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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
7701TC554001FTL-70DES STATIC-524.288 RAM WÖRTERX 8BITTOSHIBA
7702TC554001FTL-70LDES STATIC-524.288 RAM WÖRTERX 8BITTOSHIBA
7703TC554001FTL-70LDES STATIC-524.288 RAM WÖRTERX 8BITTOSHIBA
7704TC554001FTL-70V524, 288 Worte x 8 Bit statisches RAM, Zugriffszeit 70nsTOSHIBA
7705TC554001FTL-85DES STATIC-524.288 RAM WÖRTERX 8BITTOSHIBA
7706TC554001FTL-85DES STATIC-524.288 RAM WÖRTERX 8BITTOSHIBA
7707TC554001FTL-85V524, 288 Worte x 8 Bit statisches RAM, Zugriffszeit 85nsTOSHIBA
7708TC554161ASRAM - Niedrige EnergieTOSHIBA
7709TC554161A-VSRAM - Niedrige EnergieTOSHIBA
7710TC554161AFT-10262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA



7711TC554161AFT-10L262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7712TC554161AFT-10V262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7713TC554161AFT-70262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7714TC554161AFT-70L262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7715TC554161AFT-70V262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7716TC554161AFT-85262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7717TC554161AFT-85L262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7718TC554161AFT-85V262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7719TC554161AFTI-10262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7720TC554161AFTI-10L262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7721TC554161AFTI-70262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7722TC554161AFTI-70L262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7723TC554161AFTI-85262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7724TC554161AFTI-85L262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7725TC554161AISRAM - Niedrige EnergieTOSHIBA
7726TC554161FTI-10262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7727TC554161FTI-10262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7728TC554161FTI-10L262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7729TC554161FTI-10L262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7730TC554161FTI-85262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7731TC554161FTI-85262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7732TC554161FTI-85L262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7733TC554161FTI-85L262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7734TC554161FTL262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7735TC554161FTL262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7736TC554161FTL-10262, 144-Wort mit 16 Bit statisches RAM, Zugriffszeit 100 nsTOSHIBA
7737TC554161FTL-10L262.144-WORD DURCH 16 BITSTATIC-RAMTOSHIBA
7738TC554161FTL-10L262.144-WORD DURCH 16 BITSTATIC-RAMTOSHIBA
7739TC554161FTL-10V262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7740TC554161FTL-10V262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7741TC554161FTL-70262, 144-Wort mit 16 Bit statisches RAM, Zugriffszeit 70nsTOSHIBA
7742TC554161FTL-70L262.144-WORD DURCH 16 BITSTATIC-RAMTOSHIBA
7743TC554161FTL-70L262.144-WORD DURCH 16 BITSTATIC-RAMTOSHIBA
7744TC554161FTL-70V262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7745TC554161FTL-70V262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7746TC554161FTL-85262, 144-Wort mit 16 Bit statisches RAM, Zugriffszeit 85nsTOSHIBA
7747TC554161FTL-85L262.144-WORD DURCH 16 BITSTATIC-RAMTOSHIBA
7748TC554161FTL-85L262.144-WORD DURCH 16 BITSTATIC-RAMTOSHIBA
7749TC554161FTL-85V262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7750TC554161FTL-85V262.144-WORD DURCH 16-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7751TC55465AJ-1515ns; 120mA; V (cc): -0,1 bis + 7 V; V (in / out); -2,0 Bis + 7,0 V; 1W; Silizium-CMOS verderbliche 65.536 Wörter x 4 Bit CMOS Static RAMTOSHIBA
7752TC55465AJ-2020ns; 100mA; V (cc): -0,1 bis + 7 V; V (in / out); -2,0 Bis + 7,0 V; 1W; Silizium-CMOS verderbliche 65.536 Wörter x 4 Bit CMOS Static RAMTOSHIBA
7753TC55465AJ-2525ns; 100mA; V (cc): -0,1 bis + 7 V; V (in / out); -2,0 Bis + 7,0 V; 1W; Silizium-CMOS verderbliche 65.536 Wörter x 4 Bit CMOS Static RAMTOSHIBA
7754TC55465AJ-3535ns; 100mA; V (cc): -0,1 bis + 7 V; V (in / out); -2,0 Bis + 7,0 V; 1W; Silizium-CMOS verderbliche 65.536 Wörter x 4 Bit CMOS Static RAMTOSHIBA
7755TC55465AP-2020ns; 120mA; V (cc): -0,1 bis + 7 V; V (in / out); -2,0 Bis + 7,0 V; 1W; Silizium-CMOS verderbliche 65.536 Wörter x 4 Bit CMOS Static RAMTOSHIBA
