| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 259081 | BF392 | Propósito General de 1.000W NPN Transistor Plástico con plomo. 250V VCEO, 1.000A Ic, 25-0 hFE | Continental Device India Limited |
| 259082 | BF393 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 259083 | BF393 | Transistor(NPN) De alto voltaje | Motorola |
| 259084 | BF393 | Transistors(NPN) De alto voltaje | Motorola |
| 259085 | BF393 | Plástico NPN Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
| 259086 | BF393 | 0.625W alto voltaje NPN Transistor de plástico con plomo. 300V VCEO, 0.500A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 259087 | BF393-D | Silicio De alto voltaje Del Transistor NPN | ON Semiconductor |
| 259088 | BF393ZL1 | Plástico NPN Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
| 259089 | BF397 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 259090 | BF398 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 259091 | BF39931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 259092 | BF39931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 259093 | BF39933 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 259094 | BF39933 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 259095 | BF40931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 259096 | BF40931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 259097 | BF410 | TRANSISTOR De poco ruido Del Efecto de campo de la ENSAMBLADURA Del N-canal PARA LOS USOS del Rf | Siemens |
| 259098 | BF410A | TRANSISTOR De poco ruido Del Efecto de campo de la ENSAMBLADURA Del N-canal PARA LOS USOS del Rf | Siemens |
| 259099 | BF410A | transistores del efecto de campo del silicio del N-canal | Philips |
| 259100 | BF410B | TRANSISTOR De poco ruido Del Efecto de campo de la ENSAMBLADURA Del N-canal PARA LOS USOS del Rf | Siemens |
| 259101 | BF410B | transistores del efecto de campo del silicio del N-canal | Philips |
| 259102 | BF410C | TRANSISTOR De poco ruido Del Efecto de campo de la ENSAMBLADURA Del N-canal PARA LOS USOS del Rf | Siemens |
| 259103 | BF410C | transistores del efecto de campo del silicio del N-canal | Philips |
| 259104 | BF410D | TRANSISTOR De poco ruido Del Efecto de campo de la ENSAMBLADURA Del N-canal PARA LOS USOS del Rf | Siemens |
| 259105 | BF410D | transistores del efecto de campo del silicio del N-canal | Philips |
| 259106 | BF414 | Transistor del Rf Del Silicio de NPN | Infineon |
| 259107 | BF414 | Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 259108 | BF414 | Transistor del RF del silicio de NPN (para las etapas del VHF de la base de poco ruido, común y de FM) | Siemens |
| 259109 | BF419 | Transistor de alto voltaje de NPN | Philips |
| 259110 | BF41931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 259111 | BF41931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 259112 | BF420 | Transistores de alto voltaje de NPN | Philips |
| 259113 | BF420 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL NPN | ST Microelectronics |
| 259114 | BF420 | Transistor De alto voltaje | Korea Electronics (KEC) |
| 259115 | BF420 | Transistores Pequeños De la Señal (NPN) | General Semiconductor |
| 259116 | BF420 | Transistor del silicio de NPN con Reve alto... | Infineon |
| 259117 | BF420 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO | Micro Electronics |
| 259118 | BF420 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 259119 | BF420 | Transistores Del Silicio de NPN Con El Alto Voltaje Reverso (Transistores Del Silicio de NPN Con Alto Voltaje Reverso) | Siemens |
| 259120 | BF420 | Transistors(NPN) De alto voltaje | Motorola |
| | | |
