| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 419961 | FODM8801 | OptoHiT TM Series, de alta temperatura fototransistor optoacoplador en Half-Pitch Mini-Flat 4-Pin Package | Fairchild Semiconductor |
| 419962 | FODM8801A | Serie OptoHiT, Fototransistor de alta temperatura | Fairchild Semiconductor |
| 419963 | FODM8801B | Serie OptoHiT, Fototransistor de alta temperatura | Fairchild Semiconductor |
| 419964 | FODM8801C | Serie OptoHiT, Fototransistor de alta temperatura | Fairchild Semiconductor |
| 419965 | FOIL - HERMETIC RESISTOR NETWORK | Redes herméticas del resistor, características de paquetes disponibles <! -- --> de Aerospace/Instrumentation | Vishay |
| 419966 | FOOTPRINT-SOD80C | Huella del tablero de la PC | Philips |
| 419967 | FOR261F-1 | V (cc): + 6V; fibra óptica TTL monolítico receptor. Para las comunicaciones de datos, módem óptica, control de maquinaria industrial, control de periféricos / comunicaciones | National Semiconductor |
| 419968 | FOR261F-2 | V (cc): + 6V; fibra óptica TTL monolítico receptor. Para las comunicaciones de datos, módem óptica, control de maquinaria industrial, control de periféricos / comunicaciones | National Semiconductor |
| 419969 | FOR361B | Receptor Fibroóptico | National Semiconductor |
| 419970 | FOR361B-1 | V (cc): + 6V; de fibra óptica receptor. Para las comunicaciones de datos, módem óptica, control de maquinaria industrial, control de periféricos / comunicaciones, etc. | National Semiconductor |
| 419971 | FOR361B-2 | V (cc): + 6V; de fibra óptica receptor. Para las comunicaciones de datos, módem óptica, control de maquinaria industrial, control de periféricos / comunicaciones, etc. | National Semiconductor |
| 419972 | FP | El Tamaño Industrial, Ininflamable, Pequeño, Bajo Costo, Características Excepcionales De la Frecuencia, Electrochapadas, Lata-Conduce Los Plomos Del Final De la Soldadura | Vishay |
| 419973 | FP-14DA | Inversores Del Schmitt-disparador De la Tuerca hexagonal | Hitachi Semiconductor |
| 419974 | FP-14DA | Inversores Del Schmitt-disparador De la Tuerca hexagonal | Hitachi Semiconductor |
| 419975 | FP-14DN | Inversores Del Schmitt-disparador De la Tuerca hexagonal | Hitachi Semiconductor |
| 419976 | FP-14DN | Inversores Del Schmitt-disparador De la Tuerca hexagonal | Hitachi Semiconductor |
| 419977 | FP1 | transistor epitaxial del silicio del resistor PNP de la en-viruta para la conmutación de la mediados de-velocidad | NEC |
| 419978 | FP1 | transistor epitaxial del silicio del resistor PNP de la en-viruta para la conmutación de la mediados de-velocidad | NEC |
| 419979 | FP1/2P, 1P, 2P, 3P, 69P | Pulse Withstanding Protective, Lightning Withstanding Characteristics along with Resistor Functionality, Sharper Fusing Characteristic than the Standard Flameproof Product Line (Fusible), Protects Against Electrical Hazards | Vishay |
| 419980 | FP100 | ALTO RENDIMIENTO PHEMT | Filtronic |
| 419981 | FP100F | 10000 V pila rectificador 2.2 Una corriente directa, 150 ns de tiempo de recuperación | Voltage Multipliers |
| 419982 | FP100S | 10000 V pila rectificador 2.2 Una corriente directa, 3000 ns tiempo de recuperación | Voltage Multipliers |
| 419983 | FP101 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de PNP/Usos Compuestos Del Convertidor De C.C.-C.C. Del Diodo De Barrera De Schottky | SANYO |
| 419984 | FP102 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de PNP/Usos Compuestos Del Convertidor De C.C.-C.C. Del Diodo De Barrera De Schottky | SANYO |
| 419985 | FP103 | Usos Planar Epitaxial Del Convertidor Del Diodo De Barrera De Schottky Del Transistor Del Silicio de PNP DC/DC | SANYO |
| 419986 | FP104 | Usos Planar Epitaxial Del Convertidor De C.C.-C.C. Del Diodo De Barrera Del Transistor SBD:Schottky Del Silicio de TR:PNP | SANYO |
| 419987 | FP105 | Usos Planar Epitaxial Del Convertidor De C.C.-C.C. Del Diodo De Barrera Del Transistor SBD:Schottky Del Silicio de TR:PNP | SANYO |
| 419988 | FP106 | Usos Planar Epitaxial Del Convertidor De C.C.-C.C. Del Diodo De Barrera Del Transistor SBD:Schottky Del Silicio de TR:PNP | SANYO |
| 419989 | FP107 | Usos Planar Epitaxial Del Convertidor De C.C.-C.C. Del Diodo De Barrera Del Transistor SBD:Schottky Del Silicio de TR:PNP | SANYO |
| 419990 | FP108 | Usos Planar Epitaxial Del Convertidor De C.C.-C.C. Del Diodo De Barrera Del Transistor SBD:Schottky Del Silicio de TR:PNP | SANYO |
| 419991 | FP10R06KL4 | Elektrische Eigenschaften/características eléctricas | Eupec |
| 419992 | FP10R06KL4 | Elektrische Eigenschaften/características eléctricas | Eupec |
| 419993 | FP1189 | HFET 1/2 vatio | WJ Communications |
| 419994 | FP1189-PCB-1900 | HFET 1/2 vatio | WJ Communications |
| 419995 | FP1189-PCB-900 | HFET 1/2 vatio | WJ Communications |
| 419996 | FP125F | 12500 V pila rectificador 2.2 Una corriente directa, 150 ns de tiempo de recuperación | Voltage Multipliers |
| 419997 | FP125S | 12500 V pila rectificador 2.2 Una corriente directa, 3000 ns tiempo de recuperación | Voltage Multipliers |
| 419998 | FP150F | 15000 V pila rectificador 2.2 Una corriente directa, 150 ns de tiempo de recuperación | Voltage Multipliers |
| 419999 | FP150S | 15000 V pila rectificador 2.2 Una corriente directa, 3000 ns tiempo de recuperación | Voltage Multipliers |
| 420000 | FP150TA10U | MEDIO MOSFET A-A - PAK DE LA ENERGÍA DE BRODGE HEXFET | etc |
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