3311 | MIG20J806HA | Silikon-N-Kanal-IGBT-Modul integriert für Hochleistungsschalt, Motorsteuerungsanwendungen | TOSHIBA |
3312 | MIG300J101H | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3313 | MIG300J2CSB1W | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3314 | MIG300Q101H | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3315 | MIG300Q2CMB1X | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3316 | MIG30J103H | FÜHRUNG LGBT Des TOSHIBA INTELLIGENTE ENERGIE MODUL-SILIKON-N | TOSHIBA |
3317 | MIG30J106L | Bewegungssteueranwendungen | TOSHIBA |
3318 | MIG30J901 | INTEGRIERTES GTR MODUL | TOSHIBA |
3319 | MIG30J901H | INTEGRIERTES GTR MODUL | TOSHIBA |
3320 | MIG30J951H | INTEGRIERTES GTR MODUL | TOSHIBA |
3321 | MIG400J101H | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3322 | MIG400J2CSB1W | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3323 | MIG400Q2CMB1X | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3324 | MIG50J101H | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3325 | MIG50J201H | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3326 | MIG50J201HC | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3327 | MIG50J6CSB1W | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3328 | MIG50J7CSB1W | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3329 | MIG50Q201H | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3330 | MIG50Q6CSB1X | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3331 | MIG50Q7CSB1X | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3332 | MIG600J2CMB1W | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3333 | MIG75J101H | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3334 | MIG75J201H | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3335 | MIG75J6CSB1W | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3336 | MIG75J7CSB1W | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3337 | MIG75Q201H | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3338 | MIG75Q202H | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3339 | MIG75Q6CSB1X | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3340 | MIG75Q7CSB1X | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3341 | MP4005 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN&PNP (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3342 | MP4006 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN&PNP (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3343 | MP4009 | Dreifache zerstreute Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-PNP (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb. Induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3344 | MP4013 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3345 | MP4015 | Dreifache zerstreute Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb. Induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3346 | MP4020 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3347 | MP4021 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3348 | MP4024 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3349 | MP4025 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (darlington Energie Transistor 4 1) im hohe Energie Schaltung Anwendungen Hammer-Antrieb, im Impuls-Bewegungs-Antrieb und in der induktive Belastung Schaltung | TOSHIBA |
3350 | MP4101 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb. Induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3351 | MP4104 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3352 | MP4202 | FÜHRUNG MOS ART Des ENERGIE MOS Fet MODUL-SILIKON-N | TOSHIBA |
3353 | MP4203 | FÜHRUNG MOS ART Des TOSHIBA ENERGIE MOS Fet MODUL-SILIKON-P | TOSHIBA |
3354 | MP4207 | N U. P FÜHRUNG MOS ART (HOHE ENERGIE SCHNELLSCHALTUNG ANWENDUNGEN, H - SCHALTEN Sie TREIBER) | TOSHIBA |
3355 | MP4208 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-P (L2-pi-MOSV 4 1) hohe Energie in den Schnellschaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3356 | MP4209 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) hohe Energie in den Schnellschaltung Anwendungen. Für Drucker-Kopf-Stift Treiber und Impuls-Bewegungstreiber für Solenoid-Treiber | TOSHIBA |
3357 | MP4210 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) in der hohen Energie, Schnellschaltung Anwendungen für Drucker-Kopf-Stift Treiber und Impuls-Bewegungstreiber für Solenoid-Treiber | TOSHIBA |
3358 | MP4211 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) in der hohen Energie, Schnellschaltung Anwendungen für Drucker-Kopf-Stift Treiber und Impuls-Bewegungstreiber für Solenoid-Treiber | TOSHIBA |
3359 | MP4212 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N&P (L2-pi-MOSV 4 1) hohe Energie im Schnellschaltung Anwendungen H-Schalter Treiber | TOSHIBA |
