| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 308681 | CDD120N18 | Módulos Del Diodo-Diodo | etc |
| 308682 | CDD120N18 | Módulos Del Diodo-Diodo | etc |
| 308683 | CDD1933 | 30.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 4.000A Ic, 1000-10000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 308684 | CDD2061 | 2.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-500 hFE. | Continental Device India Limited |
| 308685 | CDD2395 | 2.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 3.000A Ic, 60-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 308686 | CDE-15PF | CONECTADOR "copia MÁS OSCURA"DEL TIPO DE LA ENCRESPADURA | Hirose Electric |
| 308687 | CDE-15SF | CONECTADOR "copia MÁS OSCURA"DEL TIPO DE LA ENCRESPADURA | Hirose Electric |
| 308688 | CDE-25PF | CONECTADOR "copia MÁS OSCURA"DEL TIPO DE LA ENCRESPADURA | Hirose Electric |
| 308689 | CDE-25SF | CONECTADOR "copia MÁS OSCURA"DEL TIPO DE LA ENCRESPADURA | Hirose Electric |
| 308690 | CDE-37PF | CONECTADOR "copia MÁS OSCURA"DEL TIPO DE LA ENCRESPADURA | Hirose Electric |
| 308691 | CDE-37SF | CONECTADOR "copia MÁS OSCURA"DEL TIPO DE LA ENCRESPADURA | Hirose Electric |
| 308692 | CDE-9PF | CONECTADOR "copia MÁS OSCURA"DEL TIPO DE LA ENCRESPADURA | Hirose Electric |
| 308693 | CDE-9SF | CONECTADOR "copia MÁS OSCURA"DEL TIPO DE LA ENCRESPADURA | Hirose Electric |
| 308694 | CDF7621-000 | Virutas Del Diodo De Schottky Del Silicio | Skyworks Solutions |
| 308695 | CDF7623-000 | Virutas Del Diodo De Schottky Del Silicio | Skyworks Solutions |
| 308696 | CDG00 | Diodo De Detector | Honey Technology |
| 308697 | CDG00 | DIODO DE DETECTOR | Semtech |
| 308698 | CDG22 | Diodo Que predispone Planar Del Silicio | Honey Technology |
| 308699 | CDG22 | DIODO QUE PREDISPONE PLANAR DEL SILICIO | Semtech |
| 308700 | CDG23 | Diodo Que predispone Planar Del Silicio | Honey Technology |
| 308701 | CDG23 | DIODO QUE PREDISPONE PLANAR DEL SILICIO | Semtech |
| 308702 | CDG24 | Diodo Que predispone Planar Del Silicio | Honey Technology |
| 308703 | CDG24 | DIODO QUE PREDISPONE PLANAR DEL SILICIO | Semtech |
| 308704 | CDG25 | Diodo Que predispone Planar Del Silicio | Honey Technology |
| 308705 | CDG25 | DIODO QUE PREDISPONE PLANAR DEL SILICIO | Semtech |
| 308706 | CDG26 | Diodo Que predispone Planar Del Silicio | Honey Technology |
| 308707 | CDG26 | DIODO QUE PREDISPONE PLANAR DEL SILICIO | Semtech |
| 308708 | CDG4500 | 4 Canal Multiplexor El De alta frecuencia del Cmos/de DMOS | TelCom Semiconductor |
| 308709 | CDH300 | Fines generales Plomados Del Diodo Del Silicio | Central Semiconductor |
| 308710 | CDH333 | Fines generales Plomados Del Diodo Del Silicio | Central Semiconductor |
| 308711 | CDH53 | INDUCTORES de la ENERGÍA (Tipo de SMT) | Sumida |
| 308712 | CDH53 | INDUCTORES de la ENERGÍA (Tipo de SMT) | Sumida |
| 308713 | CDK8904-5 | Kit 5.0V del desarrollador | Cirrus Logic |
| 308714 | CDL13005 | TRANSISTOR DE ENERGÍA PLÁSTICO DE NPN | Continental Device India Limited |
| 308715 | CDL13005 | TRANSISTOR DE ENERGÍA PLÁSTICO DE NPN | Continental Device India Limited |
| 308716 | CDL13005A | 75.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 400V VCEO, 4.000A Ic, 10-21 hFE. | Continental Device India Limited |
| 308717 | CDL13005B | 75.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 400V VCEO, 4.000A Ic, 20-31 hFE. | Continental Device India Limited |
| 308718 | CDL13005C | 75.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 400V VCEO, 4.000A Ic, 30 - 41 hFE. | Continental Device India Limited |
| 308719 | CDL13005E | 75.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 400V VCEO, 4.000A Ic, 40 - 50 hFE. | Continental Device India Limited |
| 308720 | CDL13007 | 80.000W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 400V VCEO, 6.000A Ic, 8-40 hFE. | Continental Device India Limited |
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