| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1030001 | Q62702-F664 | TRANSISTORES DEL RF DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1030002 | Q62702-F678 | TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 1030003 | Q62702-F704 | Diodo de la conmutación del silicio (para la alta conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 1030004 | Q62702-F721 | Transistores del silicio de NPN (alto voltaje de interrupción l voltaje bajo de la saturación del collector-emitter) | Siemens |
| 1030005 | Q62702-F722 | Transistores del silicio de PNP (alto voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del voltaje de interrupción) | Siemens |
| 1030006 | Q62702-F739 | Diodo de la conmutación del silicio (para la alta conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 1030007 | Q62702-F774 | Transistor del RF del silicio de NPN (para de poco ruido SI y los amplificadores de banda ancha en antena y los sistemas de las telecomunicaciones en las corrientes de colector de 2mA a 20mA) | Siemens |
| 1030008 | Q62702-F775 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de banda ancha hasta 2 gigahertz e interruptores no saturados rápidos en las corrientes de colector a partir de 1 mA a 20 mA.) | Siemens |
| 1030009 | Q62702-F776 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de banda ancha de la bajo-distorsio'n hasta 2 gigahertz en las corrientes de colector a partir de 10 mA a 30 mA.) | Siemens |
| 1030010 | Q62702-F788 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de poco ruido en la gama del gigahertz, y usos análogos y digitales de banda ancha) | Siemens |
| 1030011 | Q62702-F803 | Transistor del RF del silicio de PNP (para los amplificadores de banda ancha hasta 2 gigahertz en las corrientes de colector a partir de 5 mA a 30 mA.) | Siemens |
| 1030012 | Q62702-F804 | Transistor del RF del silicio de PNP (para los amplificadores de banda ancha hasta 2 gigahertz en las corrientes de colector hasta 20 mA.) | Siemens |
| 1030013 | Q62702-F869 | Transistor del RF del silicio de PNP (para los OSCILADORES, los MEZCLADORES Y LAS ETAPAS Uno mismo-oscilantes del MEZCLADOR EN LOS SINTONIZADORES de frecuencia ultraelevada de la TV) | Siemens |
| 1030014 | Q62702-F884 | Transistores de alto voltaje del silicio de PNP (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1030015 | Q62702-F885 | Transistores de alto voltaje del silicio de NPN (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1030016 | Q62702-F935 | TRANSISTOR del RF del SILICIO de NPN (para los usos de banda ancha lineares del amplificador conductor del filtro de la SIERRA de hasta 500 megaciclos en sintonizadores de la TV) | Siemens |
| 1030017 | Q62702-F936 | Tetrodo del MOSFET del canal del silicio N (para las etapas de la entrada y del mezclador en sintonizadores de FM y del VHF TV) | Siemens |
| 1030018 | Q62702-F938 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de banda ancha y los osciladores de la distorsión baja hasta 2GHz en las corrientes de colector de 0.5mA a 20mA) | Siemens |
| 1030019 | Q62702-F940 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de banda ancha hasta 1GHz en las corrientes de colector de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 1030020 | Q62702-F944 | Transistor del RF del silicio de PNP (para las etapas comunes del amplificador del emisor hasta 300 megaciclos para los usos del mezclador en radios de AM/FM y sintonizadores del VHF TV) | Siemens |
| 1030021 | Q62702-F976 | Transistores de alto voltaje del silicio de NPN (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1030022 | Q62702-F977 | Transistores de alto voltaje del silicio de PNP (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1030023 | Q62702-F979 | Transistor del RF del silicio de NPN (capacitancia de regeneración baja del amplificador común del emisor IF/RF debido a la difusión del protector) | Siemens |
| 1030024 | Q62702-F982 | Transistor del RF del silicio de PNP (para los usos del oscilador del VHF) | Siemens |
| 1030025 | Q62702-G0041 | MMIC-Amplificador bipolar del silicio (50 cascadable W-ganan aumento típico del DB del bloque 9 en 1,0 el dBm P-1dB típico del gigahertz 9 en 1,0 la DB-anchura de banda del gigahertz 3: C.C. a 2,4 gigahertz) | Siemens |
| 1030026 | Q62702-G0042 | MMIC-Amplificador bipolar del silicio (50 cascadable W-ganan aumento típico del DB del bloque 11 en 1,0 el dBm P-1dB típico del gigahertz 9 en 1,0 gigahertz) | Siemens |
| 1030027 | Q62702-G0043 | MMIC-Amplificador bipolar del silicio (50 cascadable W-ganan aumento típico del DB del bloque 16 en 1,0 el dBm P-1dB típico del gigahertz 12 en 1,0 gigahertz) | Siemens |
| 1030028 | Q62702-G0057 | Silicio-MMIC-Amplifierin SIEGET 25-Technologie (50 cascadable ¥Ø-ganan el bloque incondicional estable) | Siemens |
| 1030029 | Q62702-G0058 | Silicio-MMIC-Amplificador en SIEGET 25-Technologie (casc de funcionamientos múltiples. bloque LNA/MEZCLA del Ø de 50 ¥ incondicional estable) | Siemens |
| 1030030 | Q62702-G0067 | Silicio-MMIC-Amplificador en SIEGET 25-Technologie (50 cascadable W-ganan el bloque incondicional estable) | Siemens |
| 1030031 | Q62702-G0071 | GaAs MMIC (MMIC-Amplificador variable del amplificador del aumento para la gama móvil 50dB excesivo del control del aumento de la comunicación) | Siemens |
| 1030032 | Q62702-G38 | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (viruta alta del diodo del interruptor de la velocidad de la configuración del puente) | Siemens |
| 1030033 | Q62702-G44 | GaAs MMIC (MMIC-Amplificador monolítico del IC de la microonda para la comunicación móvil) | Siemens |
| 1030034 | Q62702-K0047 | NEU: 2fach-Silizium-PIN-Fotodiode en SMT NUEVO: fotodiodo del PERNO del silicio 2-Chip en SMT | Siemens |
| 1030035 | Q62702-K34 | Arsenal Del Fotodiodo del PERNO Del Silicio De 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip | Siemens |
| 1030036 | Q62702-K35 | Arsenal Del Fotodiodo del PERNO Del Silicio De 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip | Siemens |
| 1030037 | Q62702-K8 | Arsenal Del Fotodiodo Del Silicio De 3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip | Siemens |
| 1030038 | Q62702-L90 | Fet del GaAs (amplificador de energía para los teléfonos móviles para las frecuencias a partir de 400 megaciclos a 2,5 gigahertz) | Siemens |
| 1030039 | Q62702-L94 | Fet del GaAs (amplificador de energía para los teléfonos móviles para las frecuencias a partir de 400 megaciclos a 2,5 gigahertz) | Siemens |
| 1030040 | Q62702-L96 | Fet del GaAs (amplificador de energía para los teléfonos móviles para las frecuencias hasta 3 gigahertz) | Siemens |
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