| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 420041 | FP201L100 | Sensor Magnetoresistente Diferenciado | Siemens |
| 420042 | FP202 | Usos De Circuito De movimiento reciproco Del Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de PNP/NPN | SANYO |
| 420043 | FP202 | Hermético Plano-Embala | Vishay |
| 420044 | FP203 | Usos De Circuito De movimiento reciproco Del Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de PNP/NPN | SANYO |
| 420045 | FP204 | Usos De Circuito De movimiento reciproco De los Transistores Planar Epitaxial Del Silicio de PNP/NPN | SANYO |
| 420046 | FP204G | RECTIFICADORES RÁPIDOS APACIGUADOS CRISTAL DE LA RECUPERACIÓN DE 2,0 AMPERIOS | Formosa MS |
| 420047 | FP205 | Usos De Circuito De movimiento reciproco De los Transistores Planar Epitaxial Del Silicio de PNP/NPN | SANYO |
| 420048 | FP206 | Usos De Circuito De movimiento reciproco De los Transistores Planar Epitaxial Del Silicio de PNP/NPN | SANYO |
| 420049 | FP207 | Usos De Circuito De movimiento reciproco De los Transistores Planar Epitaxial Del Silicio de PNP/NPN | SANYO |
| 420050 | FP208 | Usos Planar Epitaxial Del Conductor Del Transistor Del Silicio de PNP | SANYO |
| 420051 | FP209 | Usos Planar Epitaxial Del Conductor Del Transistor Del Silicio de NPN | SANYO |
| 420052 | FP210 | Usos Planar Epitaxial Del Conductor Del Transistor Del Silicio de NPN | SANYO |
| 420053 | FP210D250-22 | Sensor Magnetoresistente Diferenciado | Infineon |
| 420054 | FP210D250-22 | Sensor Magnetoresistente Diferenciado | Siemens |
| 420055 | FP210L100-22 | Sensor Magnetoresistente Diferenciado | Infineon |
| 420056 | FP210L100-22 | Sensor Magnetoresistente Diferenciado | Siemens |
| 420057 | FP211 | Usos Planar Epitaxial Del Conductor Del Transistor Del Silicio de NPN | SANYO |
| 420058 | FP212 | Usos De alto voltaje Del Conductor De los Transistores Planar Epitaxial Del Silicio de PNP/NPN | SANYO |
| 420059 | FP212D250-22 | Sensor Magnetoresistente Diferenciado | Infineon |
| 420060 | FP212D250-22 | Sensor Magnetoresistente Diferenciado | Siemens |
| 420061 | FP212L100-22 | Sensor Magnetoresistente Diferenciado | Infineon |
| 420062 | FP212L100-22 | Sensor Magnetoresistente Diferenciado | Siemens |
| 420063 | FP213 | Usos Planar Epitaxial Del Conductor Del Motor Del Transistor Del Silicio de PNP | SANYO |
| 420064 | FP214 | Usos Planar Epitaxial Del Conductor Del Motor Del Transistor Del Silicio de NPN | SANYO |
| 420065 | FP215 | Transistores Compuestos Amperio De alta frecuencia, Usos Diferenciados Del Silicio Planar Epitaxial de PNP Del Amperio | SANYO |
| 420066 | FP216 | Usos Planar Epitaxial De la Impulsión Del Contraluz del Lcd Del Transistor Del Silicio de NPN | SANYO |
| 420067 | FP2189 | alto rendimiento 1-Watt HFET (FET de la heteroestructura) en un surfacemount barato SOT-89 | WJ Communications |
| 420068 | FP2189 | alto rendimiento 1-Watt HFET (FET de la heteroestructura) en un surfacemount barato SOT-89 | WJ Communications |
| 420069 | FP2189-PCB1900S | alto rendimiento 1-Watt HFET (FET de la heteroestructura) en un surfacemount barato SOT-89 | WJ Communications |
| 420070 | FP2189-PCB1900S | alto rendimiento 1-Watt HFET (FET de la heteroestructura) en un surfacemount barato SOT-89 | WJ Communications |
| 420071 | FP2189-PCB2140S | alto rendimiento 1-Watt HFET (FET de la heteroestructura) en un surfacemount barato SOT-89 | WJ Communications |
| 420072 | FP2189-PCB2140S | alto rendimiento 1-Watt HFET (FET de la heteroestructura) en un surfacemount barato SOT-89 | WJ Communications |
| 420073 | FP2189-PCB900S | alto rendimiento 1-Watt HFET (FET de la heteroestructura) en un surfacemount barato SOT-89 | WJ Communications |
| 420074 | FP2189-PCB900S | alto rendimiento 1-Watt HFET (FET de la heteroestructura) en un surfacemount barato SOT-89 | WJ Communications |
| 420075 | FP2800A | Conductor Del Decodificador | AZ Displays |
| 420076 | FP301 | Usos Planar Epitaxial Del Convertidor De C.C.-C.C. Del Diodo De Barrera Del Transistor SBD:Schottky Del Silicio de TR:NPN | SANYO |
| 420077 | FP302 | Usos Planar Epitaxial Del Convertidor De C.C.-C.C. Del Diodo De Barrera Del Transistor SBD:Schottky Del Silicio de TR:NPN | SANYO |
| 420078 | FP303 | Usos Planar Epitaxial Del Convertidor De C.C.-C.C. Del Diodo De Barrera Del Transistor SBD:Schottky Del Silicio de TR:NPN | SANYO |
| 420079 | FP304 | Convertidor Planar Epitaxial De C.C.-C.C. Del Diodo De Barrera Del Transistor SBD:Schottky Del Silicio de TR:NPN | SANYO |
| 420080 | FP310L100 | Potenciómetro Sin contacto | Siemens |
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