1211 | 2SC3233 | Dreifache zerstreute Art getastetes Netzteil des Transistor-Silikon-NPN und Hochspannung-Schaltung Anwendungen Schnell-DC-DC Konverter-Anwendungen | TOSHIBA |
1212 | 2SC3257 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1213 | 2SC3257 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1214 | 2SC3257 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1215 | 2SC3258 | Epitaxial- Art Des Silikon-NPN | TOSHIBA |
1216 | 2SC3265 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Niederfrequenzendverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
1217 | 2SC3266 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
1218 | 2SC3267 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
1219 | 2SC3268 | Epitaxial- Planare Art VHF~UHF Band-Niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
1220 | 2SC3269 | Silikon-NPN-Transistor für Strobo Flash-Anwendungen und mittleren Leistungsverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
1221 | 2SC3279 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Röhrenblitz-Blitz-Anwendungen mittlere Endverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
1222 | 2SC3295 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Tonfrequenz-Verstärker-Anwendungen, die Anwendungen schalten | TOSHIBA |
1223 | 2SC3298 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1224 | 2SC3298 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1225 | 2SC3298 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1226 | 2SC3298B | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1227 | 2SC3298B | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1228 | 2SC3298B | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1229 | 2SC3299 | PROZESS DES SILIKON-NPNEPITAXIAL TYPE(PCT) | TOSHIBA |
1230 | 2SC3299 | PROZESS DES SILIKON-NPNEPITAXIAL TYPE(PCT) | TOSHIBA |
1231 | 2SC3299 | PROZESS DES SILIKON-NPNEPITAXIAL TYPE(PCT) | TOSHIBA |
1232 | 2SC3302 | EPITAXIAL- PLANARE ART VHF-UHF BAND-NIEDRIGE GERÄUSCH-VERSTÄRKER-ANWENDUNG DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1233 | 2SC3303 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) hohe gegenwärtige Schaltung Anwendungen DC-DC Konverter-Anwendungen | TOSHIBA |
1234 | 2SC3306 | NPN DREIFACHE ZERSTREUTE ART (GETASTETES NETZTEIL UND HOCHSPANNUNG, DIE SCHNELLDC-DC KONVERTER-ANWENDUNG SCHALTEN) | TOSHIBA |
1235 | 2SC3307 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN. SCHNELL- UND HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG ANWENDUNGEN. NETZTEIL-ANWENDUNGEN. SCHNELLDC-DC KONVERTER-ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
1236 | 2SC3309 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1237 | 2SC3309 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1238 | 2SC3309 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1239 | 2SC3310 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1240 | 2SC3310 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1241 | 2SC3310 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1242 | 2SC3324 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Tonfrequenz-niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
1243 | 2SC3325 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Tonfrequenz-niedrige Endverstärker-Anwendungen Treiberstufe Verstärker-Anwendungen, die Anwendungen schalten | TOSHIBA |
1244 | 2SC3326 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) für die daempfenden und zugeschalteten Anwendungen | TOSHIBA |
1245 | 2SC3327 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN FÜR DIE DAEMPFENDEN UND ZUGESCHALTETEN ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
1246 | 2SC3328 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
1247 | 2SC3329 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) für niedrige Geräusch-Audioverstärker-Anwendungen und empfohlen für die ersten Stadien MC der Hauptverstärker | TOSHIBA |
1248 | 2SC3333 | Dreifache zerstreute Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Hochspannungsschaltung Anwendungen Farbe Fernsehapparat Farbenreinheit-Ausgang Anwendungen | TOSHIBA |
1249 | 2SC3334 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG UND FARBE FERNSEHAPPARAT FARBENREINHEIT-OUTPUT-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
1250 | 2SC3345 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1251 | 2SC3345 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1252 | 2SC3345 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1253 | 2SC3346 | Epitaxial- Art Des Silikon-NPN/Stark Gegenwärtige Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
1254 | 2SC3376 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN. GETASTETES NETZTEIL UND HOCHSPANNUNG-SCHALTUNG ANWENDUNGEN. SCHNELLDC-DC KONVERTER-ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
1255 | 2SC3381 | NPN EPITAXIAL- ART (NIEDRIGE GERÄUSCH-AUDIOVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN EMPFOHLEN FÜR CASCODE/ GEGENWÄRTIGEN SPIEGEL-STROMKREIS DES ERSTEN STADIUMS DER VOR MAIN VERSTÄRKER) | TOSHIBA |
1256 | 2SC3405 | Dreifache zerstreute Art getastetes Netzteil des Transistor-Silikon-NPN und Hochspannung-Schaltung Anwendungen Schnell-DC-DC Konverter-Anwendungen | TOSHIBA |
1257 | 2SC3419 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) MITTLERE ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
1258 | 2SC3420 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) STROBO GRELLE ANWENDUNGEN MITTLERE ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
1259 | 2SC3421 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) TONFREQUENZ-ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
