| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 249161 | BBF2815S | 15V, 20W convertidor de DC-DC | M.S. Kennedy Corp. |
| 249162 | BBF2815SE | 15V, 20W convertidor de DC-DC | M.S. Kennedy Corp. |
| 249163 | BBF2815SH | 15V, 20W convertidor de DC-DC | M.S. Kennedy Corp. |
| 249164 | BBF2815SK | 15V, 20W convertidor de DC-DC | M.S. Kennedy Corp. |
| 249165 | BBP602 | Warikap | Ultra CEMI |
| 249166 | BBP624 | Warikap | Ultra CEMI |
| 249167 | BBS3002 | P-Channel MOSFET-60V,-100A, 5.8mOhm, TO-263-2L/TO-263 | ON Semiconductor |
| 249168 | BBT3420 | Quad 2.488-3.1875Gbps / Canal transceptor | Intersil |
| 249169 | BBT3421 | 4 Multi-velocidad del canal CMOS inteligentes Resincronizador | Intersil |
| 249170 | BBT3821 | Octal Multi-Rate LX4 / CX4 - XAUI Re-Timer | Intersil |
| 249171 | BBY24-BBY27 | Varactors que templan del silicio (gama que templa del diodo de la ensambladura que templa precipitada 120 V) | Siemens |
| 249172 | BBY24-S1 | Varactors que templan del silicio (gama que templa del diodo de la ensambladura que templa precipitada 120 V) | Siemens |
| 249173 | BBY25-S1 | Varactors que templan del silicio (gama que templa del diodo de la ensambladura que templa precipitada 120 V) | Siemens |
| 249174 | BBY26-S1 | Varactors que templan del silicio (gama que templa del diodo de la ensambladura que templa precipitada 120 V) | Siemens |
| 249175 | BBY27-S2 | Varactors que templan del silicio (gama que templa del diodo de la ensambladura que templa precipitada 120 V) | Siemens |
| 249176 | BBY31 | Diodo variable DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la capacitancia | Philips |
| 249177 | BBY31 | Diodo-No del varactor de Hyperabrupt recomendado para los nuevos diseños | Zetex Semiconductors |
| 249178 | BBY31 | DIODO VARIABLE PLANAR DE LA CAPACITANCIA DEL SILICIO | Zetex Semiconductors |
| 249179 | BBY33BB-2 | Varactor que templa del silicio (varactor que templa en diseño epitaxial apaciguado de la tecnología del Mesa) | Siemens |
| 249180 | BBY33DA-2 | Varactor que templa del silicio (cifra elevada de la gama 25 V del diodo de la ensambladura que templa que templa precipitada de mérito) | Siemens |
| 249181 | BBY34C | Varactors que templan del silicio (gama que templa linear de la frecuencia del diodo de la ensambladura de Hyperabrupt que templa 4 ¦ 12 V) | Siemens |
| 249182 | BBY34D | Varactors que templan del silicio (gama que templa linear de la frecuencia del diodo de la ensambladura de Hyperabrupt que templa 4 ¦ 12 V) | Siemens |
| 249183 | BBY35F | Varactor que templa del silicio (gama que templa linear de la frecuencia del diodo de la ensambladura de Hyperabrupt que templa 4 ¦ 12 V) | Siemens |
| 249184 | BBY39 | Diodo doble de la capacitancia variable DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA | Philips |
| 249185 | BBY40 | Diodo variable de la capacitancia del VHF | Philips |
| 249186 | BBY40 | Diodo-No del varactor de Hyperabrupt recomendado para los nuevos diseños | Zetex Semiconductors |
| 249187 | BBY40 | DIODO VARIABLE PLANAR DE LA CAPACITANCIA DEL SILICIO | Zetex Semiconductors |
| 249188 | BBY40 | Capacitancia del diodo variable de VHF | NXP Semiconductors |
| 249189 | BBY42 | Diodo variable de la capacitancia del VHF | Philips |
| 249190 | BBY51 | Varactordiodes - diodo que templa dual del alto Q hyperabrupt del silicio | Infineon |
| 249191 | BBY51 | Diodo que templa del silicio (diodo que templa dual del alto hyperabrupt de Q diseñado para la operación baja del voltaje que templa) | Siemens |
| 249192 | BBY51-02L | Diodos para los usos de la baja tensión VCO | Infineon |
| 249193 | BBY51-02W | Varactordiodes - diodo que templa del alto Q hyperabrupt del silicio | Infineon |
| 249194 | BBY51-02W | Diodo que templa del silicio (inductancia baja de la serie del diodo del alto hyperabrupt de Q que templa) | Siemens |
| 249195 | BBY51-03W | Varactordiodes - diodo que templa del alto Q hyperabrupt del silicio | Infineon |
| 249196 | BBY51-03W | Diodo Que templa Alto Del Silicio Q Hyperabrupt | Infineon |
| 249197 | BBY51-03W | Diodo que templa del silicio (diodo que templa del alto hyperabrupt de Q diseñado para la operación baja del voltaje que templa) | Siemens |
| 249198 | BBY51-07 | Silicio Alto Q Hyperabrupt Tunin Dual... | Infineon |
| 249199 | BBY51-07 | Diodo que templa del silicio (el diodo que templaba dual del alto hyperabrupt de Q diseñó para la operación baja del voltaje que templaba | Siemens |
| 249200 | BBY52 | Diodo que templa del silicio (diodo que templa dual del alto hyperabrupt de Q diseñado para la operación baja del voltaje que templa) | Siemens |
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