| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1082361 | SD1080CS-T3 | Tensión inversa: 80.00V; Superficie DPAK 10A Schottky del montaje barrera rectificador | Won-Top Electronics |
| 1082362 | SD1080CT | BARRERA RECTIFIER(VOLTAGE - 20 a 100 voltios de SCHOTTKY de CORRIENTE - 10.0 amperios) | Panjit International Inc |
| 1082363 | SD1080S | BARRERA RECTIFIER(VOLTAGE - 20 a 100 voltios de SCHOTTKY del MONTAJE de la SUPERFICIE de DPAK de CORRIENTE - 10,0 amperios) | Panjit International Inc |
| 1082364 | SD1080S-T3 | RECTIFICADOR DE LA BARRERA DE SCHOTTKY DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE 10CA DPAK | Won-Top Electronics |
| 1082365 | SD1080T | BARRERA RECTIFIER(VOLTAGE - 20 a 100 voltios de SCHOTTKY de CORRIENTE - 10.0 amperios) | Panjit International Inc |
| 1082366 | SD1080YS | RECTIFICADOR DE LA BARRERA DE SCHOTTKY DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE DPAK | Panjit International Inc |
| 1082367 | SD1080YS-T3 | RECTIFICADOR DE LA BARRERA DE SCHOTTKY DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE 10CA DPAK | Won-Top Electronics |
| 1082368 | SD1080YT | BARRERA RECTIFIER(VOLTAGE - 20 a 100 voltios de SCHOTTKY de CORRIENTE - 10.0 amperios) | Panjit International Inc |
| 1082369 | SD1100C | Versión ESTÁNDAR De Puk Del Hockey de los DIODOS de la RECUPERACIÓN | International Rectifier |
| 1082370 | SD1100C04C | 400V 1400A Std. Diodo de la recuperación en un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082371 | SD1100C04L | 400V 1170A Std. Diodo de la recuperación en un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082372 | SD1100C08C | 800V 1400A Std. Diodo de la recuperación en un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082373 | SD1100C08L | 800V 1170A Std. Diodo de la recuperación en un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082374 | SD1100C12C | 1200V 1400A Std. Diodo de la recuperación en un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082375 | SD1100C12L | 1200V 1170A Std. Diodo de la recuperación en un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082376 | SD1100C16C | 1600V 1400A Std. Diodo de la recuperación en un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082377 | SD1100C16L | 1600V 1170A Std. Diodo de la recuperación en un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082378 | SD1100C20C | 2000V 1400A Std. Diodo de la recuperación en un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082379 | SD1100C20L | 2000V 1170A Std. Diodo de la recuperación en un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082380 | SD1100C25C | 2500V 1100A Std. Diodo de la recuperación en un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082381 | SD1100C25L | 2500V 910A Std. Diodo de la recuperación en un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082382 | SD1100C30C | 3000V 1100A Std. Diodo de la recuperación en un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082383 | SD1100C30L | 3000V 910A Std. Diodo de la recuperación en un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082384 | SD1100C32C | 3200V 1100A Std. Diodo de la recuperación en un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082385 | SD1100C32L | 3200V 910A Std. Diodo de la recuperación en un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082386 | SD1100CHP | 450 V, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1082387 | SD1100DD | 450 V, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1082388 | SD1100HD | 450 V, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1082389 | SD1100P | Rectificador: Schottky | Taiwan Semiconductor |
| 1082390 | SD1101BD | 400 V, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1082391 | SD1101CHP | 400 V, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1082392 | SD1101DD | 400 V, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1082393 | SD1101HD | 400 V, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1082394 | SD1102BD | 250 V, 10 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1082395 | SD1102CHP | 250 V, 10 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1082396 | SD1102DD | 250 V, 10 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1082397 | SD1102HD | 250 V, 10 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1082398 | SD1106AD | 60 V, N-canal mejora vías D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1082399 | SD1106CHP | 60 V, N-canal mejora vías D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 1082400 | SD1106DD | 60 V, N-canal mejora vías D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
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