Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
1166081 | STH6N100FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1166082 | STH6N100FI | N - MODO Del REALCE Del CANAL, TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA | SGS Thomson Microelectronics |
1166083 | STH6N100FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1166084 | STH6NA80FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1166085 | STH6NA80FI | N - CANAL 800V - 1,8 Ohmios - 5. - To-247/isowatt218 AYUNA TRANSISTOR del MOS de la ENERGÍA | SGS Thomson Microelectronics |
1166086 | STH6NA80FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1166087 | STH7NA100FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1166088 | STH7NA100FI | N - MODO Del REALCE Del CANAL, TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA | SGS Thomson Microelectronics |
1166089 | STH7NA100FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1166090 | STH7NA80 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | ST Microelectronics |
1166091 | STH7NA80 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | ST Microelectronics |
1166092 | STH7NA80FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1166093 | STH7NA80FI | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
1166094 | STH7NA80FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1166095 | STH7NA90FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1166096 | STH7NA90FI | N - CANAL 900V - 1,05 Ohmios - 7A - To-247/isowatt218 AYUNA Mosfet de la ENERGÍA | SGS Thomson Microelectronics |
1166097 | STH7NA90FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1166098 | STH80N10F7-2 | Canal N 100 V, 0.008 Ohm tip., 80 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
1166099 | STH81002Z | laser del 1550nm en A-Paquete coaxial | Siemens |
1166100 | STH81002Z | laser del 1550nm en A-Paquete coaxial | Siemens |
1166101 | STH8N80 | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | ST Microelectronics |
1166102 | STH8N80FI | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | ST Microelectronics |
1166103 | STH8N80FI | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | ST Microelectronics |
1166104 | STH8NA60FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1166105 | STH8NA60FI | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
1166106 | STH8NA60FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1166107 | STH8NA80FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1166108 | STH8NA80FI | N - TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
1166109 | STH8NA80FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1166110 | STH8NB90FI | N-canal 900V - 1,1 OHMIOS - Å - Mosfet De To-247/isowatt218 POWERMESH | ST Microelectronics |
1166111 | STH8NB90FI | N-canal 900V - 1,1 OHMIOS - Å - Mosfet De To-247/isowatt218 POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1166112 | STH9NA60FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1166113 | STH9NA60FI | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
1166114 | STH9NA60FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1166115 | STH9NA80 | N - CANAL 800V - Los 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 AYUNAN TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA | ST Microelectronics |
1166116 | STH9NA80 | N - CANAL 800V - Los 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 AYUNAN TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA | ST Microelectronics |
1166117 | STH9NA80FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1166118 | STH9NA80FI | N - CANAL 800V - Los 0.8Öhm - 9.1A - To-247/isowatt218 AYUNA TRANSISTOR del MOS de la ENERGÍA | SGS Thomson Microelectronics |
1166119 | STH9NA80FI | VIEJO PRODUCTO: PRODUCTO NO CONVENIENTE De F: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1166120 | STHH2003CR | RECTIFICADOR SECUNDARIO DE ALTA FRECUENCIA | ST Microelectronics |
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