68411 | STP21NM60ND | N-Kanal 600 V, 0,17 Ohm typ. 17 A, FDmesh (TM) II Power MOSFET (Whit schnelle Diode) im TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68412 | STP22NE03 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-EINZELNER EIGENSCHAFT GRÖSSE ENERGIEMosfet | ST Microelectronics |
68413 | STP22NE03 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-EINZELNER EIGENSCHAFT GRÖSSE ENERGIEMosfet | ST Microelectronics |
68414 | STP22NE03L | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-EINZELNER EIGENSCHAFT GRÖSSE ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
68415 | STP22NE10L | N-CHANNEL 55V - 0.07 OHM - 22A STRIPFET ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
68416 | STP22NF03L | N-CHANNEL 30V 0.038 ENERGIE MOSFET DES OHM-22A TO-220 STRIPFET | ST Microelectronics |
68417 | STP22NM50 | N-CHANNEL 500 V - 0.16 OHM - 20 Ein TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE Mosfet | ST Microelectronics |
68418 | STP22NM50FP | N-CHANNEL 500 V - 0.16 OHM - 20 Ein TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE Mosfet | ST Microelectronics |
68419 | STP22NM60 | N-CHANNEL 600 V - 0.19 OHM - 22 Ein TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE Mosfet | ST Microelectronics |
68420 | STP22NM60FP | N-CHANNEL 600 V - 0.19 OHM - 22 Ein TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE Mosfet | ST Microelectronics |
68421 | STP22NM60N | N-Kanal 600 V, 0,2 Ohm, 16 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220 | ST Microelectronics |
68422 | STP22NS25Z | N-CHANNEL 250V 0.13 OHM 22A TO-220/D2PAK ZENER-PROTECTED INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET | ST Microelectronics |
68423 | STP23NM50N | N-Kanal 500 V, 0.162 Ohm, 17 A, TO-220 MDmesh (TM) II Power MOSFET | ST Microelectronics |
68424 | STP23NM60ND | N-Kanal 600 V, 0.150 Ohm, 19,5 A, FDmesh II Power MOSFET (mit schnellen Diode) TO-220 | ST Microelectronics |
68425 | STP240N10F7 | N-Kanal 100 V, 2,5 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in einem TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68426 | STP24DP05 | 24-Bit-Konstantstrom-LED-Treiber mit Spüle Ausgang Fehlererkennung | ST Microelectronics |
68427 | STP24DP05BTR | 24-Bit-Konstantstrom-LED-Treiber mit Spüle Ausgang Fehlererkennung | ST Microelectronics |
68428 | STP24N60DM2 | N-Kanal 600 V, 0.175 Ohm typ. 18 A FDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68429 | STP24N60M2 | N-Kanal 600 V, 0.168 Ohm typ. 18 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68430 | STP24NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.055 OHM - 26A TO-220/D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
68431 | STP24NM60N | N-Kanal 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh (TM) II Power MOSFET TO-220 | ST Microelectronics |
68432 | STP25N06 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68433 | STP25N06FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68434 | STP25N10F7 | N-Kanal 100 V, 0.027 Ohm typ., 25 A, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68435 | STP25N80K5 | N-Kanal 800 V, 0,19 Ohm typ. 19,5 A SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68436 | STP25NM50N | N-CHANNEL 550V @ TjMAX - 0.12 Ohm - 21.5 A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZWEITES ERZEUGUNG MDmesh Mosfet | ST Microelectronics |
68437 | STP25NM60N | N-CHANNEL 650 @Tjmax-0.140&-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZWEITES ERZEUGUNG MDmesh Mosfet | ST Microelectronics |
68438 | STP25NM60ND | N-Kanal 600 V, 0,13 Ohm typ. 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) im TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68439 | STP260N6F6 | N-Kanal-60 V, 0,0024 Ohm, 120 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68440 | STP26NM60N | N-Kanal 600 V, 0.135 Ohm typ. 20 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68441 | STP26NM60ND | N-Kanal 600 V, 0.145 Ohm typ. 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) im TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68442 | STP270N8F7 | N-Kanal-80 V, 2,1 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68443 | STP27N3LH5 | N-Kanal-30 V, 0,014 Ohm, 27 A, TO-220 STripFET (TM) V-Leistungs-MOSFET | ST Microelectronics |
68444 | STP28N60M2 | N-Kanal 600 V, 0.135 Ohm typ. 22 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Leistungs-MOSFETs in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68445 | STP28NM50N | N-Kanal 500 V, 0.135 Ohm typ. 21 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68446 | STP28NM60ND | N-Kanal 600 V, 0.120 Ohm typ. 24 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) im TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68447 | STP2CMP | Niedervolt 2-Kanal-Konstantstrom-LED-Treiber mit Ladungspumpe | ST Microelectronics |
68448 | STP2CMPQTR | Niedervolt 2-Kanal-Konstantstrom-LED-Treiber mit Ladungspumpe | ST Microelectronics |
68449 | STP2HNC60 | N-CHANNEL 600V 4 OHM2.2A TO-220/TO-220FP POWERMESH II MOSFET | ST Microelectronics |
68450 | STP2HNC60FP | N-CHANNEL 600V 4 OHM2.2A TO-220/TO-220FP POWERMESH II MOSFET | ST Microelectronics |
68451 | STP2N60 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68452 | STP2N60FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68453 | STP2N62K3 | N-Kanal 620 V, 3 Ohm, 2,2 A, TO-220 SuperMESH3 (TM) Power MOSFET | ST Microelectronics |
