Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
258921 | BF173 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
258922 | BF173 | Propósito General de 0.200W NPN metal puede transistor. 25V VCEO, 0.030A Ic, 15 hFE. | Continental Device India Limited |
258923 | BF178 | Fines generales Pequeńos Plomados Del Transistor De la Seńal | Central Semiconductor |
258924 | BF180 | Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiej | Ultra CEMI |
258925 | BF180 | Częstotliwości del wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
258926 | BF181 | Częstotliwości del wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
258927 | BF181 | Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiej | Ultra CEMI |
258928 | BF182 | Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiej | Ultra CEMI |
258929 | BF182 | Częstotliwości del wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
258930 | BF182 | Propósito General de 0.150W NPN metal puede transistor. 20V VCEO, 0.020A Ic, 10 hFE. | Continental Device India Limited |
258931 | BF183 | Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiej | Ultra CEMI |
258932 | BF183 | Częstotliwości del wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
258933 | BF194 | Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiej | Ultra CEMI |
258934 | BF194 | Częstotliwości del wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
258935 | BF195 | Częstotliwości del wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
258936 | BF195 | Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiej | Ultra CEMI |
258937 | BF196 | Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiej | Ultra CEMI |
258938 | BF196 | Częstotliwości del wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
258939 | BF197 | Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiej | Ultra CEMI |
258940 | BF197 | Częstotliwości del wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
258941 | BF198 | Transistor del Rf Del Silicio de NPN | Siemens |
258942 | BF199 | Transistor medio de la frecuencia de NPN | Philips |
258943 | BF199 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
258944 | BF199 | Transistor del Rf | Motorola |
258945 | BF199 | Transistor De la Radiofrecuencia de NPN | Fairchild Semiconductor |
258946 | BF199 | 0.350W RF NPN Transistor. 25V VCEO, 0.100A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
258947 | BF200 | Mocy krzemowy del małej de Tranzystor, częstotliwości del wielkiej | Ultra CEMI |
258948 | BF200 | Częstotliwości del wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
258949 | BF200 | Propósito General de 0.150W NPN metal puede transistor. 20V VCEO, 0.020A Ic, 15-40 hFE. | Continental Device India Limited |
258950 | BF2000 | Tetrodo del Mosfet Del Canal Del Silicio N | Siemens |
258951 | BF2000W | Tetrodo del MOSFET del canal del silicio N (el transistor del Corto-canal con el alto factor de calidad de S/C para la entrada de poco ruido, ganar-controlada efectúa hasta 1 gigahertz) | Siemens |
258952 | BF2030 | Rf-rf-mosfet - integrado semi predisponiendo la red, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
258953 | BF2030 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta el voltaje de funcionamiento del 1GHz 5V) | Siemens |
258954 | BF2030R | Rf-rf-mosfet - integrado semi predisponiendo la red, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
258955 | BF2030W | Rf-rf-mosfet - integrado semi predisponiendo la red, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
258956 | BF2030W | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta el voltaje de funcionamiento del 1GHz 5V) | Siemens |
258957 | BF2040 | Rf-rf-mosfet - integrado semi predisponiendo la red, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
258958 | BF2040 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta el voltaje de funcionamiento del 1GHz 5V) | Siemens |
258959 | BF2040R | Rf-rf-mosfet - integrado semi predisponiendo la red, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
258960 | BF2040W | Rf-rf-mosfet - integrado semi predisponiendo la red, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
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