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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
63701STFW3N170N-Kanal 1700 V, 8 Ohm typ. 2,3 A, PowerMESH (TM) Power MOSFET in TO-3PF PaketST Microelectronics
63702STFW4N150N-Kanal 1500 V, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH (TM) Leistungs-MOSFET in TO-3PFST Microelectronics
63703STFW69N65M5N-Kanal 650 V, 0.037 Ohm, 58 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-3PF PaketST Microelectronics
63704STFW6N120K3N-Kanal 1200 V, 1,95 Ohm, 6 A Zener-geschützt SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in TO-3PF PaketST Microelectronics
63705STG3000X128-BIT 3D MULTIMEDIA-GASPEDALST Microelectronics
63706STG3005A2S128-BIT 3D MULTIMEDIA-GASPEDALST Microelectronics
63707STG3157DIE NIEDERSPANNUNG, DIE AUF WIDERSTAND SPDT SCHALTER MIT BRUCH VOR NIEDRIG IST, BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63708STG3157CTRDIE NIEDERSPANNUNG, DIE AUF WIDERSTAND SPDT SCHALTER MIT BRUCH VOR NIEDRIG IST, BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63709STG3220Niederspannungs Hohe Bandbreite Dual-SPDT SchaltST Microelectronics
63710STG3220QTRNiederspannungs Hohe Bandbreite Dual-SPDT SchaltST Microelectronics



63711STG3482Low Voltage Dual-SP4T Schalter mit break-before-Make Feat.ST Microelectronics
63712STG3482QTRLow Voltage Dual-SP4T Schalter mit break-before-Make Feat.ST Microelectronics
63713STG3680NIEDERSPANNUNG 5OHM MAXIMALER DOPPELSPDT SCHALTER MIT BRUCH VOR BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63714STG3680QTRNIEDERSPANNUNG 5OHM MAXIMALER DOPPELSPDT SCHALTER MIT BRUCH VOR BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63715STG3682Niederspannungs Hohe Bandbreite Dual-SPDT SchaltST Microelectronics
63716STG3682QTRNiederspannungs Hohe Bandbreite Dual-SPDT SchaltST Microelectronics
63717STG3684NIEDERSPANNUNG MAXIMALER DOPPELCSPD SCHALTER EIN 0.5 OHM-MIT BRUCH VOR BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63718STG3684ANiederspannung 0,5 Ohm Max Dual-SPDT Schalt mit break-before-Make FeatST Microelectronics
63719STG3684AUTRNiederspannung 0,5 Ohm Max Dual-SPDT Schalt mit break-before-Make FeatST Microelectronics
63720STG3684QTRNIEDERSPANNUNG MAXIMALER DOPPELCSPD SCHALTER EIN 0.5 OHM-MIT BRUCH VOR BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63721STG3685NIEDERSPANNUNG MAXIMALE DOPPELSPDT SCHALTER DER 0.5 OHM-, EINZELN ERMÖGLICHEN MIT BRUCH VOR BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63722STG3685BJRNIEDERSPANNUNG MAXIMALE DOPPELSPDT SCHALTER DER 0.5 OHM-, EINZELN ERMÖGLICHEN MIT BRUCH VOR BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63723STG3690NIEDERSPANNUNG 5OHM MAXIMALER SCHALTER DES VIERERKABEL-SPDT MIT BRUCH VOR BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63724STG3690QTRNIEDERSPANNUNG 5OHM MAXIMALER SCHALTER DES VIERERKABEL-SPDT MIT BRUCH VOR BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63725STG3690TTRNIEDERSPANNUNG 5OHM MAXIMALER SCHALTER DES VIERERKABEL-SPDT MIT BRUCHVOR BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63726STG3690TTRNIEDERSPANNUNG 5OHM MAXIMALER SCHALTER DES VIERERKABEL-SPDT MIT BRUCHVOR BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63727STG3692Niederspannungs-High Bandwidth Quad SPDTST Microelectronics
63728STG3692QTRNiederspannungs-High Bandwidth Quad SPDTST Microelectronics
63729STG3693Niederspannungs-High Bandwidth Quad SPDT SchaltST Microelectronics
63730STG3693QTRNiederspannungs-High Bandwidth Quad SPDT SchaltST Microelectronics
