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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
263481BMR-0401IC Del Reajuste De SistemaKondenshi Corp
263482BMR-0401IC Del Reajuste De SistemaKodenshi Corp
263483BMR-0401CIC Del Reajuste De SistemaKodenshi Corp
263484BMR-0401DIC Del Reajuste De SistemaKondenshi Corp
263485BMR-0401DIC Del Reajuste De SistemaKodenshi Corp
263486BMR-0401EIC Del Reajuste De SistemaKondenshi Corp
263487BMR-0401EIC Del Reajuste De SistemaKodenshi Corp
263488BMR-0401FIC Del Reajuste De SistemaKondenshi Corp
263489BMR-0401FIC Del Reajuste De SistemaKodenshi Corp
263490BMR-0401GIC Del Reajuste De SistemaKondenshi Corp
263491BMR-0401GIC Del Reajuste De SistemaKodenshi Corp
263492BMR-0401HIC Del Reajuste De SistemaKondenshi Corp
263493BMR-0401HIC Del Reajuste De SistemaKodenshi Corp
263494BMR-0401IIC Del Reajuste De SistemaKondenshi Corp
263495BMR-0401IIC Del Reajuste De SistemaKodenshi Corp
263496BMR0301IC Del Reajuste De SistemaKondenshi Corp
263497BMR0301IC Del Reajuste De SistemaKodenshi Corp
263498BMS4007Energía del canal N MOSFET, 75V, 60A, 7.8mOhm, TO-220ML (LS)ON Semiconductor
263499BMT0610B04Silicio microondas transistor de potencia.BOPOLARICS



263500BMT0912B150Silicio microondas transistor de potencia.BOPOLARICS
263501BMT10B450-50Silicio microondas transistor de potencia.BOPOLARICS
263502BMT1214B325-50Silicio microondas transistor de potencia.BOPOLARICS
263503BMT1417B02Silicio microondas transistor de potencia.BOPOLARICS
263504BMT1417B06Silicio microondas transistor de potencia.BOPOLARICS
263505BMT1417B12Silicio microondas transistor de potencia.BOPOLARICS
263506BMT1417B26Silicio microondas transistor de potencia.BOPOLARICS
263507BMT1720B02Silicio microondas transistor de potencia.BOPOLARICS
263508BMT1720B06Silicio microondas transistor de potencia.BOPOLARICS
263509BMT1720B10Silicio microondas transistor de potencia.BOPOLARICS
263510BMT1720B20TRANSISTOR DE ENERGÍA DE LA MICROONDA DEL SILICIOetc
263511BMT1720B20Silicio microondas transistor de potencia.BOPOLARICS
263512BN1A3QTransistor compuestoNEC
263513BN1A3Q(M)Transistor compuestoNEC
263514BN1A3Q(M)-TTransistor compuestoNEC
263515BN1A3Q-TTransistor compuestoNEC
263516BN1A3Q-T/JMTransistor compuestoNEC
263517BN1A3Q/JMTransistor compuestoNEC
263518BN1A4MEl BN1A4M se diseña para el uso en circuito medio de laconmutación de la velocidad.NEC
263519BN1A4PTRANSISTOR DEL SILICIO DE PNPNEC
263520BN1A4ZTransistor compuestoNEC
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