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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
249761BC298CONDUCTORES AUDIOST Microelectronics
249762BC298V (CES): 30V; V (CEO): 25V; V (EBO): 5V; 1A; controlador de audioSGS Thomson Microelectronics
249763BC2I4AMPLIFICADORES Y CONDUCTORES PEQUEÑOS DE LA SEÑAL DEL AF DEL SILICIO COMPLEMENTARIOMicro Electronics
249764BC2I4LAMPLIFICADORES Y CONDUCTORES PEQUEÑOS DE LA SEÑAL DEL AF DEL SILICIO COMPLEMENTARIOMicro Electronics
249765BC300AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MEDIOS DE ENERGÍA DEL AF DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
249766BC300Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
249767BC300Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE.Continental Device India Limited
249768BC300-4Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 40 - 80 hFE.Continental Device India Limited
249769BC300-5Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 70-140 hFE.Continental Device India Limited
249770BC300-6Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 120-240 hFE.Continental Device India Limited
249771BC301AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MEDIOS DE ENERGÍA DEL AF DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
249772BC301Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
249773BC301Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE.Continental Device India Limited
249774BC301-4Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 40 - 80 hFE.Continental Device India Limited
249775BC301-5Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 70-140 hFE.Continental Device India Limited
249776BC301-6Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 120-240 hFE.Continental Device India Limited
249777BC302AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MEDIOS DE ENERGÍA DEL AF DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
249778BC302Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
249779BC302Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE.Continental Device India Limited



249780BC302-4Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 40 - 80 hFE.Continental Device India Limited
249781BC302-5Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 70-140 hFE.Continental Device India Limited
249782BC302-6Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 120-240 hFE.Continental Device India Limited
249783BC303AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MEDIOS DE ENERGÍA DEL AF DEL SILICIO DE PNPMicro Electronics
249784BC303Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
249785BC303Propósito General de 0.850W PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE.Continental Device India Limited
249786BC303-4Propósito General de 0.850W PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 40 - 80 hFE.Continental Device India Limited
249787BC303-5Propósito General de 0.850W PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 70-140 hFE.Continental Device India Limited
249788BC303-6Propósito General de 0.850W PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 120-240 hFE.Continental Device India Limited
249789BC304AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MEDIOS DE ENERGÍA DEL AF DEL SILICIO DE PNPMicro Electronics
249790BC304Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
249791BC304Propósito General de 0.850W PNP metal puede transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE.Continental Device India Limited
249792BC307Usos de la conmutación y del amplificadorFairchild Semiconductor
249793BC307Transistor De fines generalesKorea Electronics (KEC)
249794BC307Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de TranzystorUltra CEMI
249795BC307TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNPMicro Electronics
249796BC307Transistores de los fines generales de PNPPhilips
249797BC307Amplificador Transistors(PNP)Motorola
249798BC307Amplificador de transistor PNPON Semiconductor
249799BC307Propósito 0.350W general PNP Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120-800 hFEContinental Device India Limited
249800BC307Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Tensión colector-base VCBO = -50V. Tensión de colector-emisor VCEO = -45V. Tensión emisor-base Vebo = -5V. Disipación del colector Pc (max) = 500 mW. Corriente de colector Ic = -1USHA India LTD
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