63731STG3696ENiederspannungs-Dual-SPDT-Schalter für USB / Audio-SignalumschaltungST Microelectronics
63732STG3696EQTRNiederspannungs-Dual-SPDT-Schalter für USB / Audio-SignalumschaltungST Microelectronics
63733STG3699NIEDERSPANNUNG SCHALTER DES 0.5 OHM-MAXIMALER VIERERKABEL-SPD MIT BRUCH VOR BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63734STG3699ANIEDERSPANNUNG 0.5? MAXIMALER SCHALTER DES VIERERKABEL-SPDT MIT BRUCHVOR BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63735STG3699ANIEDERSPANNUNG 0.5? MAXIMALER SCHALTER DES VIERERKABEL-SPDT MIT BRUCHVOR BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63736STG3699AQTRNIEDERSPANNUNG SCHALTER DES 0.5 OHM-MAXIMALER VIERERKABEL-SPDT MIT BRUCH VOR BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63737STG3699BNiederspannung 0,5 Î © max, Quad SPDT-Schalter mit break-before-make-FunktionST Microelectronics
63738STG3699BVTRNiederspannung 0,5 Î © max, Quad SPDT-Schalter mit break-before-make-FunktionST Microelectronics
63739STG3699QTRNIEDERSPANNUNG SCHALTER DES 0.5 OHM-MAXIMALER VIERERKABEL-SPD MIT BRUCH VOR BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63740STG3699TTRNIEDERSPANNUNG SCHALTER DES 0.5 OHM-MAXIMALER VIERERKABEL-SPD MIT BRUCH VOR BILDEN EIGENSCHAFTST Microelectronics
63741STG3820Niederspannung hohe Bandbreite Quad DPDT-SchalterST Microelectronics
63742STG3820BJRNiederspannung hohe Bandbreite Quad DPDT-SchalterST Microelectronics
63743STG3856Niederspannungs 1.0i © max Dual SP3T-Schalter mit break-before-make-FunktionST Microelectronics
63744STG3856QTRNiederspannungs 1.0i © max Dual SP3T-Schalter mit break-before-make-FunktionST Microelectronics
63745STG4158Niederspannung 0,6 Î © typ Einzel SPDT-Schalter mit break-before-make-Funktion und 15 kV ESD-SchutzST Microelectronics
63746STG4158BJRNiederspannung 0,6 Î © typ Einzel SPDT-Schalter mit break-before-make-Funktion und 15 kV ESD-SchutzST Microelectronics
63747STG4159Niederspannung 0,3 Ohm Max Einzel SPDT Schalt mit break-before-Make-Funktion und 10 kV ESD-Schutz KontaktST Microelectronics
63748STG4159BJRNiederspannung 0,3 Ohm Max Einzel SPDT Schalt mit break-before-Make-Funktion und 10 kV ESD-Schutz KontaktST Microelectronics
63749STG4160Niederspannung 0,5 Ohm Single SPDT-Schalter mit break-before-make-Funktion und 15 kV ESD-SchutzST Microelectronics
63750STG4160BJRNiederspannung 0,5 Ohm Single SPDT-Schalter mit break-before-make-Funktion und 15 kV ESD-SchutzST Microelectronics
63751STG4260Niederspannung 0,5 Î © Dual SPDT-Schalter mit break-before-make-Funktion und 15 kV ESD-SchutzST Microelectronics
63752STG4260BJRNiederspannung 0,5 Î © Dual SPDT-Schalter mit break-before-make-Funktion und 15 kV ESD-SchutzST Microelectronics
63753STG5123Niederspannungs 1 Î © einzigen SPDT-Schalter mit break-before-make-FunktionST Microelectronics
63754STG5123DTRNiederspannungs 1 Î © einzigen SPDT-Schalter mit break-before-make-FunktionST Microelectronics
63755STG5223Niederspannung 0,5 Î © Dual SPDT-Schalter mit break-before-makeST Microelectronics
63756STG5223QTRNiederspannung 0,5 Î © Dual SPDT-Schalter mit break-before-makeST Microelectronics
63757STG5678Niederspannungs-Dual-SPDT-Schalter mit negativen Schiene FähigkeitST Microelectronics
63758STG5678BJRNiederspannungs-Dual-SPDT-Schalter mit negativen Schiene FähigkeitST Microelectronics
63759STG5678CJRNiederspannungs-Dual-SPDT-Schalter mit negativen Schiene FähigkeitST Microelectronics
63760STG5682Niederspannungs-Dual-SPDT-Schalter mit negativen Schiene FähigkeitST Microelectronics
63761STG5682QTRNiederspannungs-Dual-SPDT-Schalter mit negativen Schiene FähigkeitST Microelectronics
