| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 251881 | BC848 | Transistor del silicio de NPN (uso de fines generales de la conmutación del uso) | AUK Corp |
| 251882 | BC848 | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251883 | BC848 | Propósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 30V VCEO, 0.100A Ic, 110-800 hFE. BC858 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 251884 | BC848 | AF del silicio de PNP Transistores | Infineon |
| 251885 | BC848A | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251886 | BC848A | Transistores Bipolares | Diodes |
| 251887 | BC848A | Transistores Pequeños De la Señal (NPN) | General Semiconductor |
| 251888 | BC848A | Transistores de fines generales - paquete SOT23 | Infineon |
| 251889 | BC848A | SILICIO DE LOS FINES GENERALES TRANSISITOR NPN | Zowie Technology Corporation |
| 251890 | BC848A | Transistores del AF del silicio de NPN (para las etapas de la entrada del AF y aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 251891 | BC848A | Transistor Pequeño 310mW De la Señal de NPN | Micro Commercial Components |
| 251892 | BC848A | Fines generales Pequeños Amplifier/Switch Del Transistor NPN De la Señal de SMD | Central Semiconductor |
| 251893 | BC848A | Transistores, & del Rf; Af | Vishay |
| 251894 | BC848A | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251895 | BC848A | Propósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 30V VCEO, 0.100A Ic, 110-220 hFE. BC858A Complementaria | Continental Device India Limited |
| 251896 | BC848A | min HFE 110 NF max. 10 dB Polaridad del transistor NPN Corriente continua Ic max 100 mA Voltaje VCEO 30 V Ic actual (HFE) 2 mA Potencia 350 mW Ptot | Fairchild Semiconductor |
| 251897 | BC848A | Transistor NPN de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
| 251898 | BC848A | Ic = 100mA, Vce = 5.0V transistor | MCC |
| 251899 | BC848A | 30 V, superficie de montaje pequeño transistor NPN de señal | TRANSYS Electronics Limited |
| 251900 | BC848A | 30 V, superficie de montaje pequeño transistor NPN de señal | TRSYS |
| 251901 | BC848A(Z) | Transistores de los fines SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERALES | Diodes |
| 251902 | BC848A-1JZ | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251903 | BC848A-1JZ | SILICIO DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 251904 | BC848A-1JZ | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251905 | BC848A-1JZ | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251906 | BC848A-1JZ | SILICIO DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 251907 | BC848A-1JZ | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251908 | BC848A-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 251909 | BC848A-G | Pequeña señal Transistor, V CBO = 30V, V CEO = 30V, V EBO = 6V, yo C = 0.1A | Comchip Technology |
| 251910 | BC848AF | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 251911 | BC848AL | Transistor De fines generales NPN | ON Semiconductor |
| 251912 | BC848ALT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 251913 | BC848ALT1 | EL CASO 318-08, LABRA 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
| 251914 | BC848ALT1 | Transistor De fines generales NPN | ON Semiconductor |
| 251915 | BC848ALT1G | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 251916 | BC848ALT1G | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 251917 | BC848AMTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251918 | BC848AT | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 251919 | BC848AW | Transistores Bipolares | Diodes |
| 251920 | BC848AW | Transistores de fines generales - paquete SOT323 | Infineon |
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