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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1164441STD83003TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPNST Microelectronics
1164442STD83003ALTO VOLTAJE RÁPIDO-CONMUTACIÓN NPN TRANSISTOR DE ENERGÍASGS Thomson Microelectronics
1164443STD83003-1TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPNST Microelectronics
1164444STD83003T4TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPNST Microelectronics
1164445STD830CP40Par de transistores complementarios en un solo paqueteST Microelectronics
1164446STD840DN40Dual transistores de alto voltaje de NPN en un solo paqueteST Microelectronics
1164447STD845DN40Transistores, Energía Bipolar, High VoltageST Microelectronics
1164448STD85N3LH5Canal N 30 V, 0,0042 Ohm, 80 A, DPAK, TO-220, IPAKST Microelectronics
1164449STD86N3LH5Canal N 30 V, 0,0045 Ohm, 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFETST Microelectronics
1164450STD882equiv="content-type" content="text/html; charset=UTF-8">
1SupresoresAUK Corp
1164451STD882Dequiv="content-type" content="text/html; charset=UTF-8">
1SupresoresAUK Corp
1164452STD888TRANSISTOR ACTUAL MEDIO DE LA BAJA TENSIÓN PNP DEL ALTO RENDIMIENTOST Microelectronics
1164453STD888T4TRANSISTOR ACTUAL MEDIO DE LA BAJA TENSIÓN PNP DEL ALTO RENDIMIENTOST Microelectronics
1164454STD8N06VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enST Microelectronics
1164455STD8N06VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
1164456STD8N06N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
1164457STD8N10LTRANSISTOR BAJO DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL UMBRAL DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNELST Microelectronics
1164458STD8N10LTRANSISTOR BAJO DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL UMBRAL DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNELST Microelectronics
1164459STD8N10LTRANSISTOR BAJO DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL UMBRAL DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNELST Microelectronics



1164460STD8N65M5Canal N 650 V, 0,56 Ohm, 7 A MDmesh (TM) V Power MOSFET en DPAKST Microelectronics
1164461STD8N80K5Canal N 800 V, 0.8 Ohm tip., Protegida por la Zener 6 A SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia en paquete DPAKST Microelectronics
1164462STD8NF25N-canal de 250 V, 318 mOhm tip., 8 A, STripFET (TM) II Power MOSFET en paquete DPAKST Microelectronics
1164463STD8NM50NCanal N 500 V, 0,73 Ohm, 5 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en DPAKST Microelectronics
1164464STD8NS25Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO Å DPAK Del N-canal 250V 0,38ST Microelectronics
1164465STD8NS25Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO Å DPAK Del N-canal 250V 0,38SGS Thomson Microelectronics
1164466STD8NS25-1Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO Å DPAK Del N-canal 250V 0,38ST Microelectronics
1164467STD8NS25T4Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO Å DPAK Del N-canal 250V 0,38ST Microelectronics
1164468STD901TAlto voltaje Darlington NPN transistor de bobina de encendidoST Microelectronics
1164469STD90NH02LN-canal 24V - 0,0052 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 60A DPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164470STD90NH02L-1N-canal 24V - 0,0052 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 60A DPAK/IPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164471STD90NH02LT4N-canal 24V - 0,0052 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 60A DPAK/IPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164472STD93003TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n PNPST Microelectronics
1164473STD93003ALTO VOLTAJE RÁPIDO-CONMUTACIÓN PNP TRANSISTOR DE ENERGÍASGS Thomson Microelectronics
1164474STD93003-1TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n PNPST Microelectronics
1164475STD93003T4TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n PNPST Microelectronics
1164476STD95N2LH5N-canal 25 V, 0,0038 Ohm, 80 A - DPAK, MOSFET de potenciaST Microelectronics
1164477STD95N4F3Canal N 40 V, 5.0 mOhm, 80 A, DPAK STripFET (TM) III Power MOSFETST Microelectronics
1164478STD95N4LF3Canal N 40 V, 5 mOhm, 80 A STripFET (TM) III Power MOSFET en paquete DPAKST Microelectronics
1164479STD95NH02LN-canal 24V - 0,0039 Ohmios - Mosfet ULTRA BAJO De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 80A DPAKST Microelectronics
1164480STD95NH02L-1N-canal 24V - 0,0039 Ohmios - Mosfet ULTRA BAJO De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 80A DPAKST Microelectronics
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