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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
2801GT15M321ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2802GT15Q101ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2803GT15Q102ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2804GT15Q301ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2805GT15Q311ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2806GT20D101ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2807GT20D201ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNG Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-PTOSHIBA
2808GT20G101ISOLIERRÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN DES GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N-CHANNEL IGBTTOSHIBA
2809GT20G101(SM)ISOLIERRÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN DES GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N-CHANNEL IGBTTOSHIBA
2810GT20G101SMN FÜHRUNG IGBT (RÖHRENBLITZ-GRELLE ANWENDUNGEN)TOSHIBA



2811GT20G102ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGENTOSHIBA
2812GT20G102(SM)ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGENTOSHIBA
2813GT20G102SMN FÜHRUNG IGBT (RÖHRENBLITZ-GRELLE ANWENDUNGEN)TOSHIBA
2814GT20J101IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-NTOSHIBA
2815GT20J121IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2816GT20J301ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2817GT20J311ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2818GT20J321Isolierhohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N Chanenel IGBT, die Schnell Anwendungen SchaltenTOSHIBA
2819GT20J341Diskrete IGBTTOSHIBA
2820GT25G101ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGENTOSHIBA
2821GT25G101(SM)ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGENTOSHIBA
2822GT25G101SMN FÜHRUNG IGBT (RÖHRENBLITZ-GRELLE ANWENDUNGEN)TOSHIBA
2823GT25G102ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGENTOSHIBA
2824GT25G102(SM)ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGENTOSHIBA
2825GT25G102SMN FÜHRUNG IGBT (RÖHRENBLITZ-GRELLE ANWENDUNGEN)TOSHIBA
2826GT25J101IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-NTOSHIBA
2827GT25J102IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-NTOSHIBA
2828GT25Q101IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-NTOSHIBA
2829GT25Q102IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-NTOSHIBA
2830GT25Q301IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-NTOSHIBA
2831GT30J101IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-NTOSHIBA
2832GT30J121IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N, die Schnell Anwendungen SchaltenTOSHIBA
2833GT30J122Diskrete IGBTTOSHIBA
2834GT30J122AIGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2835GT30J126Diskrete IGBTTOSHIBA
2836GT30J301IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-NTOSHIBA
2837GT30J311IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-NTOSHIBA
2838GT30J322ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N Die 4. ERZEUGUNG GEGENWÄRTIGEN RESONANZ-INVERTER-SCHALTUNG ANWENDUNGENTOSHIBA
2839GT30J324IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N, die Schnell Anwendungen SchaltenTOSHIBA
2840GT30J341Diskrete IGBTTOSHIBA
2841GT35J321IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2842GT35MR21IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2843GT40G121IsolierFührung IGBT Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N Die 4. Erzeugung Gegenwärtigen Resonanz-Inverter-Schaltung AnwendungenTOSHIBA
2844GT40J121IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2845GT40J321IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2846GT40J322IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2847GT40J325IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2848GT40M101ISOLIERGATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON N CHANNEL IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGENTOSHIBA
2849GT40M301ISOLIERFührung MOS ART HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2850GT40Q321Einspritzung Erhöhte Führung IEGT Spannung Resonanz-Inverter-Schaltung Anwendung Des Gatter-Transistor-Silikon-NTOSHIBA
2851GT40Q322Spannung Resonanz-Inverter-Schaltung AnwendungTOSHIBA
2852GT40QR21IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2853GT40RR21IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2854GT40T101ISOLIERFührung MOS ART HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2855GT40T301IsolierFührung IGBT Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N Parallele Resonanz-Inverter-Schaltung AnwendungenTOSHIBA
2856GT40T321IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2857GT40WR21IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2858GT50G321IsolierFührung IGBT Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N Die 4. Erzeugung Gegenwärtigen Resonanz-Inverter-Schaltung AnwendungenTOSHIBA
2859GT50J102ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2860GT50J121IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N, die Schnell Anwendungen SchaltenTOSHIBA
2861GT50J301ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2862GT50J322ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N Die 4. ERZEUGUNG GEGENWÄRTIGEN RESONANZ-INVERTER-SCHALTUNG ANWENDUNGENTOSHIBA
2863GT50J325IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N, die Schnell Anwendungen SchaltenTOSHIBA
2864GT50J328Diskrete IGBTTOSHIBA
2865GT50J341Diskrete IGBTTOSHIBA
2866GT50J342Diskrete IGBTTOSHIBA
2867GT50JR21IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2868GT50JR22IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2869GT50MR21IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2870GT50N322AIGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2871GT50NR21IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2872GT5G102ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGENTOSHIBA
2873GT5G103ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGENTOSHIBA
2874GT5G131ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGENTOSHIBA
2875GT5G133IGBT für Strobe-BlitzTOSHIBA
2876GT5G134IGBT für Strobe-BlitzTOSHIBA
2877GT5J301ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2878GT5J311ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2879GT5J311(SM)ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2880GT5J331(SM)N FÜHRUNG IGBT(HIGH ENERGIE SCHALTUNG BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN)TOSHIBA
2881GT60J321IsolierFührung IGBT Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N Die 4. Erzeugung Weichen Schaltung AnwendungenTOSHIBA
2882GT60J322IsolierFührung IGBT Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N Die 4. Erzeugung Weichen Schaltung AnwendungenTOSHIBA
2883GT60J323IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2884GT60J323HDiskrete IGBTTOSHIBA
2885GT60M104IsolierFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-NTOSHIBA
2886GT60M301ISOLIERFührung MOS ART HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2887GT60M302ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2888GT60M303ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-NTOSHIBA
2889GT60M322TOSHIBA IsolierFührung IGBT Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-NTOSHIBA
2890GT60M323TOSHIBA IsolierFührung IGBT Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-NTOSHIBA
2891GT60M324IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2892GT60N321IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N Das 4. ErzeugungTOSHIBA
2893GT60PR21IGBT für weiche SchaltanwendungenTOSHIBA
2894GT80J101ISOLIERGATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON N CHANNEL MOS ART HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGENTOSHIBA
2895GT80J101AIsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-NTOSHIBA
2896GT8G103ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGENTOSHIBA
2897GT8G121ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGENTOSHIBA
2898GT8G131ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGENTOSHIBA
2899GT8G132ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGENTOSHIBA
2900GT8G151IGBT für Strobe-BlitzTOSHIBA



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