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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1058121RN2007Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058122RN2008Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058123RN2009Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058124RN2010Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058125RN2011Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058126RN2101Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058127RN2101ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058128RN2101CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058129RN2101FConmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058130RN2101FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
1058131RN2101MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058132RN2102Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058133RN2102ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058134RN2102CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058135RN2102FConmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058136RN2102FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
1058137RN2102MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058138RN2103Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058139RN2103ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA



1058140RN2103CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058141RN2103FConmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058142RN2103FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
1058143RN2103MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058144RN2104Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058145RN2104ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058146RN2104CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058147RN2104FConmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058148RN2104FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
1058149RN2104MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058150RN2105Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058151RN2105ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058152RN2105CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058153RN2105FConmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058154RN2105FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
1058155RN2105MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058156RN2106Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058157RN2106ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058158RN2106CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058159RN2106FConmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058160RN2106FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
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