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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
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211165AN01Modo Monolítico De Enchancement Del N-canal Del Arsenal del Mosfet De la Energía De 8 CanalesSupertex Inc
211166AN010Descripción DE ANALÓGICO A DIGITAL De la Técnica De Conversión De la Sigma Del DeltaCirrus Logic
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211168AN0110NA100 V, 100 om, de canal N mejora vías D-MOS FET matriz de 8 canalesTopaz Semiconductor
211169AN0116Modo Monolítico De Enchancement Del N-canal Del Arsenal del Mosfet De la Energía De 8 CanalesSupertex Inc
211170AN0116NAModo Monolítico De Enchancement Del N-canal Del Arsenal del Mosfet De la Energía De 8 CanalesSupertex Inc
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211175AN0120NAModo Monolítico De Enchancement Del N-canal Del Arsenal del Mosfet De la Energía De 8 CanalesSupertex Inc
211176AN0120NA200 V, 300 om, de canal N mejora vías D-MOS FET matriz de 8 canalesTopaz Semiconductor
211177AN0120NBModo Monolítico De Enchancement Del N-canal Del Arsenal del Mosfet De la Energía De 8 CanalesSupertex Inc
211178AN0120NDModo Monolítico De Enchancement Del N-canal Del Arsenal del Mosfet De la Energía De 8 CanalesSupertex Inc
211179AN013Todo que usted deseó siempre saber sobre el ICL8038Intersil



211180AN0130Modo Monolítico De Enchancement Del N-canal Del Arsenal del Mosfet De la Energía De 8 CanalesSupertex Inc
211181AN0130NAModo Monolítico De Enchancement Del N-canal Del Arsenal del Mosfet De la Energía De 8 CanalesSupertex Inc
211182AN0130NA300 V, 300 om, de canal N mejora vías D-MOS FET matriz de 8 canalesTopaz Semiconductor
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211192AN0140NA400 V, 350 om, de canal N mejora vías D-MOS FET matriz de 8 canalesTopaz Semiconductor
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