68454 | STP2N80 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68455 | STP2N80FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68456 | STP2N80K5 | N-Kanal 800 V, 3,5 Ohm typ., 2 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68457 | STP2N95K5 | N-Kanal 950 V, 4,2 Ohm typ., 2 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68458 | STP2NA50 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68459 | STP2NA50FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68460 | STP2NC60 | N-CHANNEL 600V 7 OHM1.9A TO-220/TO-220FP POWERMESH II MOSFET | ST Microelectronics |
68461 | STP2NC60FP | N-CHANNEL 600V 7 OHM1.9A TO-220/TO-220FP POWERMESH II MOSFET | ST Microelectronics |
68462 | STP2NC70Z | N-CHANNEL 700V 7.3 OHM1.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTEDPOWERMESH III MOSFET | ST Microelectronics |
68463 | STP2NC70ZFP | N-CHANNEL 700V 7.3 OHM1.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTEDPOWERMESH III MOSFET | ST Microelectronics |
68464 | STP2NK100Z | N-Kanal 1000 V, 6,25 Ohm, 1,85 A, TO-220 Z-geschützten SuperMESH (TM) Power MOSFET | ST Microelectronics |
68465 | STP2NK60Z | N-CHANNEL 600V - 7.2 OHM - 1.4 A TO-220/TO-220FP/TO-92/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH Mosfet | ST Microelectronics |
68466 | STP2NK90Z | N-CHANNEL 900V - 5 Ohm - 2.1A - TO-220/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH Mosfet | ST Microelectronics |
68467 | STP3015L | N-CHANNEL 30V - 0.013 OHM - 40A D2PAK/TO-220 STRIPFET ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
68468 | STP3020 | N - FÜHRUNG 30V - 0.019ohm - 40A - TO-220 STripFET ENERGIE Mosfet | ST Microelectronics |
68469 | STP3020 | N - FÜHRUNG 30V - 0.019ohm - 40A - TO-220 STripFET ENERGIE Mosfet | ST Microelectronics |
68470 | STP30N05 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68471 | STP30N05FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68472 | STP30N06 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68473 | STP30N06FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68474 | STP30N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh (TM) V Power MOSFET TO-220 | ST Microelectronics |
68475 | STP30NF10 | N-CHANNEL 100V 0.038 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET DES OHM-35A TO-220/TO-220FP/D2PAK NIEDRIGER ENERGIE II MOSFET | ST Microelectronics |
68476 | STP30NF10FP | N-CHANNEL 100V 0.038 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET DES OHM-35A TO-220/TO-220FP/D2PAK NIEDRIGER ENERGIE II MOSFET | ST Microelectronics |
68477 | STP30NF20 | N-Kanal 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, TO-220 STripFET (TM) Power MOSFET | ST Microelectronics |
68478 | STP30NM30N | N-Kanal 300V - 0.078Ohm - 30A - TO-220 | ST Microelectronics |
68479 | STP30NS15L | N-CHANNEL 150V - 0.085 OHM - 10A TO-220FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATT-ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
68480 | STP30NS15LFP | N-CHANNEL 150V - 0.085 OHM - 10A TO-220FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATT-ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
68481 | STP310N10F7 | N-Kanal 100 V, 2,3 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in einem TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68482 | STP315N10F7 | Automotive-N-Kanal 100 V, 2,3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in einem TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68483 | STP31N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.124 Ohm, 22 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68484 | STP32N05L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68485 | STP32N06 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
68486 | STP32N06 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
68487 | STP32N06L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68488 | STP32N06LFI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68489 | STP32N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220 | ST Microelectronics |
68490 | STP32NM50N | N-Kanal 500 V, 0,1 Ohm typ. 22 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68491 | STP33N10 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68492 | STP33N10FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
68493 | STP33N60M2 | N-Kanal 600 V, 0.108 Ohm typ. 26 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Leistungs-MOSFETs in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68494 | STP34N65M5 | N-Kanal 650 V, 0,09 Ohm, 28 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68495 | STP34NM60N | N-Kanal 600 V, 0.092 Ohm, 29 A, MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220 | ST Microelectronics |
68496 | STP34NM60ND | N-Kanal 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) TO-220 | ST Microelectronics |
68497 | STP35N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.085 Ohm, 27 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220 | ST Microelectronics |
68498 | STP35NF10 | N-CHANNEL 100V 0.030 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-40A TO-220/D2PAK NIEDRIGER | ST Microelectronics |
68499 | STP360N4F6 | N-Kanal-40 V, 120 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
68500 | STP36N05L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
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