| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1090881 | SGS6N60UFDTU | Rendimiento discreto, alto IGBT con el diodo | Fairchild Semiconductor |
| 1090882 | SGS6N60UFTU | Rendimiento Discreto, Alto IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 1090883 | SGSD100 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO | ST Microelectronics |
| 1090884 | SGSD100 | SILICIO COMPLEMENTARIO, TRANSISTORES DE LA ENERGÍA DARLINGTON | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090885 | SGSD100 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090886 | SGSD200 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO | ST Microelectronics |
| 1090887 | SGSD200 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090888 | SGSD200 | SILICIO COMPLEMENTARIO, TRANSISTORES DE LA ENERGÍA DARLINGTON | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090889 | SGSD310 | 150W; V (CER): 600V; V (ceo): 400V; 28A; de alta tensión, de alta potencia, de silicio de conmutación rápida plana multiepitaxial transistor NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090890 | SGSD311 | 150W; V (CER): 600V; V (ceo): 400V; 28A; de alta tensión, de alta potencia, de silicio de conmutación rápida plana multiepitaxial transistor NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090891 | SGSD311FI | 150W; V (CER): 600V; V (ceo): 400V; 28A; de alta tensión, de alta potencia, de silicio de conmutación rápida plana multiepitaxial transistor NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090892 | SGSF344 | V (CES): 1200; V (ceo): 600V; V (EBO): 7V; 7A; 85W; alta tensión de conmutación rápida transistor de potencia NPN. Para fuentes de alimentación conmutadas, desviación horizontal para el color TVsand monitores | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090893 | SGSF461 | 125W; V (CES): 850V; V (ceo): 400V; V (EBO): 7V; I (c): 15A; interruptor rápido hueco-emisor del transistor NPN. Para SMPS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090894 | SGSF561 | 150W; V (CES): 850V; V (ceo): 400V; V (EBO): 7V; I (c): 15A; interruptor rápido hueco-emisor del transistor NPN. Para SMPS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090895 | SGSIF344 | TRANSISTORES de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPN | ST Microelectronics |
| 1090896 | SGSIF344 | Transistor de potencia NPN para fuentes de alimentación conmutadas y de deflexión horizontal para televisión en color y las aplicaciones de monitores, 40W | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090897 | SGSIF344FP | TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090898 | SGSIF344FP | TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPN | ST Microelectronics |
| 1090899 | SGSIF444 | TRANSISTORES de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPN | ST Microelectronics |
| 1090900 | SGSIF444 | Transistor de potencia NPN para fuentes de alimentación conmutadas y de deflexión horizontal para televisión en color y las aplicaciones de monitores, 50W | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090901 | SGSIF461 | 65W; V (CES): 850V; V (ceo): 400V; V (EBO): 7V; I (c): 15A; interruptor rápido hueco-emisor del transistor NPN. Para SMPS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090902 | SGSP216 | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA Del N-canal | ST Microelectronics |
| 1090903 | SGSP216 | N-canal del transistor MOS de potencia, 250V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090904 | SGSP217 | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA Del N-canal | ST Microelectronics |
| 1090905 | SGSP217 | N-canal del transistor MOS de potencia, 200V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090906 | SGSP316 | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA Del N-canal | ST Microelectronics |
| 1090907 | SGSP316 | N-canal del transistor MOS de potencia, 250V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090908 | SGSP317 | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA Del N-canal | ST Microelectronics |
| 1090909 | SGSP317 | N-canal del transistor MOS de potencia, 200V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090910 | SGSP477 | Transistor del MOS De la Energía Del Modo Del Realce Del N-Canal | ST Microelectronics |
| 1090911 | SGSP477CHIP | Transistor del MOS de la energía del modo del realce del N-Canal en forma del dado | ST Microelectronics |
| 1090912 | SGSP516 | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA Del N-canal | ST Microelectronics |
| 1090913 | SGSP516 | N-canal del transistor MOS de potencia, 250V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090914 | SGSP517 | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA Del N-canal | ST Microelectronics |
| 1090915 | SGSP517 | N-canal del transistor MOS de potencia, 200V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090916 | SGU04N60 | IGBT rápido en NPT-tecnologi'a | Infineon |
| 1090917 | SGU15N40 | Descripción General | Fairchild Semiconductor |
| 1090918 | SGU15N40L | IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 1090919 | SGU15N40LTU | Discreto, IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 1090920 | SGU20N40L | IGBT | Fairchild Semiconductor |
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