1260 | 2SC3422 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) TONFREQUENZ-ENDVERSTÄRKER-LANGSAME SCHALTUNG | TOSHIBA |
1261 | 2SC3423 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) TONFREQUENZ-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
1262 | 2SC3425 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) GETASTETES NETZTEIL UND HOCHSPANNUNG-SCHALTUNG ANWENDUNGEN, SCHNELLDC-DC KONVERTER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
1263 | 2SC3426 | NPN DREIFACHE ZERSTREUTE ART (GETASTETES NETZTEIL UND HOCHSPANNUNG, DIE SCHNELLDC-DC KONVERTER-ANWENDUNGEN SCHALTEN) | TOSHIBA |
1264 | 2SC3429 | Epitaxial- Planare Art VHF~UHF Band-Niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
1265 | 2SC3437 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) ultra Schnellschaltung Anwendungen Computer, Gegenanwendungen | TOSHIBA |
1266 | 2SC3474 | Epitaxial- Art Schaltung Anwendungen Solenoid-Antrieb Anwendungen Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
1267 | 2SC3474 | Epitaxial- Art Schaltung Anwendungen Solenoid-Antrieb Anwendungen Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
1268 | 2SC3497 | 6A; 30W; V (CEO): 400V; NPN-Transistor ist. Zum Schalten von Regulierung | TOSHIBA |
1269 | 2SC3515 | Dreifache zerstreute Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Hochspannungssteueranwendungen Plasmabildschirm, Nixie Schlauch-Treiber-Anwendungen Kathodenstrahlröhre-Helligkeitseinstellung-Anwendungen | TOSHIBA |
1270 | 2SC3547 | NPN EPITAXIAL- PLANARE ART (KOLLEKTOR DES FERNSEHAPPARAT TUNER-/UHF OSZILLATOR-APPLICATIONS)(COMMON) | TOSHIBA |
1271 | 2SC3547A | Epitaxial- planare Art Fernsehapparat Tuner, UHFOszillator-Anwendungen (Kollektorschaltung) desTransistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
1272 | 2SC3547B | Epitaxial- planare Art Fernsehapparat Tuner, UHFOszillator-Anwendungen (Kollektorschaltung) desTransistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
1273 | 2SC3559 | 3A; 30W; V (CEO): 800V; NPN-Transistor ist. Zum Schalten von Regulierung | TOSHIBA |
1274 | 2SC3560 | 2A; 20W; V (CEO): 400V; NPN-Transistor ist. Zum Schalten von Regulierung | TOSHIBA |
1275 | 2SC3561 | 2A; 20W; V (CEO): 400V; NPN-Transistor ist. Zum Schalten von Regulierung | TOSHIBA |
1276 | 2SC3562 | 10A; 40W; V (CEO): 400V; NPN-Transistor ist. Zum Schalten von Regulierung | TOSHIBA |
1277 | 2SC3563 | 10A; 40W; V (CEO): 450V; NPN-Transistor ist. Zum Schalten von Regulierung | TOSHIBA |
1278 | 2SC3605 | EPITAXIAL- PLANARE ART VHF~UHF BAND-NIEDRIGE GERÄUSCH-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1279 | 2SC3606 | Epitaxial- Planare Art VHF~UHF Band-Niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
1280 | 2SC3607 | Epitaxial- Planare Art VHF~UHF Band-Niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
1281 | 2SC3613 | EPITAXIAL- ART VIDEOANTRIEB STADIUM DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN HOHE AUFLÖSUNG ANZEIGE IN DEN SCHNELLSCHALTUNG ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
1282 | 2SC3619 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG UND VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN, FARBE FERNSEHAPPARAT HORIZONTALER TREIBER UND FARBE FERNSEHAPPARAT FARBENREINHEIT-OUTPUT-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
1283 | 2SC3620 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) FARBE FERNSEHAPPARAT HORIZONTAL UND FARBE FERNSEHAPPARAT FARBENREINHEIT-OUTPUT-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
1284 | 2SC3621 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) FARBE FERNSEHAPPARAT VERT. ABLENKUNG OUTPUT-UND FARBE Fernsehapparat KATEGORIE B STICHHALTIGE OUTPUT-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
1285 | 2SC3625 | 8A; 40W; V (CEO): 400V; NPN-Transistor ist. Zum Schalten von Regulierung | TOSHIBA |
1286 | 2SC3657 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN. GETASTETES NETZTEIL UND HOCHSPANNUNG-SCHALTUNG ANWENDUNGEN. SCHNELLDC-DC KONVERTER-ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
1287 | 2SC3665 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) AUDIOCENDVERSTÄRKER-UND ANTRIEB STADIUM VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
1288 | 2SC3666 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) AUDIOCENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
1289 | 2SC3668 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
1290 | 2SC3668 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
1291 | 2SC3669 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
1292 | 2SC3670 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) STOROBO GRELLE ANWENDUNGEN MITTLERE ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
1293 | 2SC3671 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN MITTLERE ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
1294 | 2SC3672 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) HOCHSPANNUNGSSTEUERANWENDUNGEN, PLASMABILDSCHIRM, NIXIE SCHLAUCH-TREIBER-ANWENDUNGEN, KATHODENSTRAHLRÖHRE-HELLIGKEITSEINSTELLUNG-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
1295 | 2SC3673 | EPITAXIAL- ART SCHALTUNG ANWENDUNGEN SOLENOID-ANTRIEB ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
1296 | 2SC3709 | NPN EPITAXIAL- ART (HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
1297 | 2SC3709 | NPN EPITAXIAL- ART (HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
1298 | 2SC3709A | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
1299 | 2SC3710 | NPN EPITAXIAL- ART (HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
1300 | 2SC3710A | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
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