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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
259521BF998RMOS-FETs dual-gate del N-canal del silicioPhilips
259522BF998RTetrodo Dual De MOS&dash;Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De AgotamientoVishay
259523BF998RRf-rf-mosfet - VDS=8V, gfs=24mS, Gps=28dB, F=1dBInfineon
259524BF998RTetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (transistor del Corto-canal con alto factor de calidad de S/C)Siemens
259525BF998RCanal N MOSFET de doble puertaNXP Semiconductors
259526BF998RATetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De AgotamientoVishay
259527BF998RAWTetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De AgotamientoVishay
259528BF998RBTetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De AgotamientoVishay
259529BF998RBWTetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De AgotamientoVishay
259530BF998RWTetrodo Dual De MOS&dash;Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De AgotamientoVishay
259531BF998WTetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (transistor del Corto-canal con alto factor de calidad de S/C)Siemens
259532BF998WTetrodo del Mosfet Del N-Canal Del SilicioInfineon
259533BF998WRMos-fet dual-gate del N-canalPhilips
259534BF998WRCanal N MOSFET de doble puertaNXP Semiconductors
259535BF999Rf-rf-mosfet - VDS=15V, gfs=16mS, Gp=25dB, F=1dBInfineon
259536BF999Triodo del Mosfet Del N-Canal Del SilicioInfineon
259537BF999Triodo del MOSFET del canal del silicio N (para las etapas de alta frecuencia hasta 300 megaciclos, preferiblemente en usos de FM)Siemens
259538BFAP15Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI



259539BFAP57Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
259540BFAP58Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
259541BFAP59Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
259542BFAP80Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
259543BFAP83Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
259544BFC134TO MOSFET DE LA GENERACIÓNSemeLAB
259545BFC134TO MOSFET DE LA GENERACIÓNSemeLAB
259546BFC40MOSFETS AISLADOS ALTO VOLTAJE DE LA ENERGÍA DEL MODO DEL REALCE DE N?CHANNELSemeLAB
259547BFC434TO MOSFET DE LA GENERACIÓNSemeLAB
259548BFC504TO MOSFET DE LA GENERACIÓNSemeLAB
259549BFC504TO MOSFET DE LA GENERACIÓNSemeLAB
259550BFC505Transistor wideband del cascode de NPNPhilips
259551BFC514TO MOSFET DE LA GENERACIÓNSemeLAB
259552BFC520Transistor wideband del cascode de NPNPhilips
259553BFC60MOSFETS AISLADOS ALTO VOLTAJE de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canalSemeLAB
259554BFC614TO MOSFET DE LA GENERACIÓNSemeLAB
259555BFC614TO MOSFET DE LA GENERACIÓNSemeLAB
259556BFE214Czêstotliwo¶ci del wielkiej de TranzystorUltra CEMI
259557BFE214RCzêstotliwo¶ci del wielkiej de TranzystorUltra CEMI
259558BFE215Czêstotliwo¶ci del wielkiej de TranzystorUltra CEMI
259559BFE215RCzêstotliwo¶ci del wielkiej de TranzystorUltra CEMI
259560BFE505Transistor diferenciado wideband de NPNPhilips
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