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63655STFI24NM60NN-Kanal 600 V, 0.168 Ohm, 17 A, MDmesh (TM) II Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63656STFI260N6F6N-Kanal-60 V, 0,0024 Ohm, 80 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63657STFI26NM60NN-Kanal 600 V, 0.135 Ohm typ. 20 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63658STFI28N60M2N-Kanal 600 V, 0.135 Ohm typ. 22 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Leistungs-MOSFETs in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63659STFI31N65M5N-Kanal 650 V, 0.124 Ohm, 22 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63660STFI34N65M5N-Kanal 650 V, 0,09 Ohm, 28 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63661STFI34NM60NN-Kanal 600 V, 0.092 Ohm, 29 A, MDmesh (TM) II Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63662STFI40N60M2N-Kanal 600 V, 0.078 Ohm typ. 34 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-220FP-PaketST Microelectronics
63663STFI4N62K3N-Kanal 620 V, 1,7 Ohm typ. 3,8 A, SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63664STFI5N95K3N-Kanal 950 V, 3 Ohm, 4 A Zener-geschützt SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63665STFI6N62K3N-Kanal 620 V, 0,95 Ohm, 5,5 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63666STFI6N65K3N-Kanal 650 V, 1,1 Ohm typ. 5,4 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63667STFI6N80K5N-Kanal 800 V, 1,3 Ohm typ. 4,5 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63668STFI7N80K5N-Kanal 800 V, 0,95 Ohm typ., 6 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63669STFI8N80K5N-Kanal 800 V, 0,8 Ohm typ., 6 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in I2PAKFP PaketST Microelectronics
63670STFLAFM10ANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63671STFLAFM10ANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63672STFLAFM10SWANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63673STFLAFM10SWANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63674STFLSTUDIO10ANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63675STFLSTUDIO10ANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63676STFLSTUDIO10KITANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63677STFLSTUDIO10KITANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63678STFLSTUDIO2ANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63679STFLSTUDIO2ANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63680STFLSTUDIO2KITANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63681STFLSTUDIO2KITANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63682STFLWARP11GEWICHT-VEREINIGENDER RICHTLINIE PROZESSORST Microelectronics
63683STFLWARP11ANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63684STFLWARP11GEWICHT-VEREINIGENDER RICHTLINIE PROZESSORST Microelectronics
63685STFLWARP11ANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63686STFLWARP11PGGEWICHT-VEREINIGENDER RICHTLINIE PROZESSORST Microelectronics
63687STFLWARP11PGGEWICHT-VEREINIGENDER RICHTLINIE PROZESSORST Microelectronics
63688STFLWARP11PG-PLANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63689STFLWARP11PG-PLANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63690STFLWARP11PLGEWICHT-VEREINIGENDER RICHTLINIE PROZESSORST Microelectronics
63691STFLWARP11PLGEWICHT-VEREINIGENDER RICHTLINIE PROZESSORST Microelectronics
63692STFLWARP20LANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63693STFLWARP20LANPASSUNGSFÄHIGER FLOCKIGER MODELLERST Microelectronics
63694STFN42Hochspannung schnell schaltende NPN-LeistungstransistorST Microelectronics
63695STFW12N120K5N-Kanal 1200 V, 0,58 Ohm typ. 12 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-3PF packgeST Microelectronics
63696STFW1N105K3N-Kanal 1050 V, 8 Ohm typ. 1,4 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in TO-3PF PaketST Microelectronics
63697STFW24N60M2N-Kanal 600 V, 0.168 Ohm typ. 18 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-3PF PaketST Microelectronics
63698STFW24N60M2-N-Kanal 600 V, 0.168 Ohm typ. 18 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-3PF PaketST Microelectronics
63699STFW38N65M5N-Kanal 650 V, 0.073 Ohm typ. 30 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-3PF PaketST Microelectronics
63700STFW3N150N-Kanal 1500 V, 6 Ohm typ. 2,5 A PowerMESH (TM) Leistungs-MOSFET in TO-3PF PaketST Microelectronics



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