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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
68401STP20NM60FDN-CHANNEL 600V 0.26 ENERGIE MOSFET DES OHM-20A TO-220 TO-220FP TO-247 FDMESHST Microelectronics
68402STP20NM60FPN-CHANNEL 600V - 0.25 OHM - 20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE MOSFETST Microelectronics
68403STP210N75F6N-Kanal-75 V, 3 mOhm, 120 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68404STP210NF02N-CHANNEL 20V - 0.0026 OHM - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
68405STP21N05LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68406STP21N05LFIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68407STP21N06LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68408STP21N06LFIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68409STP21N65M5N-Kanal 650 V, 0.150 Ohm, 17 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220ST Microelectronics
68410STP21N90K5N-Kanal 900 V, 0,25 Ohm, 18,5 A TO-220 Z-geschützten SuperMESH (TM) 5 Power MOSFETST Microelectronics



68411STP21NM60NDN-Kanal 600 V, 0,17 Ohm typ. 17 A, FDmesh (TM) II Power MOSFET (Whit schnelle Diode) im TO-220-GehäuseST Microelectronics
68412STP22NE03N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-EINZELNER EIGENSCHAFT GRÖSSE ENERGIEMosfetST Microelectronics
68413STP22NE03N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-EINZELNER EIGENSCHAFT GRÖSSE ENERGIEMosfetST Microelectronics
68414STP22NE03LN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-EINZELNER EIGENSCHAFT GRÖSSE ENERGIE MOSFETST Microelectronics
68415STP22NE10LN-CHANNEL 55V - 0.07 OHM - 22A STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
68416STP22NF03LN-CHANNEL 30V 0.038 ENERGIE MOSFET DES OHM-22A TO-220 STRIPFETST Microelectronics
68417STP22NM50N-CHANNEL 500 V - 0.16 OHM - 20 Ein TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE MosfetST Microelectronics
68418STP22NM50FPN-CHANNEL 500 V - 0.16 OHM - 20 Ein TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE MosfetST Microelectronics
68419STP22NM60N-CHANNEL 600 V - 0.19 OHM - 22 Ein TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE MosfetST Microelectronics
68420STP22NM60FPN-CHANNEL 600 V - 0.19 OHM - 22 Ein TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE MosfetST Microelectronics
68421STP22NM60NN-Kanal 600 V, 0,2 Ohm, 16 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220ST Microelectronics
68422STP22NS25ZN-CHANNEL 250V 0.13 OHM 22A TO-220/D2PAK ZENER-PROTECTED INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFETST Microelectronics
68423STP23NM50NN-Kanal 500 V, 0.162 Ohm, 17 A, TO-220 MDmesh (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
68424STP23NM60NDN-Kanal 600 V, 0.150 Ohm, 19,5 A, FDmesh II Power MOSFET (mit schnellen Diode) TO-220ST Microelectronics
68425STP240N10F7N-Kanal 100 V, 2,5 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in einem TO-220-GehäuseST Microelectronics
68426STP24DP0524-Bit-Konstantstrom-LED-Treiber mit Spüle Ausgang FehlererkennungST Microelectronics
68427STP24DP05BTR24-Bit-Konstantstrom-LED-Treiber mit Spüle Ausgang FehlererkennungST Microelectronics
68428STP24N60DM2N-Kanal 600 V, 0.175 Ohm typ. 18 A FDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68429STP24N60M2N-Kanal 600 V, 0.168 Ohm typ. 18 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68430STP24NF10N-CHANNEL 100V - 0.055 OHM - 26A TO-220/D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
68431STP24NM60NN-Kanal 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh (TM) II Power MOSFET TO-220ST Microelectronics
68432STP25N06ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68433STP25N06FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68434STP25N10F7N-Kanal 100 V, 0.027 Ohm typ., 25 A, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68435STP25N80K5N-Kanal 800 V, 0,19 Ohm typ. 19,5 A SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68436STP25NM50NN-CHANNEL 550V @ TjMAX - 0.12 Ohm - 21.5 A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZWEITES ERZEUGUNG MDmesh MosfetST Microelectronics
68437STP25NM60NN-CHANNEL 650 @Tjmax-0.140&-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZWEITES ERZEUGUNG MDmesh MosfetST Microelectronics
68438STP25NM60NDN-Kanal 600 V, 0,13 Ohm typ. 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) im TO-220-GehäuseST Microelectronics
68439STP260N6F6N-Kanal-60 V, 0,0024 Ohm, 120 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68440STP26NM60NN-Kanal 600 V, 0.135 Ohm typ. 20 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68441STP26NM60NDN-Kanal 600 V, 0.145 Ohm typ. 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) im TO-220-GehäuseST Microelectronics
68442STP270N8F7N-Kanal-80 V, 2,1 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68443STP27N3LH5N-Kanal-30 V, 0,014 Ohm, 27 A, TO-220 STripFET (TM) V-Leistungs-MOSFETST Microelectronics
68444STP28N60M2N-Kanal 600 V, 0.135 Ohm typ. 22 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Leistungs-MOSFETs in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68445STP28NM50NN-Kanal 500 V, 0.135 Ohm typ. 21 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68446STP28NM60NDN-Kanal 600 V, 0.120 Ohm typ. 24 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) im TO-220-GehäuseST Microelectronics
68447STP2CMPNiedervolt 2-Kanal-Konstantstrom-LED-Treiber mit LadungspumpeST Microelectronics
