Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
1164481 | STD95NH02LT4 | N-canal 24V - 0,0039 Ohmios - Mosfet ULTRA BAJO De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 80A DPAK | ST Microelectronics |
1164482 | STD96N3LLH6 | Canal N 30 V, 0,0037 Ohm tip., 80 A, en DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET | ST Microelectronics |
1164483 | STD9N10 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1164484 | STD9N10 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1164485 | STD9N10 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
1164486 | STD9N10-1 | N-canal 100V - 0,23 & - TRANSISTOR DEL MOSFET DE 9CA DPAK/IPAK | ST Microelectronics |
1164487 | STD9N10L | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1164488 | STD9N10L | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1164489 | STD9N10L | N - CANAL 100V - Los 0.2Òhm - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA De 9A IPAK/DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
1164490 | STD9N40M2 | Canal N 400 V, 0,65 Ohm tip., 6 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164491 | STD9N60M2 | Canal N 600 V, 0,72 Ohm tip., 5.5 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164492 | STD9N65M2 | Canal N 650 V, 0,79 Ohm tip., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET en paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164493 | STD9NM40N | Canal N 400 V, 0,73 Ohm tip., 5.6 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en un paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164494 | STD9NM50N | Canal N 500 V, 0,73 Ohm, 5 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en DPAK | ST Microelectronics |
1164495 | STD9NM60N | Canal N 600 V, 0,63 Ohm, 6.5 A DPAK MDmesh (TM) II Power MOSFET | ST Microelectronics |
1164496 | STDD15 | DIODO DE DETECCIÓN BAJO DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
1164497 | STDD15-04W | DIODO DE DETECCIÓN BAJO DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
1164498 | STDD15-04WFILM | DIODO DE DETECCIÓN BAJO DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
1164499 | STDD15-05W | DIODO DE DETECCIÓN BAJO DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
1164500 | STDD15-05WFILM | DIODO DE DETECCIÓN BAJO DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
1164501 | STDD15-07P | DIODO DE DETECCIÓN BAJO DE LA CAPACITANCIA | ST Microelectronics |
1164502 | STDD15-07P6 | DIODO DE DETECCIÓN BAJO DE LA CAPACITANCIA | ST Microelectronics |
1164503 | STDD15-07S | DIODO DE DETECCIÓN BAJO DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
1164504 | STDD15-07SFILM | DIODO DE DETECCIÓN BAJO DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
1164505 | STDELIV | INFORMACIÓN QUE ORDENA PARA EL PAQUETE Y LA ENTREGA | ST Microelectronics |
1164506 | STDELIV | INFORMACIÓN QUE ORDENA PARA EL PAQUETE Y LA ENTREGA | SGS Thomson Microelectronics |
1164507 | STDH150 ASIC | Células de I/O | Samsung Electronic |
1164508 | STDH150 ASIC | Células del IP de I/O | Samsung Electronic |
1164509 | STDH150 ASIC | Cierres Primitivos | Samsung Electronic |
1164510 | STDH150 ASIC | Memorias De alta densidad | Samsung Electronic |
1164511 | STDH150 ASIC | Flip/Flops Primitivo | Samsung Electronic |
1164512 | STDH150 ASIC | Células Primitivas De la Lógica | Samsung Electronic |
1164513 | STDH150 ASIC | Fanouts Máximo | Samsung Electronic |
1164514 | STDH150 ASIC | Descripción Primitiva | Samsung Electronic |
1164515 | STDH150 ASIC | Misceláneas Primitivas | Samsung Electronic |
1164516 | STDH150 ASIC | Células De la Entrada-salida | Samsung Electronic |
1164517 | STDH150 ASIC | Características | Samsung Electronic |
1164518 | STDH150 ASIC | Introducción | Samsung Electronic |
1164519 | STDH150 ASIC | Folleto STDH150 | Samsung Electronic |
1164520 | STDH150 ASIC | Capacidades Del Paquete | Samsung Electronic |
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