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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
71601STW52NK25ZN-CHANNEL 250V-0.033Ohm-52A TO-247 Zener-Geschützter SuperMESH™MosfetST Microelectronics
71602STW54NK30ZN-CHANNEL 300V - 0.052Ohm - 54A TO-247ST Microelectronics
71603STW54NM65NDN-Kanal 650 V, 0.055 Ohm typ. 49 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) in einem TO-247-GehäuseST Microelectronics
71604STW55NE10N-CHANNEL 100V - 0.021 OHM - 55A TO247 STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
71605STW55NM60NN-Kanal 600 V, 0.047 Ohm, 51 A MDmesh (TM) II Power MOSFET TO-247ST Microelectronics
71606STW55NM60NDN-Kanal 600 V, 0.047 Ohm, 51 A TO-247 FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode)ST Microelectronics
71607STW56NM60NN-Kanal 600 V, 0,05 Ohm, 45 A, TO-247 MDmesh (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
71608STW57N65M5N-Kanal 650 V, 0.056 Ohm typ. 42 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-247-GehäuseST Microelectronics
71609STW57N65M5-4N-Kanal 650 V, 0.056 Ohm typ. 42 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFET in einem Paket TO247-4ST Microelectronics
71610STW5NA100ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics



71611STW5NA90ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
71612STW5NB100N-CHANNEL 1000 - 4 OHM - 4.3A - TO-247 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
71613STW5NK100ZN-CHANNEL 1000V - 2.7 Ohm - 3.5A - TO-220/TO-220FP/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MosfetST Microelectronics
71614STW60N10ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
71615STW60NE10N-CHANNEL 100V - 0.016 OHM - 60A TO-247 STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
71616STW60NM50NN-Kanal 500 V, 0.035 Ohm typ. 68 A, MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-247-GehäuseST Microelectronics
71617STW62N65M5Automotive-N-Kanal 650 V, 0.041 Ohm typ. 46 A MDmesh M5 Power MOSFET in einem TO-247-GehäuseST Microelectronics
71618STW62NM60NN-Kanal 600 V, 0,04 Ohm typ. 65 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in einem TO-247-GehäuseST Microelectronics
71619STW69N65M5N-Kanal 650 V, 0.037 Ohm, 58 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-247-GehäuseST Microelectronics
71620STW69N65M5-4N-Kanal 650 V, 0.037 Ohm typ. 58 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO247-4 PaketST Microelectronics
71621STW6N120K3N-Kanal 1200 V, 1,95 Ohm, 6 A Zener-geschützt SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in TO-247-GehäuseST Microelectronics
71622STW6N95K5N-Kanal 950 V, 1 Ohm typ., 9 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-247-GehäuseST Microelectronics
71623STW6NA80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
71624STW6NA90ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
71625STW6NB100N-CHANNEL 1000V - 2.3 OHM - 5.4A - TO-247 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
71626STW6NB90N-CHANNEL MOSFETST Microelectronics
71627STW6NC90ZN-CHANNEL 900V 2.1OHM 5.2A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETST Microelectronics
71628STW70N10F4N-Kanal 100 V, 0.015 Ohm, 60 A, STripFET (TM) DeepGATE (TM) Power MOSFET in TO-247ST Microelectronics
71629STW70N60M2N-Kanal 600 V, 0.031 Ohm typ. 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247-GehäuseST Microelectronics
71630STW75N15N-CHANNEL 150V 0.02 GATTER-AUFLADUNG STripFET Mosfet DES OHM-75A TO-220/D2PAK/TO-247™NIEDRIGERST Microelectronics
71631STW75NF20N-Kanal 200 V, 0.028 Ohm typ. 75 A STripFET (TM) Power MOSFET in TO-247-GehäuseST Microelectronics
71632STW75NF30N-Kanal 300 V, 0.037 Î ©, 60 A, TO-247 geringe Gate-Ladung STripFETÍ ?? 2; 2; Leistungs-MOSFETST Microelectronics
71633STW77N65M5N-Kanal 650 V, 0.033 Ohm, 69 A, MDmesh (TM) V Power MOSFET TO-247ST Microelectronics
71634STW78N65M5Automotive-N-Kanal 650 V, 0.024 Ohm typ. 69 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFET in einem TO-247-GehäuseST Microelectronics
71635STW7N95K3N-Kanal 950 V, 1,1 Ohm, 7,2 A, TO-247, Z-geschützten SuperMESH3; Leistungs-MOSFETST Microelectronics
71636STW7NA100ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
71637STW7NA80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
71638STW7NA90ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
71639STW7NB80N-CHANNEL 800V - 1.6 OHM - 6.5A - TO-247 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
71640STW7NC80ZN-CHANNEL 800V 1.5OHM 6A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH MOSFETST Microelectronics
71641STW7NC90ZN-CHANNEL 900V 1.55 OHM6A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETST Microelectronics
71642STW7NK90ZN-CHANNEL 900V - 1.56W - 5.8A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE MOSFETST Microelectronics
71643STW80N06-10ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
71644STW80NE06-10N-CHANNEL 60V 0.0085 ENERGIE MOSFET DES OHM-80A TO-247 STRIPFETST Microelectronics
71645STW80NF06N-CHANNEL 60V - 0.0065 OHM - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 STRIPFET™ II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
71646STW80NF10N-CHANNEL 100V 0.012 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-80A TO-247 NIEDRIGERST Microelectronics
