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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
249721BC239TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
249722BC239Transistores Del AmplificadorMotorola
249723BC239Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120-800 hFEContinental Device India Limited
249724BC239Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Tensión colector-base VCBO = 30V. Tensión de colector-emisor VCEO = 25V. Tensión emisor-base Vebo = 6V. Disipación del colector Pc (max) = 500 mW. Corriente de colector Ic = 100mAUSHA India LTD
249725BC239ABUTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
249726BC239ATATransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
249727BC239BPropósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 200-460 hFEContinental Device India Limited
249728BC239BBUTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
249729BC239BTATransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
249730BC239CTransistores Del AmplificadorMotorola
249731BC239CSilicio NPN Del TransistorON Semiconductor
249732BC239CPropósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 380 - hFEContinental Device India Limited
249733BC239CBUTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
249734BC239CTATransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
249735BC243AENERGÍA TRANSISTORS(Ã, 65w)MOSPEC Semiconductor
249736BC251SILICIO DE LOS TRANSISTORES PNP DEL AMPLIFICADORMotorola
249737BC251ASILICIO DE LOS TRANSISTORES PNP DEL AMPLIFICADORMotorola
249738BC251BSILICIO DE LOS TRANSISTORES PNP DEL AMPLIFICADORMotorola



249739BC251CSILICIO DE LOS TRANSISTORES PNP DEL AMPLIFICADORMotorola
249740BC252SILICIO DE LOS TRANSISTORES PNP DEL AMPLIFICADORMotorola
249741BC252ASILICIO DE LOS TRANSISTORES PNP DEL AMPLIFICADORMotorola
249742BC252BSILICIO DE LOS TRANSISTORES PNP DEL AMPLIFICADORMotorola
249743BC252CSILICIO DE LOS TRANSISTORES PNP DEL AMPLIFICADORMotorola
249744BC256SILICIO DE LOS TRANSISTORES PNP DEL AMPLIFICADORMotorola
249745BC256ASILICIO DE LOS TRANSISTORES PNP DEL AMPLIFICADORMotorola
249746BC256BSILICIO DE LOS TRANSISTORES PNP DEL AMPLIFICADORMotorola
249747BC257TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNPMicro Electronics
249748BC258TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNPMicro Electronics
249749BC259TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNPMicro Electronics
249750BC261TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL AUMENTO DE PNP DEL SILICIO BAJO ALTO DEL RUIDOMicro Electronics
249751BC262TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL AUMENTO DE PNP DEL SILICIO BAJO ALTO DEL RUIDOMicro Electronics
249752BC263TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL AUMENTO DE PNP DEL SILICIO BAJO ALTO DEL RUIDOMicro Electronics
249753BC264Transistores De Efecto De Campo De la Ensambladura Del Canal De NMicro Electronics
249754BC264Transistores De Efecto De Campo De la Ensambladura Del Canal De NPhilips
249755BC264Fet De NSemeLAB
249756BC27TRANSISTORES SOT23 NPN SILICON PLANAR DARLINGTONDiodes
249757BC297CONDUCTORES AUDIOST Microelectronics
249758BC297CONDUCTORES AUDIOST Microelectronics
249759BC297V (CES): 50V; V (CEO): 45V; V (EBO): 5V; 1A; controlador de audioSGS Thomson Microelectronics
249760BC298CONDUCTORES AUDIOST Microelectronics
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