Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
259521 | BF998R | MOS-FETs dual-gate del N-canal del silicio | Philips |
259522 | BF998R | Tetrodo Dual De MOS‐Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento | Vishay |
259523 | BF998R | Rf-rf-mosfet - VDS=8V, gfs=24mS, Gps=28dB, F=1dB | Infineon |
259524 | BF998R | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (transistor del Corto-canal con alto factor de calidad de S/C) | Siemens |
259525 | BF998R | Canal N MOSFET de doble puerta | NXP Semiconductors |
259526 | BF998RA | Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De Agotamiento | Vishay |
259527 | BF998RAW | Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De Agotamiento | Vishay |
259528 | BF998RB | Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De Agotamiento | Vishay |
259529 | BF998RBW | Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De Agotamiento | Vishay |
259530 | BF998RW | Tetrodo Dual De MOS‐Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento | Vishay |
259531 | BF998W | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (transistor del Corto-canal con alto factor de calidad de S/C) | Siemens |
259532 | BF998W | Tetrodo del Mosfet Del N-Canal Del Silicio | Infineon |
259533 | BF998WR | Mos-fet dual-gate del N-canal | Philips |
259534 | BF998WR | Canal N MOSFET de doble puerta | NXP Semiconductors |
259535 | BF999 | Rf-rf-mosfet - VDS=15V, gfs=16mS, Gp=25dB, F=1dB | Infineon |
259536 | BF999 | Triodo del Mosfet Del N-Canal Del Silicio | Infineon |
259537 | BF999 | Triodo del MOSFET del canal del silicio N (para las etapas de alta frecuencia hasta 300 megaciclos, preferiblemente en usos de FM) | Siemens |
259538 | BFAP15 | Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
259539 | BFAP57 | Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
259540 | BFAP58 | Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
259541 | BFAP59 | Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
259542 | BFAP80 | Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
259543 | BFAP83 | Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
259544 | BFC13 | 4TO MOSFET DE LA GENERACIÓN | SemeLAB |
259545 | BFC13 | 4TO MOSFET DE LA GENERACIÓN | SemeLAB |
259546 | BFC40 | MOSFETS AISLADOS ALTO VOLTAJE DE LA ENERGÍA DEL MODO DEL REALCE DE N?CHANNEL | SemeLAB |
259547 | BFC43 | 4TO MOSFET DE LA GENERACIÓN | SemeLAB |
259548 | BFC50 | 4TO MOSFET DE LA GENERACIÓN | SemeLAB |
259549 | BFC50 | 4TO MOSFET DE LA GENERACIÓN | SemeLAB |
259550 | BFC505 | Transistor wideband del cascode de NPN | Philips |
259551 | BFC51 | 4TO MOSFET DE LA GENERACIÓN | SemeLAB |
259552 | BFC520 | Transistor wideband del cascode de NPN | Philips |
259553 | BFC60 | MOSFETS AISLADOS ALTO VOLTAJE de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | SemeLAB |
259554 | BFC61 | 4TO MOSFET DE LA GENERACIÓN | SemeLAB |
259555 | BFC61 | 4TO MOSFET DE LA GENERACIÓN | SemeLAB |
259556 | BFE214 | Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
259557 | BFE214R | Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
259558 | BFE215 | Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
259559 | BFE215R | Czêstotliwo¶ci del wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
259560 | BFE505 | Transistor diferenciado wideband de NPN | Philips |
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