7756TC55465AP-2525ns; 120mA; V (cc): -0,1 bis + 7 V; V (in / out); -2,0 Bis + 7,0 V; 1W; Silizium-CMOS verderbliche 65.536 Wörter x 4 Bit CMOS Static RAMTOSHIBA
7757TC55465AP-3535ns; 120mA; V (cc): -0,1 bis + 7 V; V (in / out); -2,0 Bis + 7,0 V; 1W; Silizium-CMOS verderbliche 65.536 Wörter x 4 Bit CMOS Static RAMTOSHIBA
7758TC5564AFL-158.192 WORD X 8 BITCMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7759TC5564AFL-158.192 WORD X 8 BITCMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7760TC5564AFL-208.192 WORD X 8 BITCMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7761TC5564AFL-208.192 WORD X 8 BITCMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7762TC5564APL-15-0,3 Bis 7V; 1W; 150ns; 8192 Wort x 8bit MOS statisches RAMTOSHIBA
7763TC5564APL-208.192 WORD X 8 BITCMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7764TC5564APL-208.192 WORD X 8 BITCMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7765TC5565AFL-10statischer RAM mit 65.536 Bits organisiert als 8.192 Wörter durch 8 Bits mit CMOS TechnologieTOSHIBA
7766TC5565AFL-10statischer RAM mit 65.536 Bits organisiert als 8.192 Wörter durch 8 Bits mit CMOS TechnologieTOSHIBA
7767TC5565AFL-12statischer RAM mit 65.536 Bits organisiert als 8.192 Wörter durch 8 Bits mit CMOS TechnologieTOSHIBA
7768TC5565AFL-12statischer RAM mit 65.536 Bits organisiert als 8.192 Wörter durch 8 Bits mit CMOS TechnologieTOSHIBA
7769TC5565AFL-15statischer RAM mit 65.536 Bits organisiert als 8.192 Wörter durch 8 Bits mit CMOS TechnologieTOSHIBA
7770TC5565AFL-15statischer RAM mit 65.536 Bits organisiert als 8.192 Wörter durch 8 Bits mit CMOS TechnologieTOSHIBA
7771TC5565APLstatischer RAM mit 65.536 Bits organisiert als 8.192 Wörter durch 8 Bits mit CMOS TechnologieTOSHIBA
7772TC5565APLstatischer RAM mit 65.536 Bits organisiert als 8.192 Wörter durch 8 Bits mit CMOS TechnologieTOSHIBA
7773TC5565APL-10statischer RAM mit 65.536 Bits organisiert als 8.192 Wörter durch 8 Bits mit CMOS TechnologieTOSHIBA
7774TC5565APL-10statischer RAM mit 65.536 Bits organisiert als 8.192 Wörter durch 8 Bits mit CMOS TechnologieTOSHIBA
7775TC5565APL-12statischer RAM mit 65.536 Bits organisiert als 8.192 Wörter durch 8 Bits mit CMOS TechnologieTOSHIBA
7776TC5565APL-12statischer RAM mit 65.536 Bits organisiert als 8.192 Wörter durch 8 Bits mit CMOS TechnologieTOSHIBA
7777TC5565APL-15statischer RAM mit 65.536 Bits organisiert als 8.192 Wörter durch 8 Bits mit CMOS TechnologieTOSHIBA
7778TC5565APL-15statischer RAM mit 65.536 Bits organisiert als 8.192 Wörter durch 8 Bits mit CMOS TechnologieTOSHIBA
7779TC558128AJ131.072-WORD DURCH 8-BIT CMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7780TC558128AJ131.072-WORD DURCH 8-BIT CMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7781TC558128AJ-15131.072-WORD DURCH 8-BIT CMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7782TC558128AJ-15131.072-WORD DURCH 8-BIT CMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7783TC558128AJ-20131.072-Wort von 8-Bit-CMOS-SRAM, Zugriffszeit 20nsTOSHIBA
7784TC558128BFT-12131.072-WORD DURCH 8-BIT CMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7785TC558128BFT-12131.072-WORD DURCH 8-BIT CMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7786TC558128BFT-15131.072-WORD DURCH 8-BIT CMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7787TC558128BFT-15131.072-WORD DURCH 8-BIT CMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7788TC558128BJ131.072-WORD DURCH 8-BIT CMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7789TC558128BJ131.072-WORD DURCH 8-BIT CMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7790TC558128BJ-12131.072-WORD DURCH 8-BIT CMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7791TC558128BJ-12131.072-WORD DURCH 8-BIT CMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7792TC558128BJ-15131.072-WORD DURCH 8-BIT CMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7793TC558128BJ-15131.072-WORD DURCH 8-BIT CMOS STATIC-RAMTOSHIBA
7794TC55NEM208ASRAM - Niedrige EnergieTOSHIBA
7795TC55NEM208A-VSRAM - Niedrige EnergieTOSHIBA
7796TC55NEM208AFPNVORLÄUFIGES TOSHIBA MOS DIGITAL SCHALTUNG-SILIKON-GATTER CMOSTOSHIBA
7797TC55NEM208AFPNVORLÄUFIGES TOSHIBA MOS DIGITAL SCHALTUNG-SILIKON-GATTER CMOSTOSHIBA
7798TC55NEM208AFPN55524.288-WORD DURCH 8-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7799TC55NEM208AFPN70524.288-WORD DURCH 8-BIT STATIC RAMTOSHIBA
7800TC55NEM208AFTNVORLÄUFIGES TOSHIBA MOS DIGITAL SCHALTUNG-SILIKON-GATTER CMOSTOSHIBA



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