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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1164681STE40NA60TRANSISTOR RÁPIDO del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canalST Microelectronics
1164682STE40NA60N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
1164683STE40NC60Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 40A ISOTOP POWERMESH II Del N-canal 600V 0,098ST Microelectronics
1164684STE40NC60Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 40A ISOTOP POWERMESH II Del N-canal 600V 0,098SGS Thomson Microelectronics
1164685STE40NK90ZDN-canal 900V - 0,14 OHMIOS - Mosfet De 40A ISOTOP SUPERFREDMESHST Microelectronics
1164686STE45NK80ZDEl N-canal 800V - 0,11 OHMIOS - 4Ä ISOTOP AYUNA Mosfet del DIODO SUPERFREDMESHST Microelectronics
1164687STE48NM50N-canal 500V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 4Å ISOTOP MDMESHST Microelectronics
1164688STE48NM50Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 4Å ISOTOP MDMESH Del N-canal 500V 0,08SGS Thomson Microelectronics
1164689STE48NM60Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 4Å ISOTOP MDMESH Del N-canal 600V 0,09ST Microelectronics
1164690STE50DE100TRANSISTOR BIPOLAR CAMBIADO EMISOR HÍBRIDO ESBT "1000 V - 50 A - MÓDULO de la ENERGÍA De 0,026 OhmiosST Microelectronics
1164691STE53NA50TRANSISTOR RÁPIDO del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canalST Microelectronics
1164692STE53NA50N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
1164693STE53NC50Mosfet del OHMIO 5Á ISOTOP POWERMESH II Del N-canal 500V 0,070ST Microelectronics
1164694STE5588CVBSTe5588ST Microelectronics
1164695STE5588SVBSTe5588ST Microelectronics
1164696STE70NM50El N-canal 500V - 0,045 OHMIOS - 70A ISOTOP Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de MDMESHST Microelectronics
1164697STE70NM60El N-canal 600V - 0,050 OHMIOS - 70A ISOTOP Zener-protegio' MDMESH POWERMOSFETST Microelectronics
1164698STE800PSTE800P - TRANSMISOR-receptor RÁPIDO PORTUARIO DE ETHERNET OCHOST Microelectronics



1164699STE800PSTE800P - TRANSMISOR-receptor RÁPIDO PORTUARIO DE ETHERNET OCHOSGS Thomson Microelectronics
1164700STE88N65M5Canal N 650 V, 0.024 Ohm tip., 88 A, MDmesh (TM) V Power MOSFET en paquete ISOTOPST Microelectronics
1164701STEF033Fusible electrónico de 3,3 V líneaST Microelectronics
1164702STEF033APURFusible electrónico de 3,3 V líneaST Microelectronics
1164703STEF033PURFusible electrónico de 3,3 V líneaST Microelectronics
1164704STEF05Fusible electrónico para la línea 5 VST Microelectronics
1164705STEF05DFusible electrónico para la línea 5 VST Microelectronics
1164706STEF05DPURFusible electrónico para la línea 5 VST Microelectronics
1164707STEF05PURFusible electrónico para la línea 5 VST Microelectronics
1164708STEF12Fusible electrónico para la línea 12 VST Microelectronics
1164709STEF12PURFusible electrónico para la línea 12 VST Microelectronics
1164710STEF4SFusible electrónico para líneas de 3.3V y 5VST Microelectronics
1164711STEF4SPURFusible electrónico para líneas de 3.3V y 5VST Microelectronics
1164712STEL-2020Circuito Circumvolucional-FEC-Viterbi del error - explosión y modos continuosetc
1164713STEL-2020Circuito Circumvolucional-FEC-Viterbi del error - explosión y modos continuosetc
1164714STEL-2020Circuito Circumvolucional-FEC-Viterbi del error - explosión y modos continuosetc
1164715STEL2020Stel-2020Stanford Microdevices
1164716STEVAL-CBL003V1LNB alimentación de la tarjeta de demostración basado en la LNBH23ST Microelectronics
1164717STEVAL-CBL005V1LNB alimentación de la tarjeta de demostración basado en la LNBH23ST Microelectronics
1164718STEVAL-CBL009V1Suministro LNB DiSEqC 1.X conformes y controlar IC basado en la LNBH25ST Microelectronics
1164719STEVAL-CBL011V1Alimentación dual LNB DiSEqC 1.X conformes y controlar IC basado en la LNBH26ST Microelectronics
1164720STEVAL-CBL012V1Suministro Dual LNB y controlar IC DiSEqC 2.0 basado en la LNBH26ST Microelectronics
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