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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1165681STGE50NB60HDN-canal 50A - 600V ISOTOP POWERMESH IGBTST Microelectronics
1165682STGE50NB60HDN-canal 50A - 600V ISOTOP PowerMESH IGBTSGS Thomson Microelectronics
1165683STGE50NC60VD50 A, 600 V IGBT muy rápidoST Microelectronics
1165684STGE50NC60WDSerie ultra rápido "W"ST Microelectronics
1165685STGF10H60DFPuerta Trench campo parar IGBT, serie H 600 V, 10 A alta velocidadST Microelectronics
1165686STGF10NB60SDN-canal 600V 10A To-220fp POWERMESH IGBTST Microelectronics
1165687STGF10NC60HDSerie muy rápida "H"ST Microelectronics
1165688STGF10NC60KD6 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentadoST Microelectronics
1165689STGF10NC60SD10 A, 600 V, IGBT rápido con ultrarápido de diodoST Microelectronics
1165690STGF14NC60KD14 A, 600 V, corto circuito IGBT accidentadoST Microelectronics
1165691STGF15H60DFPuerta Trench campo parar IGBT, serie H 600 V, 15 A alta velocidadST Microelectronics
1165692STGF17NC60SD17 A, 600 V, IGBT baja caída con ultrarápido de diodoST Microelectronics
1165693STGF19NC60HD19 A, 600 V, IGBT muy rápido con ultrarápido de diodoST Microelectronics
1165694STGF19NC60KDcorto circuito IGBT accidentadoST Microelectronics
1165695STGF20H60DF600 V, 20 A alta velocidad de la puerta del foso campo parar IGBTST Microelectronics
1165696STGF20NB60S1Á Del N-canal - 600V To-220fp POWERMESH IGBTST Microelectronics
1165697STGF30H60DF600 V, 30 A alta velocidad de la puerta del foso campo parar IGBTST Microelectronics
1165698STGF35HF60W12 A, 600 V ultrarápido IGBTST Microelectronics
1165699STGF3NB60FDN-canal Á - 600V To-220/to-220fp/dpak/d2pak POWERMESH IGBTST Microelectronics



1165700STGF3NC120HDN-canal Á - 1200V - To-220fp - POWERMESH RÁPIDO IGBT CON EL DIODO INTEGRAL del APAGADORST Microelectronics
1165701STGF6NC60HDSerie muy rápida "H"ST Microelectronics
1165702STGF7NB60SLN-canal 7A - 600V - To-220fp POWERMESH IGBTST Microelectronics
1165703STGF7NC60HDN-canal 7A - 600V - To-220fp/d2pak POWERMESH MUY RÁPIDO IGBTST Microelectronics
1165704STGF7NC60KDEl N-canal 7A - 600V - CIRCUITO CORTO De To-220/to-220fp/d2pak CLASIFICÓ PowerMESH "IGBTST Microelectronics
1165705STGF8NC60KDNuevo cortocircuito accidentado serie "K"ST Microelectronics
1165706STGFW20H65FBPuerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 20 A alta velocidadST Microelectronics
1165707STGFW20V60DFPuerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 20 A muy alta velocidadST Microelectronics
1165708STGFW20V60FPuerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 20 A muy alta velocidadST Microelectronics
1165709STGFW30H65FBPuerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 30 A alta velocidadST Microelectronics
1165710STGFW30NC60V40 A, 600 V, IGBT muy rápidoST Microelectronics
1165711STGFW30V60DFPuerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 30 A muy alta velocidadST Microelectronics
1165712STGFW30V60FPuerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 30 A muy alta velocidadST Microelectronics
1165713STGFW35HF60W18 A, 600 V Ultrafast IGBTST Microelectronics
1165714STGFW40H65FBPuerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 40 A alta velocidadST Microelectronics
1165715STGFW40V60DFPuerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 40 A muy alta velocidadST Microelectronics
1165716STGFW40V60FPuerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 40 A muy alta velocidadST Microelectronics
1165717STGFW45HF60W23 A, 600 V ultrarápido IGBTST Microelectronics
1165718STGFW80V60FPuerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 80 A muy alta velocidadST Microelectronics
1165719STGIPL14K60SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 15 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentadoST Microelectronics
1165720STGIPL14K60-SSLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 15 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentadoST Microelectronics
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