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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
258921BF173TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
258922BF173Propósito General de 0.200W NPN metal puede transistor. 25V VCEO, 0.030A Ic, 15 hFE.Continental Device India Limited
258923BF178Fines generales Pequeńos Plomados Del Transistor De la SeńalCentral Semiconductor
258924BF180Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiejUltra CEMI
258925BF180Częstotliwości del wielkiej de TranzystorUltra CEMI
258926BF181Częstotliwości del wielkiej de TranzystorUltra CEMI
258927BF181Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiejUltra CEMI
258928BF182Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiejUltra CEMI
258929BF182Częstotliwości del wielkiej de TranzystorUltra CEMI
258930BF182Propósito General de 0.150W NPN metal puede transistor. 20V VCEO, 0.020A Ic, 10 hFE.Continental Device India Limited
258931BF183Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiejUltra CEMI
258932BF183Częstotliwości del wielkiej de TranzystorUltra CEMI
258933BF194Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiejUltra CEMI
258934BF194Częstotliwości del wielkiej de TranzystorUltra CEMI
258935BF195Częstotliwości del wielkiej de TranzystorUltra CEMI
258936BF195Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiejUltra CEMI
258937BF196Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiejUltra CEMI
258938BF196Częstotliwości del wielkiej de TranzystorUltra CEMI
258939BF197Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiejUltra CEMI



258940BF197Częstotliwości del wielkiej de TranzystorUltra CEMI
258941BF198Transistor del Rf Del Silicio de NPNSiemens
258942BF199Transistor medio de la frecuencia de NPNPhilips
258943BF199TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
258944BF199Transistor del RfMotorola
258945BF199Transistor De la Radiofrecuencia de NPNFairchild Semiconductor
258946BF1990.350W RF NPN Transistor. 25V VCEO, 0.100A Ic, 40 hFE.Continental Device India Limited
258947BF200Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiejUltra CEMI
258948BF200Częstotliwości del wielkiej de TranzystorUltra CEMI
258949BF200Propósito General de 0.150W NPN metal puede transistor. 20V VCEO, 0.020A Ic, 15-40 hFE.Continental Device India Limited
258950BF2000Tetrodo del Mosfet Del Canal Del Silicio NSiemens
258951BF2000WTetrodo del MOSFET del canal del silicio N (el transistor del Corto-canal con el alto factor de calidad de S/C para la entrada de poco ruido, ganar-controlada efectúa hasta 1 gigahertz)Siemens
258952BF2030Rf-rf-mosfet - integrado semi predisponiendo la red, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dBInfineon
258953BF2030Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta el voltaje de funcionamiento del 1GHz 5V)Siemens
258954BF2030RRf-rf-mosfet - integrado semi predisponiendo la red, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dBInfineon
258955BF2030WRf-rf-mosfet - integrado semi predisponiendo la red, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dBInfineon
258956BF2030WTetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta el voltaje de funcionamiento del 1GHz 5V)Siemens
258957BF2040Rf-rf-mosfet - integrado semi predisponiendo la red, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dBInfineon
258958BF2040Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta el voltaje de funcionamiento del 1GHz 5V)Siemens
258959BF2040RRf-rf-mosfet - integrado semi predisponiendo la red, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dBInfineon
258960BF2040WRf-rf-mosfet - integrado semi predisponiendo la red, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dBInfineon
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