| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 251241 | BC80840MTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251242 | BC808F | Transistor del silicio de PNP (alto uso actual de la conmutación del uso) | AUK Corp |
| 251243 | BC808W | Transistor del AF del silicio de PNP para el general... | Infineon |
| 251244 | BC808W | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251245 | BC808W | PNP de propósito general transistor | Philips |
| 251246 | BC817 | Transistor de los fines generales de NPN | Philips |
| 251247 | BC817 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251248 | BC817 | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
| 251249 | BC817 | Transistores Pequeños De la Señal (NPN) | Vishay |
| 251250 | BC817 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251251 | BC817 | Transistores Pequeños De la Señal (NPN) | General Semiconductor |
| 251252 | BC817 | Transistor del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 251253 | BC817 | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Siemens |
| 251254 | BC817 | Transistor del silicio de NPN (alto uso actual de la conmutación del uso) | AUK Corp |
| 251255 | BC817 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE NPN | Diodes |
| 251256 | BC817 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE NPN | TRSYS |
| 251257 | BC817 | 45 V, 500 mA NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
| 251258 | BC817 | Propósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 100-600 hFE. BC807 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 251259 | BC817 | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 251260 | BC817-16 | Transistor de los fines generales de NPN | Philips |
| 251261 | BC817-16 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251262 | BC817-16 | Transistores Bipolares | Diodes |
| 251263 | BC817-16 | Transistores de fines generales - transistor del AF del silicio de NPN para los usos generales del AF | Infineon |
| 251264 | BC817-16 | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Siemens |
| 251265 | BC817-16 | Transistor Pequeño 310mW De la Señal de NPN | Micro Commercial Components |
| 251266 | BC817-16 | Transistores, & del Rf; Af | Vishay |
| 251267 | BC817-16 | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251268 | BC817-16 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE NPN | TRSYS |
| 251269 | BC817-16 | 45 V, 500 mA NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
| 251270 | BC817-16 | Propósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 100-250 hFE. BC807-16 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 251271 | BC817-16 | Pequeña señal del transistor (NPN) | General Semiconductor |
| 251272 | BC817-16 | Transistor NPN de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
| 251273 | BC817-16 | Ic = 800mA, Vce = 1.0V transistor | MCC |
| 251274 | BC817-16 | Superficie de montaje pequeño transistor NPN de señal | TRANSYS Electronics Limited |
| 251275 | BC817-16-7 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE NPN | Diodes |
| 251276 | BC817-16-G | Transistores para aplicaciones generales, V CBO = 50V, V CEO = 45V, V EBO = 5V, I C = 0.5A | Comchip Technology |
| 251277 | BC817-16L | Plástico Del Transistor Del Silicio | ON Semiconductor |
| 251278 | BC817-16LT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 251279 | BC817-16LT1 | EL CASO 318-08, LABRA 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
| 251280 | BC817-16LT1 | Plástico Del Transistor Del Silicio | ON Semiconductor |
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