| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1029841 | Q62702-F1250 | Transistor del RF del silicio de NPN (especialmente conveniente para los amplificadores y los sintonizadores TV-sentados) | Siemens |
| 1029842 | Q62702-F1271 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha high-gain en las corrientes de colector de 0.5mA a 12mA) | Siemens |
| 1029843 | Q62702-F1282 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores high-gain hasta 2GHz para los amplificadores de banda ancha lineares) | Siemens |
| 1029844 | Q62702-F1287 | Transistores del RF del silicio de NPN (convenientes para el emisor común RF, SI capacitancia baja del collector-base de los amplificadores debido a la difusión del protector del contacto) | Siemens |
| 1029845 | Q62702-F1291 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores high-gain hasta 2GHz para los amplificadores de banda ancha lineares) | Siemens |
| 1029846 | Q62702-F1292 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha de la distorsión baja en antena y las telecomunicaciones) | Siemens |
| 1029847 | Q62702-F1296 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de baja potencia en paginador móvil de los sistemas de comunicación en las corrientes de colector de 0.2mA a 2.5mA) | Siemens |
| 1029848 | Q62702-F1298 | Transistor del RF del silicio de NPN para (el ruido bajos, amplificadores de baja potencia en sistemas de comunicación móviles) | Siemens |
| 1029849 | Q62702-F1303 | Transistores de alto voltaje del silicio de NPN (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1029850 | Q62702-F1304 | Transistores de alto voltaje del silicio de PNP (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1029851 | Q62702-F1305 | Transistores de alto voltaje del silicio de PNP (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1029852 | Q62702-F1306 | Transistores de alto voltaje del silicio de NPN (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1029853 | Q62702-F1309 | Transistores de alto voltaje del silicio de PNP (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1029854 | Q62702-F1312 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores high-gain hasta 2GHz para los amplificadores de banda ancha lineares) | Siemens |
| 1029855 | Q62702-F1314 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha high-gain en las corrientes de colector a partir de 0,5 mA a 12mA) | Siemens |
| 1029856 | Q62702-F1315 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha high-gain en las corrientes de colector de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 1029857 | Q62702-F1316 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha high-gain en la corriente de colector a partir de 2 mA a 30mA) | Siemens |
| 1029858 | Q62702-F1320 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha de la distorsión baja en antena y las telecomunicaciones) | Siemens |
| 1029859 | Q62702-F1321 | Transistor del RF del silicio de PNP (para los amplificadores de banda ancha de la distorsión baja en antena y telecomunicaciones) | Siemens |
| 1029860 | Q62702-F1322 | Transistor del RF del silicio de NPN (para las etapas de banda ancha del amplificador de la salida de la bajo-distorsio'n en antena y telecomunicaciones) | Siemens |
| 1029861 | Q62702-F133 | Transistores Planar Del Silicio de NPN | Siemens |
| 1029862 | Q62702-F134 | Transistores Planar Del Silicio de NPN | Siemens |
| 1029863 | Q62702-F1346 | Transistor del RF del silicio de PNP (para los amplificadores de banda ancha de la distorsión baja en antena y telecomunicaciones) | Siemens |
| 1029864 | Q62702-F1347 | Transistor del RF del silicio de PNP (para los amplificadores de banda ancha de la distorsión baja en antena y los sistemas de las telecomunicaciones hasta 1,5 gigahertz en las corrientes de colector) | Siemens |
| 1029865 | Q62702-F135 | Transistores Planar Del Silicio de NPN | Siemens |
| 1029866 | Q62702-F1359 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha de la distorsión baja en antena) | Siemens |
| 1029867 | Q62702-F137 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1029868 | Q62702-F1372 | Triodo del FET del MOS del canal del silicio N (para el RF efectúa hasta 300 megaciclos preferiblemente en usos de FM) | Siemens |
| 1029869 | Q62702-F1377 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de baja potencia en paginador móvil de los sistemas de comunicación en las corrientes de colector a partir de la 0,2 a 2.5mA) | Siemens |
| 1029870 | Q62702-F1378 | Transistor del RF del silicio de NPN para (el ruido bajos, amplificadores de baja potencia en sistemas de comunicación móviles) | Siemens |
| 1029871 | Q62702-F1382 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha high-gain en las corrientes de colector a partir de 2 mA a 30 mA) | Siemens |
| 1029872 | Q62702-F1391 | GaAs MMIC (Fet Dual En polarización negativa Del GaAs De la Puerta) | Siemens |
| 1029873 | Q62702-F1393 | Fet del GaAs (alto aumento del ruido bajo para los amplificadores de poco ruido del extremo delantero para de DBS los convertidores abajo) | Siemens |
| 1029874 | Q62702-F1394 | Fet del GaAs (alto aumento del ruido bajo para los amplificadores de poco ruido del extremo delantero para de DBS los convertidores abajo) | Siemens |
| 1029875 | Q62702-F1396 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha high-gain en las corrientes de colector de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 1029876 | Q62702-F1426 | TRANSISTOR DEL RF DEL SILICIO DE NPN (PARA LOS CONVERTIDORES DE FRECUENCIA DE UHF/VHF Y LOS OSCILADORES LOCALES) | Siemens |
| 1029877 | Q62702-F1432 | Transistor del RF del silicio de NPN (para las etapas de banda ancha del amplificador de la salida de la bajo-distorsio'n en antena y telecomunicaciones) | Siemens |
| 1029878 | Q62702-F1487 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, el alto aumento controló etapas de la entrada hasta red diagonal estabilizada integrada 12V del voltaje de funcionamiento del 1GHz | Siemens |
| 1029879 | Q62702-F1488 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de banda ancha y los osciladores de la distorsión baja hasta 2GHz en las corrientes de colector de 0.5mA a 20mA) | Siemens |
| 1029880 | Q62702-F1489 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de banda ancha y los osciladores de la distorsión baja hasta 2GHz en las corrientes de colector a partir de 5 mA a 30 mA) | Siemens |
| | | |