3360 | MP4301 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3361 | MP4303 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3362 | MP4304 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (hoher Gewinenergie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3363 | MP4305 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-PNP (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3364 | MP4403 | FÜHRUNG MOS ART Des TOSHIBA ENERGIE MOS Fet MODUL-SILIKON-N | TOSHIBA |
3365 | MP4410 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) in der hohen Energie, Schnellschaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3366 | MP4411 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) in der hohen Energie, Schnellschaltung Anwendungen für Drucker-Kopf-Stift Treiber und Impuls-Bewegungstreiber für Solenoid-Treiber | TOSHIBA |
3367 | MP4412 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) in der hohen Energie, Schnellschaltung Anwendungen für Drucker-Kopf-Stift Treiber und Impuls-Bewegungstreiber für Solenoid-Treiber | TOSHIBA |
3368 | MP4501 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3369 | MP4502 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3370 | MP4503 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN&PNP (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3371 | MP4504 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-PNP (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3372 | MP4506 | Dreifache zerstreute Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3373 | MP4507 | Energie Transistor-Modul-Silikon-Dreiergruppe zerstreute Art (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3374 | MP4508 | Dreifache zerstreute Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-PNP (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3375 | MP4513 | Dreifache zerstreute Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3376 | MP4514 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3377 | MP4703 | FÜHRUNG MOS ART Des ENERGIE MOS Fet MODUL-SILIKON-N | TOSHIBA |
3378 | MP4711 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) in der hohen Energie, Schnellschaltung Anwendungen für Drucker-Kopf-Stift Treiber und Impuls-Bewegungstreiber für Solenoid-Treiber | TOSHIBA |
3379 | MP6301 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN&PNP (Darlington Energie Transistor 6 1) im hohe Energie Schaltung Anwendungen 3-Phase Bewegungs-Antrieb und im zweipoligen Antrieb des Impuls-Motors | TOSHIBA |
3380 | MP6403 | HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNG 3 PHASE MOTOR UND ZWEIPOLIGER ANTRIEB DES IMPULS-MOTORS | TOSHIBA |
3381 | MP6404 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N&P (L2-pi-MOSV 6 1) hohe Energie im Schnellschaltung Anwendungen 3-Phase Bewegungs-Antrieb und in den Schrittmotorantrieb-Anwendungen | TOSHIBA |
3382 | MP6501 | NPN DREIFACHE ZERSTREUTE ART (HOHE ENERGIE SCHALTUNG, BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
3383 | MP6501A | NPN DREIFACHE ZERSTREUTE ART (HOHE ENERGIE SCHALTUNG, BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
3384 | MP6750 | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3385 | MP6752 | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3386 | MP6754 | Intelligente Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Energie Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3387 | MP6757 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3388 | MP6759 | GTR Führung IGBT Bewegungssteueranwendungen Hohe Energie Schaltung Anwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
3389 | MP6801 | Energie MOS Fet Modul-Silikon N/P Führung MOS Art | TOSHIBA |
3390 | MP6901 | Energie Transistor-Modul-Silikon-Epitaxial- Art (Darlington Energie Transistor 6 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
3391 | MP7001 | Energie Modul | TOSHIBA |
3392 | MP7002 | Energie Modul | TOSHIBA |
3393 | MP7003 | Energie Modul | TOSHIBA |
3394 | MT3S03AS | EPITAXIAL- PLANARE ART VHF~UHF BAND-NIEDRIGE GERÄUSCH-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
3395 | MT3S03AT | EPITAXIAL- PLANARE ART VHF~UHF BAND-NIEDRIGE GERÄUSCH-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
3396 | MT3S03AU | EPITAXIAL- PLANARE ART VHF~UHF BAND-NIEDRIGE GERÄUSCH-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
3397 | MT3S04AS | EPITAXIAL- PLANARE ART VHF~UHF BAND-NIEDRIGE GERÄUSCH-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
3398 | MT3S04AT | EPITAXIAL- PLANARE ART VHF~UHF BAND-NIEDRIGE GERÄUSCH-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
3399 | MT3S04AU | EPITAXIAL- PLANARE ART VHF~UHF BAND-NIEDRIGE GERÄUSCH-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
3400 | MT3S05T | EPITAXIAL- PLANARE ART VHF~UHF BAND-NIEDRIGE GERÄUSCH-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
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