| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 272401 | BU4066BC | Interruptor del análogo del cuadrángulo | ROHM |
| 272402 | BU4066BC/BCF/BCFV | > Estándar De LSIs De la Lógica; Serie de la lógica BU4000B del Cmos | ROHM |
| 272403 | BU4066BCF | Interruptor del análogo del cuadrángulo | ROHM |
| 272404 | BU4066BCFV | Interruptor del análogo del cuadrángulo | ROHM |
| 272405 | BU4069UB | Inversor de la tuerca hexagonal | ROHM |
| 272406 | BU4069UB/UBF/UBFV | > Estándar De LSIs De la Lógica; Serie de la lógica BU4000B del Cmos | ROHM |
| 272407 | BU4069UBF | Inversor de la tuerca hexagonal | ROHM |
| 272408 | BU4069UBFV | Inversor de la tuerca hexagonal | ROHM |
| 272409 | BU406D | ENERGÍA TRANSISTORS(7A, 150-200v, 60w) | MOSPEC Semiconductor |
| 272410 | BU406D | TRANSISTOR DE ENERGÍA DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 272411 | BU406D | USO EPITAXIAL DE LA CONMUTACIÓN DEL VOLTAJE DEL SILICIO TRANSISTOR(HIGH DE NPN EN ETAPA HORIZONTAL DE LA SALIDA DE LA DESVIACIÓN) | Wing Shing Computer Components |
| 272412 | BU406D | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 272413 | BU406D | NPN, el transistor de deflexión horizontal. Por etapas de salida de deflexión horizontal de TV y CRT. VCEO = 200 VCD, VCBO = 400Vdc, Vcev = 400Vdc, Veb = 6Vdc, Ic = 7Adc, PD = 60W. | USHA India LTD |
| 272414 | BU406H | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 272415 | BU406H | 400 V, 7 A, transistor NPN de silicio epitaxial | Samsung Electronic |
| 272416 | BU406H | NPN transistor de silicio epitaxial. De conmutación de alta tensión para la etapa de salida de deflexión horizontal. Colector-base de 400V de tensión. Colector-emisor 200 V de tensión. Tensión emisor-base de 6V. | Wing Shing Computer Components |
| 272417 | BU406TU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 272418 | BU407 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 272419 | BU407 | TRANSISTOR ALTO DEL SILICIO DE LA CORRIENTE NPN | ST Microelectronics |
| 272420 | BU407 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | Power Innovations |
| 272421 | BU407 | ENERGÍA TRANSISTORS(7A, 150-200v, 60w) | MOSPEC Semiconductor |
| 272422 | BU407 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 272423 | BU407 | DESCRIPCIÓN EPITAXIAL DEL SILICIO PLANNAR TRANSISTOR(GENERAL) | Wing Shing Computer Components |
| 272424 | BU407 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 272425 | BU407 | Energía 7A 150V DEF NPN | ON Semiconductor |
| 272426 | BU407 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
| 272427 | BU407 | 60.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 150V VCEO, 7.000A Ic, hFE. | Continental Device India Limited |
| 272428 | BU407 | Transistor NPN de potencia | Motorola |
| 272429 | BU407 | ALTA CORRIENTE DEL TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 272430 | BU407 | 330 V, 7 A, 60 W, transistor de potencia de silicio de NPN | Texas Instruments |
| 272431 | BU407 | NPN, el transistor de deflexión horizontal de etapas de salida de deflexión horizontal de TV y SRT. VCEO = 150Vdc, VCBO = 330Vdc, Vcev = 330Vdc, Veb = 6Vdc, Ic = 7Adc, PD = 60W. | USHA India LTD |
| 272432 | BU4070B | Exclusiva O puerta del cuadrángulo | ROHM |
| 272433 | BU4070B/BF | > Estándar De LSIs De la Lógica; Serie de la lógica BU4000B del Cmos | ROHM |
| 272434 | BU4070BF | Exclusiva O puerta del cuadrángulo | ROHM |
| 272435 | BU407D | ENERGÍA TRANSISTORS(7A, 150-200v, 60w) | MOSPEC Semiconductor |
| 272436 | BU407D | TRANSISTOR DE ENERGÍA DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 272437 | BU407D | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 272438 | BU407H | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 272439 | BU407H | ENERGÍA TRANSISTORS(7A, 150-200v, 60w) | MOSPEC Semiconductor |
| 272440 | BU407H | 330 V, 7 A, transistor NPN de silicio epitaxial | Samsung Electronic |
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