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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
64201STH315N10F7-2Automotive-N-Kanal 100 V, 2,1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFETST Microelectronics
64202STH315N10F7-6Automotive-N-Kanal 100 V, 2,1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFETST Microelectronics
64203STH320N4F6-2N-Kanal-40 V, 1,1 mOhm typ., 200 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64204STH320N4F6-6N-Kanal-40 V, 1,1 mOhm typ., 200 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-6-PaketST Microelectronics
64205STH33N20N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
64206STH33N20N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
64207STH33N20FIN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
64208STH33N20FIN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
64209STH360N4F6-2N-Kanal-40 V, 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64210STH3N150-2N-Kanal 1500 V, 6 Ohm typ. 2,5 A PowerMESH (TM) Leistungs-MOSFET in H2PAK-2-PaketST Microelectronics



64211STH400N4F6-2Automotive-N-Kanal-40 V, 0,85 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64212STH400N4F6-6Automotive-N-Kanal-40 V, 0,85 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-6-PaketST Microelectronics
64213STH4N90N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
64214STH4N90N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
64215STH4N90FIN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
64216STH4N90FIN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
64217STH5NA100N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENST Microelectronics
64218STH5NA100N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENST Microelectronics
64219STH60N10FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
64220STH6N100ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
64221STH6N100FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
64222STH6NA80FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
64223STH7NA100FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
64224STH7NA80N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
64225STH7NA80N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
64226STH7NA80FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
64227STH7NA90FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
64228STH80N10F7-2N-Kanal 100 V, 0.008 Ohm typ. 80 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64229STH8N80N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENST Microelectronics
64230STH8N80FIN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENST Microelectronics
64231STH8N80FIN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENST Microelectronics
64232STH8NA60FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
64233STH8NA80FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
64234STH8NB90FIN-CHANNEL 900V - 1.1 OHM - 8A - TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
64235STH9NA60FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
64236STH9NA80N - FÜHRUNG 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FASTEN ENERGIEMOS TRANSISTORST Microelectronics
64237STH9NA80N - FÜHRUNG 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FASTEN ENERGIEMOS TRANSISTORST Microelectronics
64238STH9NA80FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
64239STHH2003CRHOCHFREQUENZSEKUNDÄRGLEICHRICHTERST Microelectronics
64240STHV748Quad ± 90 V, ± 2 A, 3/5 Pegel, Hochgeschwindigkeits-Ultraschall-ImpulsgeberST Microelectronics
64241STHV748QTRQuad ± 90 V, ± 2 A, 3/5 Pegel, Hochgeschwindigkeits-Ultraschall-ImpulsgeberST Microelectronics
64242STHV749Quad ± 90 V, ± 2 A, ± 4 A, 3-, 5-, 7-level RTZ, Hochgeschwindigkeits-Ultraschall-ImpulsgeberST Microelectronics
64243STHV749LQuad ± 90 V, ± 2 A, ± 4 A, 3-, 5-, 7-level RTZ, Hochgeschwindigkeits-Ultraschall-ImpulsgeberST Microelectronics
64244STHV800Octal ± 90 V, ± 2 A, 3-Level-RTZ, Hochgeschwindigkeits-Ultraschall-ImpulsgeberST Microelectronics
64245STHV800LOctal ± 90 V, ± 2 A, 3-Level-RTZ, Hochgeschwindigkeits-Ultraschall-ImpulsgeberST Microelectronics
64246STHVDAC-253MAntennenabstimmschaltungST Microelectronics
64247STHVDAC-253MF3AntennenabstimmschaltungST Microelectronics
64248STHVDAC-303Hochspannungs BST KapazitätssteuerungST Microelectronics
64249STHVDAC-303C6Hochspannungs BST KapazitätssteuerungST Microelectronics
64250STHVDAC-303F6Hochspannungs BST KapazitätssteuerungST Microelectronics
64251STHVDAC-303IC6Hochspannungs BST KapazitätssteuerungST Microelectronics
64252STHVDAC-303IF6Hochspannungs BST KapazitätssteuerungST Microelectronics
64253STHVDAC-304MHochspannungs BST KapazitätssteuerungST Microelectronics
64254STHVDAC-304MC3Hochspannungs BST KapazitätssteuerungST Microelectronics
64255STHVDAC-304MF3Hochspannungs BST KapazitätssteuerungST Microelectronics
