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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1180921STW240NF55N-canal 55V - 0,0027 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 120A To-247 STRIPFET IIST Microelectronics
1180922STW24N60DM2Canal N 600 V, 0.175 Ohm tip., 18 A FDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en A-247 paqueteST Microelectronics
1180923STW24N60M2Canal N 600 V, 0.168 Ohm tip., 18 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en A-247 paqueteST Microelectronics
1180924STW24NM60NN-canal de 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh (TM) II Power MOSFET TO-247ST Microelectronics
1180925STW25N80K5N-canal de 800 V, 0,19 Ohm tip., 19.5 Una SuperMesh (TM) MOSFET de potencia 5 en A-247 paqueteST Microelectronics
1180926STW25N95K3Canal N 950 V, 0,32 Ohm, 22 A, A-247 SuperMESH3 (TM) MOSFETST Microelectronics
1180927STW25NM50NN-canal 550V @ TjMAX - 0,12 Ohmios - 21,5 Mosfet De MDmesh de la GENERACIÓN De A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 SEGUNDOSST Microelectronics
1180928STW25NM60NMosfet De MDmesh de la GENERACIÓN Del N-canal 650 @Tjmax-0.140&-20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 SEGUNDOST Microelectronics
1180929STW25NM60NDCanal N 600 V, 0,13 Ohm típ. 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) en A-247 paqueteST Microelectronics
1180930STW26NM50El N-canal 500V - 0,10 OHMIOS - 2Ã To-247 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de MDMESHST Microelectronics
1180931STW26NM50el OHMIO 2Ã To-247/max220/max220i Del N-canal 500V 0,10 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de MDMESHSGS Thomson Microelectronics
1180932STW26NM60El N-canal 600V - 0,125 OHMIOS - 2Ã To-247 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de MDMESHST Microelectronics
1180933STW26NM60el OHMIO 2Ã To-247/max220/max220i Del N-canal 600V 0,125 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de MDMESHSGS Thomson Microelectronics
1180934STW26NM60NCanal N 600 V, 0.135 Ohm tip., 20 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en A-247 paqueteST Microelectronics
1180935STW26NM60NDCanal N 600 V, 0.145 Ohm típ. 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) en A-247 paqueteST Microelectronics
1180936STW27NM60NDCanal N 600 V, 0,13 Ohm, 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) en A-247ST Microelectronics
1180937STW28N60M2Canal N 600 V, 0.135 Ohm típ. 22 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg MOSFET de potencia en encapsulado TO-247ST Microelectronics
1180938STW28NK60Zel OHMIO 27A To-247 Del N-canal 600V 0,155 Zener-Protegio' el Mosfet De SuperMeshST Microelectronics



1180939STW28NM50NCanal N 500 V, 0.135 Ohm típ. 21 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en A-247 paqueteST Microelectronics
1180940STW28NM60NDCanal N 600 V, 0.120 Ohm tip., 24 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) en A-247 paqueteST Microelectronics
1180941STW29NK50ZEl N-canal 500 V - 0,105 Ohmios - 31A To-247 Zener-Protegio' el Mosfet De SuperMESHST Microelectronics
1180942STW29NK50ZDEl N-canal 500V - 0,11 OHMIOS - 29A To-247 AYUNA Mosfet del DIODO SUPERMESHST Microelectronics
1180943STW30N65M5Canal N 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh (TM) V MOSFET TO-247ST Microelectronics
1180944STW30NF20Canal N 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, A-247 STripFET (TM) MOSFETST Microelectronics
1180945STW30NM60DEl N-canal 600V - 0,125 OHMIOS - 30A To-247 AYUNA EL DIODO MDMESH™ MosfetST Microelectronics
1180946STW3100MÓDULO DEL TRANSMISOR-receptorST Microelectronics
1180947STW3100E1/LFMÓDULO DEL TRANSMISOR-receptorST Microelectronics
1180948STW3100E2/LFMÓDULO DEL TRANSMISOR-receptorST Microelectronics
1180949STW3101MÓDULO DEL TRANSMISOR-receptorST Microelectronics
1180950STW3101E1/LFMÓDULO DEL TRANSMISOR-receptorST Microelectronics
1180951STW31N65M5Canal N 650 V, 0.124 Ohm, 22 A MDmesh (TM) V MOSFET de potencia en A-247 paqueteST Microelectronics
1180952STW32N65M5Canal N 650 V, 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh (TM) V MOSFET de potencia en A-247ST Microelectronics
1180953STW32NM50NCanal N 500 V, 0.1 Ohm típ. 22 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en A-247 paqueteST Microelectronics
1180954STW33N20VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enST Microelectronics
1180955STW33N20N - Mosfet De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
1180956STW33N20VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
1180957STW33N60M2Canal N 600 V, 0.108 Ohm típ. 26 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg MOSFET de potencia en encapsulado TO-247ST Microelectronics
1180958STW34N65M5Canal N 650 V, 0,09 Ohm, 28 A MDmesh (TM) V MOSFET de potencia en A-247 paqueteST Microelectronics
1180959STW34NB20Mosfet del MODO POWERMESH del REALCE Del N-canalST Microelectronics
1180960STW34NM60NCanal N 600 V, 0.092 Ohm, 29 A, MDmesh (TM) II Power MOSFET en A-247ST Microelectronics
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