63762STG719NIEDERSPANNUNG 4OHM SPDT SCHALTERST Microelectronics
63763STG719CTRNIEDERSPANNUNG 4OHM SPDT SCHALTERST Microelectronics
63764STG719FTRNIEDERSPANNUNG 4OHM SPDT SCHALTERST Microelectronics
63765STG719FTRNIEDERSPANNUNG 4OHM SPDT SCHALTERST Microelectronics
63766STG719STRNIEDERSPANNUNG 4OHM SPDT SCHALTERST Microelectronics
63767STGAP1SgapDRIVE: galvanisch getrennt einzigen Gate-TreiberST Microelectronics
63768STGAP1STRgapDRIVE: galvanisch getrennt einzigen Gate-TreiberST Microelectronics
63769STGB10H60DFTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, H-Serie 600 V, 10 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
63770STGB10NB37LZN-CHANNEL KLEMMTE 10A - D2PAK INNERLICH FESTGEKLEMMTES POWERMESH IGBT FESTST Microelectronics
63771STGB10NB37LZT4N-CHANNEL KLEMMTE 10A - D2PAK INNERLICH FESTGEKLEMMTES POWERMESH IGBT FESTST Microelectronics
63772STGB10NB40LZN-CHANNEL KLEMMTE 20A D2PAK INNERLICH FESTGEKLEMMTES POWERMESH IGBT FESTST Microelectronics
63773STGB10NB40LZT4N-CHANNEL KLEMMTE 20A D2PAK INNERLICH FESTGEKLEMMTES POWERMESH IGBT FESTST Microelectronics
63774STGB10NB60SN-CHANNEL 10A 600V TO-220/TP-220FP/DPAK PowerMESH"IGBTST Microelectronics
63775STGB10NB60ST4N-CHANNEL 10A 600V TO-220/TP-220FP/DPAK PowerMESH"IGBTST Microelectronics
63776STGB10NC60HDSehr schnell "H" SerieST Microelectronics
63777STGB10NC60HDT4Sehr schnell "H" SerieST Microelectronics
63778STGB10NC60KD10 A, 600 V Kurzschluss robusten IGBTST Microelectronics
63779STGB10NC60KDT410 A, 600 V Kurzschluss robusten IGBTST Microelectronics
63780STGB12NB60KDN-CHANNEL 18A - 600V TO-220/D2PAK KURZSCHLUSS-BEWEIS POWERMESH IGBTST Microelectronics
63781STGB12NB60KDT4N-CHANNEL 18A - 600V TO-220/D2PAK KURZSCHLUSS-BEWEIS POWERMESH IGBTST Microelectronics
63782STGB14NC60KD14 A, 600 V Kurzschluss robusten IGBTST Microelectronics
63783STGB14NC60KDT414 A, 600 V Kurzschluss robusten IGBTST Microelectronics
63784STGB15H60DFTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, H-Serie 600 V, 15 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
63785STGB18N40LZEAS 180 mJ - 390 V - innen geklemmt IGBTST Microelectronics
63786STGB18N40LZ-1EAS 180 mJ - 390 V - innen geklemmt IGBTST Microelectronics
63787STGB18N40LZT4EAS 180 mJ - 390 V - innen geklemmt IGBTST Microelectronics
63788STGB19NC60H19 A - 600 V - sehr schnell IGBTST Microelectronics
63789STGB19NC60HD19 A, 600 V, sehr schnell IGBT mit Ultraschnelle DiodenST Microelectronics
63790STGB19NC60HDT419 A, 600 V, sehr schnell IGBT mit Ultraschnelle DiodenST Microelectronics
63791STGB19NC60HT419 A - 600 V - sehr schnell IGBTST Microelectronics
63792STGB19NC60KDKurzschluss robusten IGBTST Microelectronics
63793STGB19NC60KDT4Kurzschluss robusten IGBTST Microelectronics
63794STGB20H60DF600 V, 20 A Hochgeschwindigkeits-Trench-Gate-Feldstopp-IGBTST Microelectronics
63795STGB20N40LZAutomotive-390 V intern festgeklemmt IGBT ESCIS 300 mJST Microelectronics
63796STGB20NB32LZN-CHANNEL KLEMMTE 20A - D2PAK/I2PAK INNERLICH FESTGEKLEMMTES POWERMESH IGBT FESTST Microelectronics
63797STGB20NB32LZ-1N-CHANNEL KLEMMTE 20A - D2PAK/I2PAK INNERLICH FESTGEKLEMMTES POWERMESH IGBT FESTST Microelectronics
63798STGB20NB32LZT4N-CHANNEL KLEMMTE 20A - D2PAK/I2PAK INNERLICH FESTGEKLEMMTES POWERMESH IGBT FESTST Microelectronics
63799STGB20NB37LZN-CHANNEL KLEMMTE 20A - D2PAK INNERLICH FESTGEKLEMMTES POWERMESH IGBT FESTST Microelectronics
63800STGB20NB37LZT4N-CHANNEL KLEMMTE 20A - D2PAK INNERLICH FESTGEKLEMMTES POWERMESH IGBT FESTST Microelectronics



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