Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
263481 | BMR-0401 | IC Del Reajuste De Sistema | Kondenshi Corp |
263482 | BMR-0401 | IC Del Reajuste De Sistema | Kodenshi Corp |
263483 | BMR-0401C | IC Del Reajuste De Sistema | Kodenshi Corp |
263484 | BMR-0401D | IC Del Reajuste De Sistema | Kondenshi Corp |
263485 | BMR-0401D | IC Del Reajuste De Sistema | Kodenshi Corp |
263486 | BMR-0401E | IC Del Reajuste De Sistema | Kondenshi Corp |
263487 | BMR-0401E | IC Del Reajuste De Sistema | Kodenshi Corp |
263488 | BMR-0401F | IC Del Reajuste De Sistema | Kondenshi Corp |
263489 | BMR-0401F | IC Del Reajuste De Sistema | Kodenshi Corp |
263490 | BMR-0401G | IC Del Reajuste De Sistema | Kondenshi Corp |
263491 | BMR-0401G | IC Del Reajuste De Sistema | Kodenshi Corp |
263492 | BMR-0401H | IC Del Reajuste De Sistema | Kondenshi Corp |
263493 | BMR-0401H | IC Del Reajuste De Sistema | Kodenshi Corp |
263494 | BMR-0401I | IC Del Reajuste De Sistema | Kondenshi Corp |
263495 | BMR-0401I | IC Del Reajuste De Sistema | Kodenshi Corp |
263496 | BMR0301 | IC Del Reajuste De Sistema | Kondenshi Corp |
263497 | BMR0301 | IC Del Reajuste De Sistema | Kodenshi Corp |
263498 | BMS4007 | Energía del canal N MOSFET, 75V, 60A, 7.8mOhm, TO-220ML (LS) | ON Semiconductor |
263499 | BMT0610B04 | Silicio microondas transistor de potencia. | BOPOLARICS |
263500 | BMT0912B150 | Silicio microondas transistor de potencia. | BOPOLARICS |
263501 | BMT10B450-50 | Silicio microondas transistor de potencia. | BOPOLARICS |
263502 | BMT1214B325-50 | Silicio microondas transistor de potencia. | BOPOLARICS |
263503 | BMT1417B02 | Silicio microondas transistor de potencia. | BOPOLARICS |
263504 | BMT1417B06 | Silicio microondas transistor de potencia. | BOPOLARICS |
263505 | BMT1417B12 | Silicio microondas transistor de potencia. | BOPOLARICS |
263506 | BMT1417B26 | Silicio microondas transistor de potencia. | BOPOLARICS |
263507 | BMT1720B02 | Silicio microondas transistor de potencia. | BOPOLARICS |
263508 | BMT1720B06 | Silicio microondas transistor de potencia. | BOPOLARICS |
263509 | BMT1720B10 | Silicio microondas transistor de potencia. | BOPOLARICS |
263510 | BMT1720B20 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DE LA MICROONDA DEL SILICIO | etc |
263511 | BMT1720B20 | Silicio microondas transistor de potencia. | BOPOLARICS |
263512 | BN1A3Q | Transistor compuesto | NEC |
263513 | BN1A3Q(M) | Transistor compuesto | NEC |
263514 | BN1A3Q(M)-T | Transistor compuesto | NEC |
263515 | BN1A3Q-T | Transistor compuesto | NEC |
263516 | BN1A3Q-T/JM | Transistor compuesto | NEC |
263517 | BN1A3Q/JM | Transistor compuesto | NEC |
263518 | BN1A4M | El BN1A4M se diseña para el uso en circuito medio de laconmutación de la velocidad. | NEC |
263519 | BN1A4P | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | NEC |
263520 | BN1A4Z | Transistor compuesto | NEC |
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