| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 252681 | BC858BWT1 | EL CASO 419-02, LABRA 3 SOT-323/sc-70 | Motorola |
| 252682 | BC858BWT1 | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
| 252683 | BC858C | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252684 | BC858C | Transistores Bipolares | Diodes |
| 252685 | BC858C | Transistores Pequeños De la Señal (PNP) | General Semiconductor |
| 252686 | BC858C | Transistores de fines generales - paquete SOT23 | Infineon |
| 252687 | BC858C | Transistores del AF del silicio de PNP (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252688 | BC858C | Transistor Pequeño 310mW De la Señal de PNP | Micro Commercial Components |
| 252689 | BC858C | Ruido Bajo Pequeño Del Transistor PNP De la Señal de SMD | Central Semiconductor |
| 252690 | BC858C | Transistores, & del Rf; Af | Vishay |
| 252691 | BC858C | Propósito General de 0.250W PNP Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC848C Complementaria | Continental Device India Limited |
| 252692 | BC858C | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252693 | BC858C | min HFE 420 NF max. 10 dB Polaridad del transistor PNP Corriente continua Ic max 100 mA Voltaje VCEO 30 V Ic actual (HFE) 2 mA Potencia 350 mW Ptot | Fairchild Semiconductor |
| 252694 | BC858C | Transistor PNP de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
| 252695 | BC858C | Ic = 100mA, Vce = 5.0V transistor | MCC |
| 252696 | BC858C | 30 V, superficie de montaje PNP pequeña señal del transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 252697 | BC858C | 30 V, superficie de montaje PNP pequeña señal del transistor | TRSYS |
| 252698 | BC858C(Z) | Transistores de los fines SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERALES | Diodes |
| 252699 | BC858C-3L | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252700 | BC858C-3L | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252701 | BC858C-7 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE PNP | Diodes |
| 252702 | BC858C-7 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE PNP | Diodes |
| 252703 | BC858C-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 252704 | BC858CDW1 | Transistores De fines generales Duales | ON Semiconductor |
| 252705 | BC858CDW1T1 | Transistors(PNP De fines generales Dual Se dobla) | Leshan Radio Company |
| 252706 | BC858CDW1T1 | Transistores De fines generales Duales | ON Semiconductor |
| 252707 | BC858CDXV6 | Transistor De fines generales de PNP | ON Semiconductor |
| 252708 | BC858CDXV6T1 | Transistor De fines generales de PNP | ON Semiconductor |
| 252709 | BC858CDXV6T5 | Transistor De fines generales de PNP | ON Semiconductor |
| 252710 | BC858CF | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252711 | BC858CL | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252712 | BC858CLT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252713 | BC858CLT1 | EL CASO 318-08, LABRA 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
| 252714 | BC858CLT1 | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252715 | BC858CLT1G | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
| 252716 | BC858CLT1G | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252717 | BC858CLT1G | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
| 252718 | BC858CLT1G | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252719 | BC858CLT3 | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252720 | BC858CLT3G | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
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