Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
1138161 | SPI07N60C3 | para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápida | Infineon |
1138162 | SPI07N60S5 | para las pérdidas más bajas de la conducción | Infineon |
1138163 | SPI07N65C3 | para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápida | Infineon |
1138164 | SPI08N50C3 | para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápida | Infineon |
1138165 | SPI08N80C3 | para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la nota más rápida de SwitchingPlease: Infineon ha cambiado el CoolMOS 800V C2 que marcaba a C3. 800V C2... | Infineon |
1138166 | SPI100N03S2-03 | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, D2PAK, RDSon Los = 3.3mOhm, 100A, NL | Infineon |
1138167 | SPI100N03S2L-03 | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, To-262, RDSon Los = 3mOhm, 100A, LL | Infineon |
1138168 | SPI10N10 | Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, To-262, RDSon=180mOhm, 10A, NL | Infineon |
1138169 | SPI10N10 | Transistor De Energía Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
1138170 | SPI10N10L | Accione Mosfet, 100V, To-262, RDSon=154mOhm, 10A, LL | Infineon |
1138171 | SPI11N60C3 | para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápida | Infineon |
1138172 | SPI11N60S5 | para las pérdidas más bajas de la conducción | Infineon |
1138173 | SPI11N65C3 | para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápida | Infineon |
1138174 | SPI12N50C3 | para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápida | Infineon |
1138175 | SPI15N60C3 | para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápida | Infineon |
1138176 | SPI16N50C3 | para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápida | Infineon |
1138177 | SPI20N60C3 | para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápida | Infineon |
1138178 | SPI20N65C3 | para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápida | Infineon |
1138179 | SPI21N10 | Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, To-262, RDSon=85mOhm, 21A, NL | Infineon |
1138180 | SPI21N50C3 | para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápida | Infineon |
1138181 | SPI304-04 | Fotosensor | SANYO |
1138182 | SPI35N10 | Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, To-262, RDSon=45mOhm, 3Ä, NL | Infineon |
1138183 | SPI35N10 | Transistor De Energía Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
1138184 | SPI42N03S2L-13 | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, To-262, RDSon El = 12.9mOhm, 4À, LL | Infineon |
1138185 | SPI47N10 | Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, To-262, RDSon=33mOhm, 47A, NL | Infineon |
1138186 | SPI47N10L | Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, To-262, RDSon=33mOhm, 47A, LL | Infineon |
1138187 | SPI5342-H | Diodo De la Foto | AUK Corp |
1138188 | SPI5842 | DIODO DE LA FOTO | AUK Corp |
1138189 | SPI5842-H | Diodo De la Foto | AUK Corp |
1138190 | SPI70N10L | Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, To-262, RDSon=16mOhm, 70A, LL | Infineon |
1138191 | SPI73N03S2L-08 | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, To-262, RDSon Los = 8.4mOhm, 7Á, LL | Infineon |
1138192 | SPI80N03S2-03 | MOSFETs de la baja tensión - MOSFET de la energía de OptiMOS, 30V, To-262, RDSon = 3,4 mOhm, 80A, NL | Infineon |
1138193 | SPI80N03S2L-03 | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, To-262, RDSon Los = 3.1mOhm, 80A, LL | Infineon |
1138194 | SPI80N03S2L-04 | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, To-262, RDSon Los = 4.2mOhm, 80A, LL | Infineon |
1138195 | SPI80N03S2L-05 | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, To-262, RDSon Los = 5.2mOhm, 80A, LL | Infineon |
1138196 | SPI80N03S2L-06 | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, To-262, RDSon Los = 6.2mOhm, 80A, LL | Infineon |
1138197 | SPI80N08S2-07R | MOSFETs De la Baja Tensión - TO262; 80 A; 75V; NL; mOhm 7,3; Rg integrado | Infineon |
1138198 | SPI80N10L | Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, To-262, RDSon=14mOhm, 80A, LL | Infineon |
1138199 | SPIMD20 | Módulo Integrated Drive Motor | ST Microelectronics |
1138200 | SPIMD20PK | Módulo Integrated Drive Motor | ST Microelectronics |
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