Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
259201 | BF472 | Transistores de alto voltaje de PNP | Philips |
259202 | BF472 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
259203 | BF472 | 2.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 300V VCEO, 0.030A Ic, 50 hFE. Complementaria BF471 | Continental Device India Limited |
259204 | BF483 | Transistores de alto voltaje de NPN | Philips |
259205 | BF485 | Transistores de alto voltaje de NPN | Philips |
259206 | BF485PN | Transistores del alto voltaje de NPN/PNP | Philips |
259207 | BF487 | Transistores de alto voltaje de NPN | Philips |
259208 | BF488 | Transistor de alto voltaje de PNP | Philips |
259209 | BF491 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
259210 | BF492 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
259211 | BF493 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
259212 | BF493S | Transistor(PNP) De alto voltaje | Motorola |
259213 | BF493S | Plástico PNP Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
259214 | BF493S-D | Silicio De alto voltaje Del Transistor PNP | ON Semiconductor |
259215 | BF493SRL1 | High Voltage Transistor PNP | ON Semiconductor |
259216 | BF493SZL1 | High Voltage Transistor PNP | ON Semiconductor |
259217 | BF494 | TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
259218 | BF494 | Transistores medios de la frecuencia de NPN | Philips |
259219 | BF494 | Propósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.030A Ic, 67-220 hFE | Continental Device India Limited |
259220 | BF494A | Propósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.030A Ic, 200-500 hFE | Continental Device India Limited |
259221 | BF494B | Transistores medios de la frecuencia de NPN | Philips |
259222 | BF494B | Propósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.030A Ic, 100-220 hFE | Continental Device India Limited |
259223 | BF495 | TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
259224 | BF495 | Transistores medios de la frecuencia de NPN | Philips |
259225 | BF495 | Propósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.030A Ic, 35-125 hFE | Continental Device India Limited |
259226 | BF495B | Transistores medios de la frecuencia de NPN | Philips |
259227 | BF495C | Propósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.030A Ic, 65-135 hFE | Continental Device India Limited |
259228 | BF495D | Propósito General de 0.300W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.030A Ic, 35-76 hFE | Continental Device India Limited |
259229 | BF502 | TRANSISTOR DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
259230 | BF503 | TRANSISTOR DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
259231 | BF505 | TRANSISTOR DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
259232 | BF506 | Transistor del Rf Del Silicio de PNP | Infineon |
259233 | BF506 | Transistor del RF del silicio de PNP (para las etapas del mezclador y del oscilador del VHF) | Siemens |
259234 | BF507 | TRANSISTOR DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
259235 | BF510 | transistores del efecto de campo del silicio del N-canal | Philips |
259236 | BF510 | FET de silicio del N-canal | NXP Semiconductors |
259237 | BF511 | transistores del efecto de campo del silicio del N-canal | Philips |
259238 | BF511 | FET de silicio del N-canal | NXP Semiconductors |
259239 | BF512 | transistores del efecto de campo del silicio del N-canal | Philips |
259240 | BF512 | FET de silicio del N-canal | NXP Semiconductors |
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