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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
259201BF472Transistores de alto voltaje de PNPPhilips
259202BF472Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
259203BF4722.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 300V VCEO, 0.030A Ic, 50 hFE. Complementaria BF471Continental Device India Limited
259204BF483Transistores de alto voltaje de NPNPhilips
259205BF485Transistores de alto voltaje de NPNPhilips
259206BF485PNTransistores del alto voltaje de NPN/PNPPhilips
259207BF487Transistores de alto voltaje de NPNPhilips
259208BF488Transistor de alto voltaje de PNPPhilips
259209BF491TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNPMicro Electronics
259210BF492TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNPMicro Electronics
259211BF493TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNPMicro Electronics
259212BF493STransistor(PNP) De alto voltajeMotorola
259213BF493SPlástico PNP Del Silicio Del TransistorON Semiconductor
259214BF493S-DSilicio De alto voltaje Del Transistor PNPON Semiconductor
259215BF493SRL1High Voltage Transistor PNPON Semiconductor
259216BF493SZL1High Voltage Transistor PNPON Semiconductor
259217BF494TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
259218BF494Transistores medios de la frecuencia de NPNPhilips
259219BF494Propósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.030A Ic, 67-220 hFEContinental Device India Limited



259220BF494APropósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.030A Ic, 200-500 hFEContinental Device India Limited
259221BF494BTransistores medios de la frecuencia de NPNPhilips
259222BF494BPropósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.030A Ic, 100-220 hFEContinental Device India Limited
259223BF495TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
259224BF495Transistores medios de la frecuencia de NPNPhilips
259225BF495Propósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.030A Ic, 35-125 hFEContinental Device India Limited
259226BF495BTransistores medios de la frecuencia de NPNPhilips
259227BF495CPropósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.030A Ic, 65-135 hFEContinental Device India Limited
259228BF495DPropósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.030A Ic, 35-76 hFEContinental Device India Limited
259229BF502TRANSISTOR DEL RF DEL SILICIO DE NPNSiemens
259230BF503TRANSISTOR DEL RF DEL SILICIO DE NPNSiemens
259231BF505TRANSISTOR DEL RF DEL SILICIO DE NPNSiemens
259232BF506Transistor del Rf Del Silicio de PNPInfineon
259233BF506Transistor del RF del silicio de PNP (para las etapas del mezclador y del oscilador del VHF)Siemens
259234BF507TRANSISTOR DEL RF DEL SILICIO DE NPNSiemens
259235BF510transistores del efecto de campo del silicio del N-canalPhilips
259236BF510FET de silicio del N-canalNXP Semiconductors
259237BF511transistores del efecto de campo del silicio del N-canalPhilips
259238BF511FET de silicio del N-canalNXP Semiconductors
259239BF512transistores del efecto de campo del silicio del N-canalPhilips
259240BF512FET de silicio del N-canalNXP Semiconductors
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