68448STP2CMPQTRNiedervolt 2-Kanal-Konstantstrom-LED-Treiber mit LadungspumpeST Microelectronics
68449STP2HNC60N-CHANNEL 600V 4 OHM2.2A TO-220/TO-220FP POWERMESH II MOSFETST Microelectronics
68450STP2HNC60FPN-CHANNEL 600V 4 OHM2.2A TO-220/TO-220FP POWERMESH II MOSFETST Microelectronics
68451STP2N60ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68452STP2N60FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68453STP2N62K3N-Kanal 620 V, 3 Ohm, 2,2 A, TO-220 SuperMESH3 (TM) Power MOSFETST Microelectronics
68454STP2N80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68455STP2N80FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68456STP2N80K5N-Kanal 800 V, 3,5 Ohm typ., 2 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68457STP2N95K5N-Kanal 950 V, 4,2 Ohm typ., 2 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68458STP2NA50ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68459STP2NA50FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68460STP2NC60N-CHANNEL 600V 7 OHM1.9A TO-220/TO-220FP POWERMESH II MOSFETST Microelectronics
68461STP2NC60FPN-CHANNEL 600V 7 OHM1.9A TO-220/TO-220FP POWERMESH II MOSFETST Microelectronics
68462STP2NC70ZN-CHANNEL 700V 7.3 OHM1.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTEDPOWERMESH III MOSFETST Microelectronics
68463STP2NC70ZFPN-CHANNEL 700V 7.3 OHM1.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTEDPOWERMESH III MOSFETST Microelectronics
68464STP2NK100ZN-Kanal 1000 V, 6,25 Ohm, 1,85 A, TO-220 Z-geschützten SuperMESH (TM) Power MOSFETST Microelectronics
68465STP2NK60ZN-CHANNEL 600V - 7.2 OHM - 1.4 A TO-220/TO-220FP/TO-92/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH™ MosfetST Microelectronics
68466STP2NK90ZN-CHANNEL 900V - 5 Ohm - 2.1A - TO-220/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH MosfetST Microelectronics
68467STP3015LN-CHANNEL 30V - 0.013 OHM - 40A D2PAK/TO-220 STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
68468STP3020N - FÜHRUNG 30V - 0.019ohm - 40A - TO-220 STripFET ENERGIE MosfetST Microelectronics
68469STP3020N - FÜHRUNG 30V - 0.019ohm - 40A - TO-220 STripFET ENERGIE MosfetST Microelectronics
68470STP30N05ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68471STP30N05FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68472STP30N06ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68473STP30N06FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68474STP30N65M5N-Kanal 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh (TM) V Power MOSFET TO-220ST Microelectronics
68475STP30NF10N-CHANNEL 100V 0.038 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET DES OHM-35A TO-220/TO-220FP/D2PAK NIEDRIGER ENERGIE II MOSFETST Microelectronics
68476STP30NF10FPN-CHANNEL 100V 0.038 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET DES OHM-35A TO-220/TO-220FP/D2PAK NIEDRIGER ENERGIE II MOSFETST Microelectronics
68477STP30NF20N-Kanal 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, TO-220 STripFET (TM) Power MOSFETST Microelectronics
68478STP30NM30NN-Kanal 300V - 0.078Ohm - 30A - TO-220ST Microelectronics
68479STP30NS15LN-CHANNEL 150V - 0.085 OHM - 10A TO-220FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATT-ENERGIE MOSFETST Microelectronics
68480STP30NS15LFPN-CHANNEL 150V - 0.085 OHM - 10A TO-220FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATT-ENERGIE MOSFETST Microelectronics
68481STP310N10F7N-Kanal 100 V, 2,3 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in einem TO-220-GehäuseST Microelectronics
68482STP315N10F7Automotive-N-Kanal 100 V, 2,3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in einem TO-220-GehäuseST Microelectronics
68483STP31N65M5N-Kanal 650 V, 0.124 Ohm, 22 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68484STP32N05LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68485STP32N06N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
68486STP32N06N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
68487STP32N06LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68488STP32N06LFIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68489STP32N65M5N-Kanal 650 V, 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220ST Microelectronics
68490STP32NM50NN-Kanal 500 V, 0,1 Ohm typ. 22 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68491STP33N10ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68492STP33N10FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
68493STP33N60M2N-Kanal 600 V, 0.108 Ohm typ. 26 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Leistungs-MOSFETs in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68494STP34N65M5N-Kanal 650 V, 0,09 Ohm, 28 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68495STP34NM60NN-Kanal 600 V, 0.092 Ohm, 29 A, MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220ST Microelectronics
68496STP34NM60NDN-Kanal 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) TO-220ST Microelectronics
68497STP35N65M5N-Kanal 650 V, 0.085 Ohm, 27 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220ST Microelectronics
68498STP35NF10N-CHANNEL 100V 0.030 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-40A TO-220/D2PAK NIEDRIGERST Microelectronics
68499STP360N4F6N-Kanal-40 V, 120 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
68500STP36N05LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics



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