2811 | GT20G102 | ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2812 | GT20G102(SM) | ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2813 | GT20G102SM | N FÜHRUNG IGBT (RÖHRENBLITZ-GRELLE ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
2814 | GT20J101 | IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N | TOSHIBA |
2815 | GT20J121 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2816 | GT20J301 | ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N | TOSHIBA |
2817 | GT20J311 | ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N | TOSHIBA |
2818 | GT20J321 | Isolierhohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N Chanenel IGBT, die Schnell Anwendungen Schalten | TOSHIBA |
2819 | GT20J341 | Diskrete IGBT | TOSHIBA |
2820 | GT25G101 | ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2821 | GT25G101(SM) | ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2822 | GT25G101SM | N FÜHRUNG IGBT (RÖHRENBLITZ-GRELLE ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
2823 | GT25G102 | ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2824 | GT25G102(SM) | ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2825 | GT25G102SM | N FÜHRUNG IGBT (RÖHRENBLITZ-GRELLE ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
2826 | GT25J101 | IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N | TOSHIBA |
2827 | GT25J102 | IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N | TOSHIBA |
2828 | GT25Q101 | IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N | TOSHIBA |
2829 | GT25Q102 | IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N | TOSHIBA |
2830 | GT25Q301 | IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N | TOSHIBA |
2831 | GT30J101 | IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N | TOSHIBA |
2832 | GT30J121 | IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N, die Schnell Anwendungen Schalten | TOSHIBA |
2833 | GT30J122 | Diskrete IGBT | TOSHIBA |
2834 | GT30J122A | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2835 | GT30J126 | Diskrete IGBT | TOSHIBA |
2836 | GT30J301 | IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N | TOSHIBA |
2837 | GT30J311 | IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N | TOSHIBA |
2838 | GT30J322 | ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N Die 4. ERZEUGUNG GEGENWÄRTIGEN RESONANZ-INVERTER-SCHALTUNG ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2839 | GT30J324 | IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N, die Schnell Anwendungen Schalten | TOSHIBA |
2840 | GT30J341 | Diskrete IGBT | TOSHIBA |
2841 | GT35J321 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2842 | GT35MR21 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2843 | GT40G121 | IsolierFührung IGBT Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N Die 4. Erzeugung Gegenwärtigen Resonanz-Inverter-Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
2844 | GT40J121 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2845 | GT40J321 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2846 | GT40J322 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2847 | GT40J325 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2848 | GT40M101 | ISOLIERGATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON N CHANNEL IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2849 | GT40M301 | ISOLIERFührung MOS ART HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N | TOSHIBA |
2850 | GT40Q321 | Einspritzung Erhöhte Führung IEGT Spannung Resonanz-Inverter-Schaltung Anwendung Des Gatter-Transistor-Silikon-N | TOSHIBA |
2851 | GT40Q322 | Spannung Resonanz-Inverter-Schaltung Anwendung | TOSHIBA |
2852 | GT40QR21 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2853 | GT40RR21 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2854 | GT40T101 | ISOLIERFührung MOS ART HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N | TOSHIBA |
2855 | GT40T301 | IsolierFührung IGBT Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N Parallele Resonanz-Inverter-Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
2856 | GT40T321 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2857 | GT40WR21 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2858 | GT50G321 | IsolierFührung IGBT Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N Die 4. Erzeugung Gegenwärtigen Resonanz-Inverter-Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
2859 | GT50J102 | ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N | TOSHIBA |
2860 | GT50J121 | IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N, die Schnell Anwendungen Schalten | TOSHIBA |
2861 | GT50J301 | ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N | TOSHIBA |
2862 | GT50J322 | ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N Die 4. ERZEUGUNG GEGENWÄRTIGEN RESONANZ-INVERTER-SCHALTUNG ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2863 | GT50J325 | IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N, die Schnell Anwendungen Schalten | TOSHIBA |
2864 | GT50J328 | Diskrete IGBT | TOSHIBA |
2865 | GT50J341 | Diskrete IGBT | TOSHIBA |
2866 | GT50J342 | Diskrete IGBT | TOSHIBA |
2867 | GT50JR21 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2868 | GT50JR22 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2869 | GT50MR21 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2870 | GT50N322A | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2871 | GT50NR21 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2872 | GT5G102 | ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2873 | GT5G103 | ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2874 | GT5G131 | ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2875 | GT5G133 | IGBT für Strobe-Blitz | TOSHIBA |
2876 | GT5G134 | IGBT für Strobe-Blitz | TOSHIBA |
2877 | GT5J301 | ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N | TOSHIBA |
2878 | GT5J311 | ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N | TOSHIBA |
2879 | GT5J311(SM) | ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N | TOSHIBA |
2880 | GT5J331(SM) | N FÜHRUNG IGBT(HIGH ENERGIE SCHALTUNG BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
2881 | GT60J321 | IsolierFührung IGBT Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N Die 4. Erzeugung Weichen Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
2882 | GT60J322 | IsolierFührung IGBT Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N Die 4. Erzeugung Weichen Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
2883 | GT60J323 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2884 | GT60J323H | Diskrete IGBT | TOSHIBA |
2885 | GT60M104 | IsolierFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N | TOSHIBA |
2886 | GT60M301 | ISOLIERFührung MOS ART HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N | TOSHIBA |
2887 | GT60M302 | ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N | TOSHIBA |
2888 | GT60M303 | ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N | TOSHIBA |
2889 | GT60M322 | TOSHIBA IsolierFührung IGBT Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N | TOSHIBA |
2890 | GT60M323 | TOSHIBA IsolierFührung IGBT Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N | TOSHIBA |
2891 | GT60M324 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2892 | GT60N321 | IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N Das 4. Erzeugung | TOSHIBA |
2893 | GT60PR21 | IGBT für weiche Schaltanwendungen | TOSHIBA |
2894 | GT80J101 | ISOLIERGATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON N CHANNEL MOS ART HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2895 | GT80J101A | IsolierFührung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des GATTER-Zweipolige Transistor-Silikon-N | TOSHIBA |
2896 | GT8G103 | ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2897 | GT8G121 | ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2898 | GT8G131 | ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2899 | GT8G132 | ISOLIERFührung IGBT Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
2900 | GT8G151 | IGBT für Strobe-Blitz | TOSHIBA |
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