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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
250161BC369Amplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
250162BC369TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE PNPZetex Semiconductors
250163BC369Transistor del Af Del Silicio de PNPInfineon
250164BC369TRANSISTORES EPITAXIAL DEL SILICIO PARA EL USO AUDIOMicro Electronics
250165BC369Transistor del AF del silicio de PNP (alto alto voltaje bajo de la saturación del collector-emitter de la corriente de colector del aumento actual)Siemens
250166BC369Transistores Del AmplificadorMotorola
250167BC369Transistor Pequeño Del Plástico De la SeñalON Semiconductor
250168BC369Propósito 0.800W general PNP Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 1.000A Ic, 50 - hFEContinental Device India Limited
250169BC369-10Propósito 0.800W general PNP Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 1.000A Ic, 63-160 hFEContinental Device India Limited
250170BC369-16Transistor de energía medio de PNPPhilips
250171BC369-16Propósito 0.800W general PNP Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 1.000A Ic, 100-250 hFEContinental Device India Limited
250172BC369-25Transistor de energía medio de PNPPhilips
250173BC369-25Propósito 0.800W general PNP Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 1.000A Ic, 160-400 hFEContinental Device India Limited
250174BC369GTransistor PNP de potencia mediaPhilips
250175BC369ZL1Transistor Pequeño Del Plástico De la SeñalON Semiconductor
250176BC369_D27ZAmplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
250177BC369_D74ZAmplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
250178BC372TRANSISTOR MEDIO PLANAR DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO DE NPNZetex Semiconductors
250179BC372Transistores De alto voltaje De DarlingtonMotorola



250180BC372Plástico NPN Del Silicio Del TransistorON Semiconductor
250181BC372-DSilicio De alto voltaje De los Transistores NPN De DarlingtonON Semiconductor
250182BC372PTRANSISTOR MEDIO PLANAR DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO DE NPNZetex Semiconductors
250183BC373Transistores De alto voltaje De DarlingtonMotorola
250184BC373Plástico NPN Del Silicio Del TransistorON Semiconductor
250185BC373RL1Plástico NPN Del Silicio Del TransistorON Semiconductor
250186BC373ZL1Plástico NPN Del Silicio Del TransistorON Semiconductor
250187BC378Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO18SemeLAB
250188BC393Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de TranzystorUltra CEMI
250189BC393AMPLIFICADOR DE ALTO VOLTAJESGS Thomson Microelectronics
250190BC393Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
250191BC393AMPLIFICADOR DE ALTO VOLTAJEST Microelectronics
250192BC393Propósito General de 0.400W PNP metal puede transistor. 180V VCEO, 0.500A Ic, 50 hFE.Continental Device India Limited
250193BC394NPN PLANAR EPITAXIALST Microelectronics
250194BC394AMPLIFICADOR DE ALTO VOLTAJESGS Thomson Microelectronics
250195BC394Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
250196BC413Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de TranzystorUltra CEMI
250197BC413TRANSISTORES PEQUEÑOS DE LA SEÑAL DEL RUIDO BAJO DEL AF DEL SILICIOMicro Electronics
250198BC413Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.100A Ic, 180-800 hFEContinental Device India Limited
250199BC413BPropósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.010A Ic, 180-460 hFEContinental Device India Limited
250200BC413CPropósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.100A Ic, 100 - hFEContinental Device India Limited
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