Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
256241 | BD241C | ENERGÍA TRANSISTORS(Á, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
256242 | BD241C | ENERGÍA PLÁSTICA TRANSISTORSS DEL SILICIO COMPLEMENTARIO | Boca Semiconductor Corporation |
256243 | BD241C | Transistores De Energía Plásticos Del Silicio Complementario | Motorola |
256244 | BD241C | Energía Á 100V NPN 40W | ON Semiconductor |
256245 | BD241C | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | TRSYS |
256246 | BD241C | Epitaxial del silicio NPN VERSAWATT-base del transistor. Vcer 115V, 40W. | General Electric Solid State |
256247 | BD241C | 115 V, silicio NPN transistor de potencia | TRANSYS Electronics Limited |
256248 | BD241C | NPN plástico silicio transistor NPN de potencia. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 100Vdc, VCES = 115Vdc, Veb = 5 Vdc, Ic = 3Adc, Pd = 40W | USHA India LTD |
256249 | BD241C-D | Transistores De Energía Plásticos Del Silicio Complementario | ON Semiconductor |
256250 | BD241CTU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
256251 | BD241D | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | Power Innovations |
256252 | BD241E | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | Power Innovations |
256253 | BD241F | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | Power Innovations |
256254 | BD241TU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
256255 | BD242 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
256256 | BD242 | TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
256257 | BD242 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE PNP | Power Innovations |
256258 | BD242 | ENERGÍA TRANSISTORS(Á, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
256259 | BD242 | ENERGÍA PLÁSTICA TRANSISTORSS DEL SILICIO COMPLEMENTARIO | Boca Semiconductor Corporation |
256260 | BD242 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE PNP | TRSYS |
256261 | BD242 | 40.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 3.000A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
256262 | BD242 | Epitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. Vcer -55V, 40W. | General Electric Solid State |
256263 | BD242 | 55 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
256264 | BD242A | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
256265 | BD242A | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | ST Microelectronics |
256266 | BD242A | TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
256267 | BD242A | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE PNP | Power Innovations |
256268 | BD242A | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
256269 | BD242A | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
256270 | BD242A | ENERGÍA TRANSISTORS(Á, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
256271 | BD242A | ENERGÍA PLÁSTICA TRANSISTORSS DEL SILICIO COMPLEMENTARIO | Boca Semiconductor Corporation |
256272 | BD242A | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE PNP | TRSYS |
256273 | BD242A | Epitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. Vcer -70V, 40W. | General Electric Solid State |
256274 | BD242A | 70 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
256275 | BD242A | PNP transistor de potencia de plástico de silicio. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 60 Vdc, VCES = 70 Vcc, Veb = 5Vdc Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
256276 | BD242ATU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
256277 | BD242B | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
256278 | BD242B | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | ST Microelectronics |
256279 | BD242B | TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
256280 | BD242B | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE PNP | Power Innovations |
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