Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
249641 | BC214 | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
249642 | BC214 | Energía Del Medio Del Proceso 63 PNP | Fairchild Semiconductor |
249643 | BC214 | Amplificador de transistor PNP | ON Semiconductor |
249644 | BC214B | Propósito 0.350W general PNP Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.100A Ic, 40 - hFE | Continental Device India Limited |
249645 | BC214C | Propósito 0.350W general PNP Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.100A Ic, 100-600 hFE | Continental Device India Limited |
249646 | BC214L | AMPLIFICADORES Y CONDUCTORES PEQUEÑOS DE LA SEÑAL DEL AF DEL SILICIO | Micro Electronics |
249647 | BC214L | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
249648 | BC214LB | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
249649 | BC214LB_L34Z | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
249650 | BC214LC | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
249651 | BC214L_D26Z | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
249652 | BC214L_L34Z | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
249653 | BC214RL1 | Amplificador de transistor PNP | ON Semiconductor |
249654 | BC237 | Usos de la conmutación y del amplificador | Fairchild Semiconductor |
249655 | BC237 | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
249656 | BC237 | Mocy krzemowy del ma³ej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci del ma³ej | Ultra CEMI |
249657 | BC237 | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
249658 | BC237 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
249659 | BC237 | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
249660 | BC237 | Transistores Del Amplificador | Motorola |
249661 | BC237 | Silicio NPN Del Transistor | ON Semiconductor |
249662 | BC237 | Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
249663 | BC237 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Tensión colector-base VCBO = 50V. Tensión de colector-emisor VCEO = 45V. Tensión emisor-base Vebo = 6V. Disipación del colector Pc (max) = 500 mW. Corriente de colector Ic = 100mA | USHA India LTD |
249664 | BC237-D | Silicio De los Transistores NPN Del Amplificador | ON Semiconductor |
249665 | BC237A | Transistores Del Amplificador | Motorola |
249666 | BC237A | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
249667 | BC237A | Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
249668 | BC237A | Amplificador de transistor NPN | ON Semiconductor |
249669 | BC237ABU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
249670 | BC237ATA | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
249671 | BC237AZL1 | Amplificador de transistor NPN | ON Semiconductor |
249672 | BC237B | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
249673 | BC237B | Transistores Del Amplificador | Motorola |
249674 | BC237B | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
249675 | BC237B | Silicio NPN Del Transistor | ON Semiconductor |
249676 | BC237B | Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 200-460 hFE | Continental Device India Limited |
249677 | BC237BBU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
249678 | BC237BRL1 | Silicio NPN Del Transistor | ON Semiconductor |
249679 | BC237BTA | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
249680 | BC237BTAR | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
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