| 435580 | GA1L4Z | TRANSISTOR Incorporado del TIPO NPN de la VELOCIDAD del RESISTOR MEDIO de la CONMUTACIÓN | NEC |
| 435581 | GA1L4Z-T1 | Transistor híbrido | NEC |
| 435582 | GA1L4Z-T2 | Transistor híbrido | NEC |
| 435583 | GA200 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 435584 | GA200A | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 435585 | GA200HS60S | Mitad-Puente (estándar) IGBT de 600V Dc-1 kilociclo en un paquete Interno-Uno-Pak | International Rectifier |
| 435586 | GA200NS61U | tajada S IGBT de 600V UltraFast 10-30 kilociclo Hs en un paquete Interno-Uno-Pak | International Rectifier |
| 435587 | GA200SA60S | 600V Dc-1 kilociclo solo IGBT (estándar) en un paquete Sot-227 | International Rectifier |
| 435588 | GA200SA60U | 600V UltraFast 10-30 kilociclos escogen IGBT en un paquete Sot-227 | International Rectifier |
| 435589 | GA200TD120U | Mitad-Puente IGBT de 1200V UltraFast 10-30 kilociclo en un paquete Interno-Uno-Pak dual | International Rectifier |
| 435590 | GA200TS60U | Mitad-Puente IGBT de 600V UltraFast 10-30 kilociclo en un paquete Interno-Uno-Pak | International Rectifier |
| 435591 | GA201 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 435592 | GA201A | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 435593 | GA250TD120U | Mitad-Puente IGBT de 1200V UltraFast 10-30 kilociclo en un paquete Interno-Uno-Pak dual | International Rectifier |
| 435594 | GA250TS60U | Mitad-Puente IGBT de 600V UltraFast 10-30 kilociclo en un paquete Interno-Uno-Pak | International Rectifier |
| 435595 | GA300 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 435596 | GA300A | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 435597 | GA300TD60U | Mitad-Puente IGBT de 600V UltraFast 10-30 kilociclo en un paquete Interno-Uno-Pak dual | International Rectifier |
| 435598 | GA301 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 435599 | GA301A | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 435600 | GA3201 | DynamEQ Programable II | Gennum Corporation |
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