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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
259481BF982Mos-fet DUAL de la PUERTA Del N-canal del SILICIOUnknow
259482BF982Mos-fet DUAL de la PUERTA Del N-canal del SILICIOUnknow
259483BF982V (ds): 20V; I (d): 40 mA; 225MW; silicio de canal N de doble puerta MOS-FETPhilips
259484BF987Triodo del Mosfet Del N-Canal Del SilicioInfineon
259485BF987TRIODO del MOSFET del CANAL del SILICIO N (para las etapas de alta frecuencia hasta 300 megaciclos, preferiblemente en capacidad de la sobrecarga de los usos de FM alta)Siemens
259486BF988Tetrodo Dual De MOS&dash;Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De AgotamientoVishay
259487BF989Mos-fet dual-gate del N-canalPhilips
259488BF990AMos-fet dual-gate del N-canalPhilips
259489BF991Mos-fet dual-gate del N-canalPhilips
259490BF991Canal N MOSFET de doble puertaNXP Semiconductors
259491BF992Mos-fet dual de la puerta del N-canal del silicioPhilips
259492BF992Canal N MOSFET de doble puertaNXP Semiconductors
259493BF994Mos-fet dual-gate del N-canalPhilips
259494BF994Tetrodo del MOSFET del canal del silicio N (para los usos/especialmente del VHF para las etapas de la entrada y del mezclador con una gama que templa ancha/e.g. en sintonizadores de CATV)Siemens
259495BF994Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De AgotamientoVishay
259496BF994SMos-fet dual-gate del N-canalPhilips
259497BF994STetrodo Dual De MOS&dash;Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De AgotamientoVishay
259498BF994STetrodo del MOSFET del canal del silicio N (para los usos del VHF para, especialmente la entrada y etapas del mezclador con una gama que templa ancha, e.g. en sintonizadores de CATV)Siemens
259499BF994SCanal N MOSFET de doble puertaNXP Semiconductors



259500BF994SATetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De AgotamientoVishay
259501BF994SBTetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De AgotamientoVishay
259502BF995Tetrodo Dual De MOS&dash;Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De AgotamientoVishay
259503BF995Tetrodo del MOSFET del canal del silicio N (para las etapas de la entrada y del mezclador en sintonizadores de FM y del VHF TV)Siemens
259504BF995ATetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De AgotamientoVishay
259505BF995BTetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De AgotamientoVishay
259506BF996SMos-fet dual-gate del N-canalPhilips
259507BF996STetrodo Dual De MOS&dash;Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De AgotamientoVishay
259508BF996STetrodo del MOSFET del canal del silicio N (para las etapas de la entrada en figura baja del ruido de la TV transconductancia DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de los sintonizadores de la alta)Siemens
259509BF996SCanal N MOSFET de doble puertaNXP Semiconductors
259510BF996SAN.Channel Se doblan Tetrodo De MOS-Fieldeffect De la Puerta/Modo De AgotamientoVishay
259511BF996SBN.Channel Se doblan Tetrodo De MOS-Fieldeffect De la Puerta/Modo De AgotamientoVishay
259512BF997Tetrodo del MOSFET del canal del silicio N (red integrada de la supresión contra oscilaciones falsas del VHF)Siemens
259513BF997Mos-fet dual-gate del N-canalPhilips
259514BF998MOS-FETs dual-gate del N-canal del silicioPhilips
259515BF998Tetrodo Dual De MOS&dash;Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De AgotamientoVishay
259516BF998Rf-rf-mosfet - VDS=8V, gfs=24mS, Gps=28dB, F=1dBInfineon
259517BF998Tetrodo del MOSFET del canal del silicio N (el transistor del Corto-canal con el alto factor de calidad de S/C para la entrada de poco ruido, ganar-controlada efectúa hasta 1 gigahertz)Siemens
259518BF998Canal N MOSFET de doble puertaNXP Semiconductors
259519BF998ATetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De AgotamientoVishay
259520BF998BTetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De AgotamientoVishay
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