71647STW80NF12N-CHANNEL 120V-0.013OHM-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/D2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
71648STW80NF55-06N-CHANNEL 55V 0.005 ENERGIE MOSFET DES OHM-80A TO-247 STRIPFET IIST Microelectronics
71649STW80NF55-08N-CHANNEL 55V - 0.0065 OHM - 80A TO-247 STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
71650STW81101Mehrband-RF-Frequenz-Synthesizer mit integrierten VCOsST Microelectronics
71651STW81101ATMehrband-RF-Frequenz-Synthesizer mit integrierten VCOsST Microelectronics
71652STW81101ATRMehrband-RF-Frequenz-Synthesizer mit integrierten VCOsST Microelectronics
71653STW81102Mehrband-RF-Frequenz-Synthesizer mit integrierten VCOsST Microelectronics
71654STW81102ATMehrband-RF-Frequenz-Synthesizer mit integrierten VCOsST Microelectronics
71655STW81103Mehrband-RF-Frequenz-Synthesizer mit integrierten VCOsST Microelectronics
71656STW81103ATMehrband-RF-Frequenz-Synthesizer mit integrierten VCOsST Microelectronics
71657STW81103ATRMehrband-RF-Frequenz-Synthesizer mit integrierten VCOsST Microelectronics
71658STW81200Wide Band Frac-Integer-N Integrated SynthesizerST Microelectronics
71659STW81200TWide Band Frac-Integer-N Integrated SynthesizerST Microelectronics
71660STW81200TRWide Band Frac-Integer-N Integrated SynthesizerST Microelectronics
71661STW82100BRF-Abwärtswandler mit eingebetteten Integer-N-SynthesizersST Microelectronics
71662STW82100BTRRF-Abwärtswandler mit eingebetteten Integer-N-SynthesizersST Microelectronics
71663STW82101BRF-Abwärtswandler mit eingebetteten Integer-N-SynthesizersST Microelectronics
71664STW82101BTRRF-Abwärtswandler mit eingebetteten Integer-N-SynthesizersST Microelectronics
71665STW82102BRF-Abwärtswandler mit eingebetteten Integer-N-SynthesizersST Microelectronics
71666STW82102BTRRF-Abwärtswandler mit eingebetteten Integer-N-SynthesizersST Microelectronics
71667STW82103BRF-Abwärtswandler mit eingebetteten Integer-N-SynthesizersST Microelectronics
71668STW82103BTRRF-Abwärtswandler mit eingebetteten Integer-N-SynthesizersST Microelectronics
71669STW88N65M5N-Kanal 650 V, 0.024 Ohm typ. 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247-GehäuseST Microelectronics
71670STW8NA60ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
71671STW8NA80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
71672STW8NB100N-CHANNEL 1000V - 1.3 OHM - 7.3A - TO-247 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
71673STW8NB80N-CHANNEL 800V - 1.2 OHM - 7A - TO-247 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
71674STW8NB90N-CHANNEL 900V - 1.1 OHM - 8A - TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
71675STW8NC70ZN-CHANNEL 700V 1.1 OHM7A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETST Microelectronics
71676STW8NC80ZN-CHANNEL 800V 1.3 OHM6.7A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETST Microelectronics
71677STW8NC90ZN-CHANNEL 900V 1.1OHM 7.6A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH IIIMOSFETST Microelectronics
71678STW8NK80ZN-CHANNEL 800V - 1.3 OHM - 6.2A TO-220/TO-220FP/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE MOSFETST Microelectronics
71679STW9N150N-Kanal-1500V - 2.2Ohm - 8A - TO-247ST Microelectronics
71680STW9NA60ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
71681STW9NA80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
71682STW9NB80N-CHANNEL 900V - 0.85 OHM - 9.3A - TO-247 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
71683STW9NB90N-CHANNEL 900V - 0.85 OHM - 9.7A - TO-247 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
71684STW9NC70ZN-CHANNEL 700V 0.90 OHM7.5A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETST Microelectronics
71685STW9NC80ZN-CHANNEL 800 V - 0.82 OHM - 9.4 A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MosfetST Microelectronics
71686STW9NK70ZN-CHANNEL 700V 1 ENERGIE MOSFET DES OHM-7.5A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
71687STW9NK90ZN-CHANNEL 900V 1.1 ENERGIE MOSFET DES OHM-8A TO-220 TO-220FP TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
71688STW9NK95ZN-Kanal 950 V, 1,15 Ohm typ., 7 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) Power MOSFET in einem TO-247-GehäuseST Microelectronics
71689STWA20N95K5N-Kanal 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5 Eine Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-247 lange Leitungen PaketST Microelectronics
71690STWA45N65M5N-Kanal 650 V, 0.067 Ohm typ. 35 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-247 lange Leitungen PaketST Microelectronics
71691STWA57N65M5N-Kanal 650 V, 0.056 Ohm typ. 42 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-247 lange Leitungen PaketST Microelectronics
71692STWA88N65M5N-Kanal 650 V, 0.024 Ohm typ. 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 lange Leitungen PaketST Microelectronics
71693STWD100WachhundST Microelectronics
71694STWD100NPWY3FWachhundST Microelectronics
71695STWD100NWWY3FWachhundST Microelectronics
71696STWD100NYWY3FWachhundST Microelectronics
71697STWD100PYW83FWachhundST Microelectronics
71698STWD100YNPWY3FWachhundST Microelectronics
71699STWD100YNWWY3FWachhundST Microelectronics
71700STWD100YNYWY3FWachhundST Microelectronics



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