| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 251921 | BC848AW | Transistor del AF del silicio de NPN (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 251922 | BC848AW | Transistor De fines generales NPN | ON Semiconductor |
| 251923 | BC848AW | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251924 | BC848AW | Transistor NPN de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
| 251925 | BC848AW-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 251926 | BC848AW-G | Pequeña señal Transistor, V CBO = 30V, V CEO = 30V, V EBO = 5V, yo C = 0.1A | Comchip Technology |
| 251927 | BC848AWT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 251928 | BC848AWT1 | EL CASO 419-02, LABRA 3 SOT-323/sc-70 | Motorola |
| 251929 | BC848AWT1 | Transistor De fines generales NPN | ON Semiconductor |
| 251930 | BC848B | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 251931 | BC848B | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 251932 | BC848B | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251933 | BC848B | Transistores Bipolares | Diodes |
| 251934 | BC848B | Transistores Pequeños De la Señal (NPN) | General Semiconductor |
| 251935 | BC848B | Transistores de fines generales - paquete SOT323 | Infineon |
| 251936 | BC848B | SILICIO DE LOS FINES GENERALES TRANSISITOR NPN | Zowie Technology Corporation |
| 251937 | BC848B | Transistores del AF del silicio de NPN (para las etapas de la entrada del AF y aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 251938 | BC848B | Transistor Pequeño 310mW De la Señal de NPN | Micro Commercial Components |
| 251939 | BC848B | Fines generales Pequeños Amplifier/Switch Del Transistor NPN De la Señal de SMD | Central Semiconductor |
| 251940 | BC848B | Transistores, & del Rf; Af | Vishay |
| 251941 | BC848B | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251942 | BC848B | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE NPN | TRSYS |
| 251943 | BC848B | 30 V, 100 mA NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
| 251944 | BC848B | Propósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 30V VCEO, 0.100A Ic, 200-450 hFE. BC858B Complementaria | Continental Device India Limited |
| 251945 | BC848B | Transistor NPN de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
| 251946 | BC848B | Ic = 100mA, Vce = 5.0V transistor | MCC |
| 251947 | BC848B | NPN de propósito general transistor | ROHM |
| 251948 | BC848B | 30 V, superficie de montaje pequeño transistor NPN de señal | TRANSYS Electronics Limited |
| 251949 | BC848B(Z) | Transistores de los fines SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERALES | Diodes |
| 251950 | BC848B,C | > de los transistores; Señal pequeña Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
| 251951 | BC848B-1K | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251952 | BC848B-1K | SILICIO DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 251953 | BC848B-1K | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251954 | BC848B-1K | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251955 | BC848B-1K | SILICIO DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 251956 | BC848B-1K | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251957 | BC848B-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 251958 | BC848B-G | Pequeña señal Transistor, V CBO = 30V, V CEO = 30V, V EBO = 6V, yo C = 0.1A | Comchip Technology |
| 251959 | BC848BDW1T1 | 30 V, el transistor de doble propósito general | Leshan Radio Company |
| 251960 | BC848BF | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
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