64256STI10NM60NN-Kanal 600 V, 0,53 Ohm, 10 A, I2PAK MDmesh (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
64257STI11NM80N-Kanal 800 V, 0,35 Ohm, 11 A MDmesh (TM) Power MOSFET in I2PAKST Microelectronics
64258STI12N65M5N-Kanal 650 V, 0,39 Ohm, 8,5 A MDmesh (TM) V Power MOSFET I2PAKST Microelectronics
64259STI13005-1Hochspannung schnell schaltende NPN-LeistungstransistorST Microelectronics
64260STI13005-HHochspannung schnell schaltende NPN-LeistungstransistorST Microelectronics
64261STI13NM60NN-Kanal 600 V, 0,28 Ohm typ. 11 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in I2PAK PaketST Microelectronics
64262STI14NM50NN-Kanal 500 V, 0,28 Ohm, 12 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in I2PAK PaketST Microelectronics
64263STI150N10F7N-Kanal 100 V, 0,0036 Ohm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in I2PAK PaketST Microelectronics
64264STI18N65M5N-Kanal 650 V, 0.198 Ohm typ. 15 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in I2PAK PaketST Microelectronics
64265STI20N65M5N-Kanal 650 V, 0.160 Ohm typ. 18 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in I2PAK PaketST Microelectronics
64266STI21N65M5N-Kanal 650 V, 0.150 Ohm, 17 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in I2PAKST Microelectronics
64267STI24N60M2N-Kanal 600 V, 0.168 Ohm typ. 18 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in D2PAK VerpackungST Microelectronics
64268STI24NM60NN-Kanal 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh (TM) II Power MOSFET I2PAKST Microelectronics
64269STI260N6F6N-Kanal-60 V, 0,0024 Ohm, 120 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in I2PAK PaketST Microelectronics
64270STI270N4F3N-Kanal-40 V, 2,1 mOhm typ., 160 A STripFET (TM) III-Power-MOSFET in I2PAK PaketST Microelectronics
64271STI300N4F6N-Kanal-40 V, 1,7 mOhm, 160 A, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in einem Paket I2PAKST Microelectronics
64272STI3220BEWEGUNG SCHÄTZUNG-PROZESSORST Microelectronics
64273STI3220BEWEGUNG SCHÄTZUNG-PROZESSORST Microelectronics
64274STI32N65M5N-Kanal 650 V, 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in I2PAKST Microelectronics
64275STI33N60M2N-Kanal 600 V, 0.108 Ohm typ. 26 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Leistungs-MOSFETs in I2PAK PaketST Microelectronics
64276STI34N65M5N-Kanal 650 V, 0,09 Ohm typ. 28 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in I2PAK PaketST Microelectronics
64277STI3500AMPEG-2/CCIR 601 BILDSCHIRM-DECODERST Microelectronics
64278STI3520MPEG Bildschirm Integrierter Decoder Audio/MPEG-2ST Microelectronics
64279STI3520AMPEG Bildschirm Integrierter Decoder Audio/MPEG-2ST Microelectronics
64280STI3520ACVBILDSCHIRM DES MPEG AUDIO-/ MPEG 2 INTEGRIERTE DECODERST Microelectronics
64281STI3520ACVBILDSCHIRM DES MPEG AUDIO-/ MPEG 2 INTEGRIERTE DECODERST Microelectronics
64282STI35N65M5N-Kanal 650 V, 0.085 Ohm, 27 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in I2PAKST Microelectronics
64283STI360N4F6N-Kanal-40 V, 120 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in I2PAK PaketST Microelectronics
64284STI400N4F6N-Kanal-40 V, 120 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in I2PAK PaketST Microelectronics
64285STI42N65M5N-Kanal 650 V, 0.070 Ohm, 33 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in I2PAKST Microelectronics
64286STI45N10F7N-Kanal 100 V, 0.013 Ohm typ. 45 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in I2PAK PaketST Microelectronics
64287STI46006 FÜHRUNG DOLBYAC-3 MPEG1/2 AUDIO-DECODERST Microelectronics
64288STI46006 FÜHRUNG DOLBYAC-3 MPEG1/2 AUDIO-DECODERST Microelectronics
64289STI4N62K3N-Kanal 620 V, 1,7 Ohm typ. 3,8 A, SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in I2PAK PaketST Microelectronics
64290STI5100Anweisung der Daten STB5100ST Microelectronics
64291STI5100-MBOARDPreiswerter wechselwirkender Einstellenoberseite KastendecoderST Microelectronics
64292STI5100-MBOARDPreiswerter wechselwirkender Einstellenoberseite KastendecoderST Microelectronics
64293STI5100-REFPreiswerter wechselwirkender Einstellenoberseite KastendecoderST Microelectronics
64294STI5100-REFPreiswerter wechselwirkender Einstellenoberseite KastendecoderST Microelectronics
64295STI5100-STDVBPreiswerter wechselwirkender Einstellenoberseite KastendecoderST Microelectronics
64296STI5100-STDVBPreiswerter wechselwirkender Einstellenoberseite KastendecoderST Microelectronics
64297STI5100ZUAAnweisung der Daten STB5100ST Microelectronics
64298STI5105ALCLeistungsfähige erweiterte SD-Decoder für Set-Top-BoxST Microelectronics
64299STI51074YBLow-Cost-interaktiven Set-Top-Box-DecoderST Microelectronics
64300STI5107AYALow-Cost-interaktiven Set-Top-Box-DecoderST Microelectronics



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