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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
251201BC808Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-EpitaxialDiotec Elektronische
251202BC808Propósito General de 0.250W PNP Transistor SMD. 25V VCEO, 0.500A Ic, 40 hFE. BC818 ComplementariaContinental Device India Limited
251203BC808-16TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNPZetex Semiconductors
251204BC808-16Transistores del AF del silicio de PNP (para el alto aumento actual de la corriente de colector de los usos generales del AF alto)Siemens
251205BC808-16Solos transistores del AF para los usos de fines generalesInfineon
251206BC808-16Transistores, & del Rf; AfVishay
251207BC808-16Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-EpitaxialDiotec Elektronische
251208BC808-16Propósito General de 0.250W PNP Transistor SMD. 25V VCEO, 0.500A Ic, 100-250 hFE. BC818-16 ComplementariaContinental Device India Limited
251209BC808-16Pequeña señal del transistor (PNP)General Semiconductor
251210BC808-16WTransistor del AF del silicio de PNP (para el alto aumento actual de la corriente de colector de los usos generales del AF alto)Siemens
251211BC808-16WSolos transistores del AF para los usos de fines generalesInfineon
251212BC808-16WMontaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-EpitaxialDiotec Elektronische
251213BC808-25TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNPZetex Semiconductors
251214BC808-25Transistores de fines generales - paquete SOT23Infineon
251215BC808-25Transistores del AF del silicio de PNP (para el alto aumento actual de la corriente de colector de los usos generales del AF alto)Siemens
251216BC808-25Transistores, & del Rf; AfVishay
251217BC808-25Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-EpitaxialDiotec Elektronische
251218BC808-25Propósito General de 0.250W PNP Transistor SMD. 25V VCEO, 0.500A Ic, 160-400 hFE. BC818-25 ComplementariaContinental Device India Limited



251219BC808-25Pequeña señal del transistor (PNP)General Semiconductor
251220BC808-25LT1Transistores de fines generalesON Semiconductor
251221BC808-25WTransistores de fines generales - paquete SOT323Infineon
251222BC808-25WTransistor del AF del silicio de PNP (para el alto aumento actual de la corriente de colector de los usos generales del AF alto)Siemens
251223BC808-25WMontaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-EpitaxialDiotec Elektronische
251224BC808-25WPNP de propósito general transistorPhilips
251225BC808-40TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNPZetex Semiconductors
251226BC808-40Transistores de fines generales - paquete SOT23Infineon
251227BC808-40Transistores del AF del silicio de PNP (para el alto aumento actual de la corriente de colector de los usos generales del AF alto)Siemens
251228BC808-40Transistores, & del Rf; AfVishay
251229BC808-40Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-EpitaxialDiotec Elektronische
251230BC808-40Propósito General de 0.250W PNP Transistor SMD. 25V VCEO, 0.500A Ic, 250-600 hFE. BC818-40 ComplementariaContinental Device India Limited
251231BC808-40Pequeña señal del transistor (PNP)General Semiconductor
251232BC808-40WTransistores de fines generales - paquete SOT323Infineon
251233BC808-40WTransistor del AF del silicio de PNP (para el alto aumento actual de la corriente de colector de los usos generales del AF alto)Siemens
251234BC808-40WMontaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-EpitaxialDiotec Elektronische
251235BC808-40WPNP de propósito general transistorPhilips
251236BC80816TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNPZetex Semiconductors
251237BC80816MTFTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
251238BC80825TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNPZetex Semiconductors
251239BC80825MTFTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
251240BC80840TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNPZetex Semiconductors
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