| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 252721 | BC858CLT3G | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252722 | BC858CLT3G | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
| 252723 | BC858CLT3G | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252724 | BC858CMTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252725 | BC858CW | Transistores Bipolares | Diodes |
| 252726 | BC858CW | Transistores de fines generales - paquete SOT323 | Infineon |
| 252727 | BC858CW | Transistores del AF del silicio de PNP (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252728 | BC858CW | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252729 | BC858CW | Transistor PNP de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
| 252730 | BC858CW-7 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE PNP | Diodes |
| 252731 | BC858CW-7 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE PNP | Diodes |
| 252732 | BC858CW-G | Pequeña señal Transistor, V CBO = -30V, V CEO = -30V, V EBO = -5V, yo C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252733 | BC858CWT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252734 | BC858CWT1 | Silicio PNP transistor de propósito general | Motorola |
| 252735 | BC858F | Transistor del silicio de PNP (uso de fines generales de la conmutación del uso) | AUK Corp |
| 252736 | BC858F | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252737 | BC858S | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252738 | BC858S | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252739 | BC858T | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 252740 | BC858T | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 252741 | BC858U | Transistor del silicio de PNP (uso de fines generales de la conmutación del uso) | AUK Corp |
| 252742 | BC858UF | Transistor del silicio de PNP (uso de fines generales de la conmutación del uso) | AUK Corp |
| 252743 | BC858W | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252744 | BC858W | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
| 252745 | BC858W | PNP transistores de propósito general | NXP Semiconductors |
| 252746 | BC858W | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252747 | BC858W | AF del silicio de NPN transistores | Infineon |
| 252748 | BC859 | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252749 | BC859 | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
| 252750 | BC859 | Transistores Pequeños De la Señal (PNP) | Vishay |
| 252751 | BC859 | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252752 | BC859 | Transistores Pequeños De la Señal (PNP) | General Semiconductor |
| 252753 | BC859 | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252754 | BC859 | Propósito General de 0.250W PNP Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 125-800 hFE. BC849 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 252755 | BC859 | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252756 | BC859 | AF del silicio de NPN transistores | Infineon |
| 252757 | BC859A | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252758 | BC859A | Transistores Pequeños De la Señal (PNP) | General Semiconductor |
| 252759 | BC859A | Transistores de fines generales - paquete SOT23 | Infineon |
| 252760 | BC859A | Transistores del AF del silicio de PNP (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
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