| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 249481 | BC168B | Propósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.100A Ic, 180-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249482 | BC168C | Propósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.100A Ic, 380-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249483 | BC169 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 249484 | BC169 | Propósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.050A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249485 | BC169B | Propósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.050A Ic, 180-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249486 | BC169C | Propósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.050A Ic, 380-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249487 | BC171 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL AUMENTO DE NPN DEL SILICIO BAJO ALTO DEL RUIDO | Micro Electronics |
| 249488 | BC171 | Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249489 | BC171A | Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249490 | BC171B | Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 180-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249491 | BC172 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL AUMENTO DE NPN DEL SILICIO BAJO ALTO DEL RUIDO | Micro Electronics |
| 249492 | BC172 | Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249493 | BC172A | Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249494 | BC172B | Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 180-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249495 | BC172C | Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 380-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249496 | BC173 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL AUMENTO DE NPN DEL SILICIO BAJO ALTO DEL RUIDO | Micro Electronics |
| 249497 | BC174 | Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 65V VCEO, 0.100A Ic, 120-450 hFE | Continental Device India Limited |
| 249498 | BC174A | Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 65V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249499 | BC174B | Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 65V VCEO, 0.100A Ic, 180-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249500 | BC177 | AMPLIFICADORES AUDIO DE FINES GENERALES DEL RUIDO BAJO | ST Microelectronics |
| 249501 | BC177 | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 249502 | BC177 | Mocy krzemowy del ma³ej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci del ma³ej | Ultra CEMI |
| 249503 | BC177 | TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 249504 | BC177 | AMPLIFICADORES AUDIO DE FINES GENERALES DEL RUIDO BAJO | SGS Thomson Microelectronics |
| 249505 | BC177 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 249506 | BC177 | Transistor de los fines generales de PNP | Philips |
| 249507 | BC177 | Propósito General de 0.600W PNP metal puede transistor. 45V VCEO, 0.200A Ic, 120-460 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249508 | BC177A | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 249509 | BC177A | Transistor de los fines generales de PNP | Philips |
| 249510 | BC177A | Propósito General de 0.600W PNP metal puede transistor. 45V VCEO, 0.200A Ic, 120-220 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249511 | BC177B | AMPLIFICADORES AUDIO DE FINES GENERALES DEL RUIDO BAJO | ST Microelectronics |
| 249512 | BC177B | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 249513 | BC177B | Transistor de los fines generales de PNP | Philips |
| 249514 | BC177B | Propósito General de 0.600W PNP metal puede transistor. 45V VCEO, 0.200A Ic, 180-460 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249515 | BC177C | Propósito General de 0.600W PNP metal puede transistor. 45V VCEO, 0.200A Ic, 380-800 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249516 | BC178 | Mocy krzemowy del ma³ej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci del ma³ej | Ultra CEMI |
| 249517 | BC178 | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 249518 | BC178 | TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 249519 | BC178 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 249520 | BC178 | Propósito General de 0.600W PNP metal puede transistor. 25V VCEO, 0.200A Ic, 120-800 hFE. | Continental Device India Limited |
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