| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 268961 | BSS8402DW-13-F | Par complementario modo del realce del MOSFET | Diodes |
| 268962 | BSS8402DW-7 | TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO COMPLEMENTARIO DEL MODO DEL REALCE DEL PAR | Diodes |
| 268963 | BSS8402DW-7-F | Par complementario modo del realce del MOSFET | Diodes |
| 268964 | BSS8402DWK | Par complementario modo del realce del MOSFET | Diodes |
| 268965 | BSS8402DWQ-13 | Par complementario modo del realce del MOSFET | Diodes |
| 268966 | BSS8402DWQ-7 | Par complementario modo del realce del MOSFET | Diodes |
| 268967 | BSS84AK | 50 V, 180 mA MOSFET de canal P Trench | NXP Semiconductors |
| 268968 | BSS84AKM | 50 V, 230 mA MOSFET de canal P Trench | NXP Semiconductors |
| 268969 | BSS84AKMB | 50 V, solo MOSFET de canal P Trench | NXP Semiconductors |
| 268970 | BSS84AKS | 50 V, 160 mA de doble canal P MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268971 | BSS84AKT | 50 V, 150 mA MOSFET de canal P Trench | NXP Semiconductors |
| 268972 | BSS84AKV | 50 V, 170 mA de doble canal P MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268973 | BSS84AKW | 50 V, 150 mA MOSFET de canal P Trench | NXP Semiconductors |
| 268974 | BSS84DW | MOSFETS | Diodes |
| 268975 | BSS84DW-7-F | MODO DUAL P-REALCE Del CANAL MOSFET | Diodes |
| 268976 | BSS84L | MAmps del MOSFET 130 de la energía, 50 voltios | ON Semiconductor |
| 268977 | BSS84LT1 | MAmps del MOSFET 130 de la energía, 50 voltios | ON Semiconductor |
| 268978 | BSS84LT1-D | Accione los mAmps del MOSFET 130, 50 voltios de P-Canal Sot-23 | ON Semiconductor |
| 268979 | BSS84LT1G | MAmps del MOSFET 130 de la energía, 50 voltios | ON Semiconductor |
| 268980 | BSS84P | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet Pequeño De la Señal, -60V, Sot-23, RDSon = 8 | Infineon |
| 268981 | BSS84P | Transistor Small-Signal Del P-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268982 | BSS84PW | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet Pequeño De la Señal, -60V, Sot-323, RDSon = 8 | Infineon |
| 268983 | BSS84V | DUAL P-CANAL DEL MODO DEL REALCE transistor de efecto campo | Diodes |
| 268984 | BSS84V-7 | DUAL P-CANAL DEL MODO DEL REALCE transistor de efecto campo | Diodes |
| 268985 | BSS84W | MOSFETS | Diodes |
| 268986 | BSS84W-7-F | P-CANAL DEL MODO DEL REALCE transistor de efecto campo | Diodes |
| 268987 | BSS87 | transistor vertical D-MOS del modo del realce del N-canal | Philips |
| 268988 | BSS87 | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet Pequeño De la Señal, 240V, Sot-89, RDSon=6.0 Ohmio, 0.29A, LL | Infineon |
| 268989 | BSS87 | Transistor small-Signal de SIPMOS (nivel de la lógica del modo del realce del canal de N) | Siemens |
| 268990 | BSS87 | D-MOS FET nivel intermedio vertical de N-canal | NXP Semiconductors |
| 268991 | BSS88 | Transistor De la Pequeño-Señal Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268992 | BSS88 | Transistor small-Signal de SIPMOS (nivel de la lógica del modo del realce del canal de N) | Siemens |
| 268993 | BSS88E6288 | Transistor De la Pequeño-Señal Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268994 | BSS88E6296 | Transistor De la Pequeño-Señal Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268995 | BSS88E6325 | Transistor De la Pequeño-Señal Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268996 | BSS88E7740 | Transistor De la Pequeño-Señal Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268997 | BSS89 | Transistor De la Pequeño-Señal Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268998 | BSS89 | Transistor small-Signal de SIPMOS (nivel de la lógica del modo del realce del canal de N) | Siemens |
| 268999 | BSS89 | transistor vertical D-MOS del modo del realce del N-canal | Philips |
| 269000 | BSS89E6288 | Transistor De la Pequeño-Señal Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
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