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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
316281CM3P-230LGastube pararrayos, 230VSEMITEC
316282CM3P-250LGastube pararrayos, 250VSEMITEC
316283CM3P-350LGastube pararrayos, 350VSEMITEC
316284CM3P-400LGastube pararrayos, 400VSEMITEC
316285CM400DU-12FMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
316286CM400DU-12FUSO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316287CM400DU-12FDiseño IGBTMOD¢â Dual De la Puerta Del Foso 400 Voltios Amperes/600Powerex Power Semiconductors
316288CM400DU-12HMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
316289CM400DU-12HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316290CM400DU-12HVoltios Duales Amperes/600 de IGBTMOD 400Powerex Power Semiconductors
316291CM400DU-12NFHIGBTMOD¢â Dual De alta frecuencia 400 Voltios Amperes/600Powerex Power Semiconductors
316292CM400DU-24FIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316293CM400DU-24FVoltios Duales Amperes/1200 de IGBTMOD 400Powerex Power Semiconductors
316294CM400DU-34KAIGBT Modules:1700VMitsubishi Electric Corporation
316295CM400DU-34KAVoltios Duales Amperes/1700 de IGBTMOD 400Powerex Power Semiconductors
316296CM400DU-5FMódulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
316297CM400DU-5FDiseño IGBTMOD¢â Dual De la Puerta Del Foso 400 Voltios Amperes/250Powerex Power Semiconductors
316298CM400DY-12HMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
316299CM400DY-12HMÓDULOS AISLADOS USO DEL TIPO IGBT DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAMitsubishi Electric Corporation



316300CM400DY-12HVoltios Duales Amperes/600 de IGBTMOD 400Powerex Power Semiconductors
316301CM400DY-24AUSO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAMitsubishi Electric Corporation
316302CM400DY-50HMódulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316303CM400DY-50HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAPowerex Power Semiconductors
316304CM400DY-66HMódulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316305CM400DY-66HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAPowerex Power Semiconductors
316306CM400HA-12HMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
316307CM400HA-12HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316308CM400HA-12HSolos Voltios Amperes/600 de IGBTMOD 400Powerex Power Semiconductors
316309CM400HA-24TIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAMitsubishi Electric Corporation
316310CM400HA-24Solos Voltios Amperes/1200 de IGBTMOD 400Powerex Power Semiconductors
316311CM400HA-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316312CM400HA-24HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316313CM400HA-24HSolos Voltios Amperes/1200 de IGBTMOD 400Powerex Power Semiconductors
316314CM400HA-28HMódulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316315CM400HA-28HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316316CM400HA-28HSolos Voltios Amperes/1400 de IGBTMOD 400Powerex Power Semiconductors
316317CM400HA-34HIGBT Modules:1700VMitsubishi Electric Corporation
316318CM400HA-34HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316319CM400HA-34HSolos Voltios Amperes/1700 de IGBTMOD 400Powerex Power Semiconductors
316320CM400HB-90HMódulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
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