Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
251281 | BC817-16LT1-D | Silicio De fines generales De los Transistores NPN | ON Semiconductor |
251282 | BC817-16LT3 | Plástico Del Transistor Del Silicio | ON Semiconductor |
251283 | BC817-16W | Transistor de los fines generales de NPN | Philips |
251284 | BC817-16W | Transistores de fines generales - transistor del AF del silicio de NPN para los usos generales del AF | Infineon |
251285 | BC817-16W | Transistor del AF del silicio de NPN (para el alto aumento actual de la corriente de colector de los usos generales del AF alto) | Siemens |
251286 | BC817-16W | 45 V, 500 mA NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
251287 | BC817-16W | Discretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50V | Diodes |
251288 | BC817-16W-7 | Discretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50V | Diodes |
251289 | BC817-25 | Transistor de los fines generales de NPN | Philips |
251290 | BC817-25 | Amplificador De los Fines generales de NPN | National Semiconductor |
251291 | BC817-25 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
251292 | BC817-25 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL NPN | ST Microelectronics |
251293 | BC817-25 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
251294 | BC817-25 | Transistores Bipolares | Diodes |
251295 | BC817-25 | Transistores de fines generales - transistor del AF del silicio de NPN para los usos generales del AF | Infineon |
251296 | BC817-25 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL NPN | SGS Thomson Microelectronics |
251297 | BC817-25 | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Siemens |
251298 | BC817-25 | Transistor Pequeño 310mW De la Señal de NPN | Micro Commercial Components |
251299 | BC817-25 | Transistores, & del Rf; Af | Vishay |
251300 | BC817-25 | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
251301 | BC817-25 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE NPN | TRSYS |
251302 | BC817-25 | 45 V, 500 mA NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
251303 | BC817-25 | Propósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 160-400 hFE. BC807-25 Complementaria | Continental Device India Limited |
251304 | BC817-25 | Pequeña señal del transistor (NPN) | General Semiconductor |
251305 | BC817-25 | Transistor NPN de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
251306 | BC817-25 | Ic = 800mA, Vce = 1.0V transistor | MCC |
251307 | BC817-25 | Superficie de montaje pequeño transistor NPN de señal | TRANSYS Electronics Limited |
251308 | BC817-25-7 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE NPN | Diodes |
251309 | BC817-25-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
251310 | BC817-25-G | Transistores para aplicaciones generales, V CBO = 50V, V CEO = 45V, V EBO = 5V, I C = 0.5A | Comchip Technology |
251311 | BC817-25L | Plástico Del Transistor Del Silicio | ON Semiconductor |
251312 | BC817-25LT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
251313 | BC817-25LT1 | EL CASO 318-08, LABRA 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
251314 | BC817-25LT1 | Plástico Del Transistor Del Silicio | ON Semiconductor |
251315 | BC817-25LT3 | Plástico Del Transistor Del Silicio | ON Semiconductor |
251316 | BC817-25QA | 45 V, 500 mA NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
251317 | BC817-25W | Transistor de los fines generales de NPN | Philips |
251318 | BC817-25W | Transistores de fines generales - transistor del AF del silicio de NPN para los usos generales del AF | Infineon |
251319 | BC817-25W | Transistor del AF del silicio de NPN (para el alto aumento actual de la corriente de colector de los usos generales del AF alto) | Siemens |
251320 | BC817-25W | 45 V, 500 mA NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
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