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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
439561GES2222APlanar epitaxial transistor de silicio pasivado NPN. 40V, 400mA.General Electric Solid State
439562GES2646Transistor monounión silicio. 30V, 50mA.General Electric Solid State
439563GES2647Transistor monounión silicio. 30V, 50mA.General Electric Solid State
439564GES2904Planar epitaxial transistor PNP de silicio. 40V, 600mA.General Electric Solid State
439565GES2904APlanar epitaxial transistor PNP de silicio. 60V, 600mA.General Electric Solid State
439566GES2905Planar epitaxial transistor PNP de silicio. 40V, 600mA.General Electric Solid State
439567GES2905APlanar epitaxial transistor PNP de silicio. 60V, 600mA.General Electric Solid State
439568GES2906Planar epitaxial transistor de silicio pasivado PNP. -40V, -350mA.General Electric Solid State
439569GES2906APlanar epitaxial transistor de silicio pasivado PNP. -40V, -350mA.General Electric Solid State
439570GES2907Planar epitaxial transistor de silicio pasivado PNP. -40V, -350mA.General Electric Solid State
439571GES2907APlanar epitaxial transistor de silicio pasivado PNP. -40V, -350mA.General Electric Solid State
439572GES3414Transistor de silicio. 25V, 500mA.General Electric Solid State
439573GES3415Transistor de silicio. 25V, 500mA.General Electric Solid State
439574GES3416Transistor de silicio. 50V, 500mA.General Electric Solid State
439575GES3417Transistor de silicio. 50V, 500mA.General Electric Solid State
439576GES5305TRANSISTORES DEL SILICIO DARLINGTONGeneral Electric Solid State
439577GES5306TRANSISTORES DEL SILICIO DARLINGTONGeneral Electric Solid State
439578GES5306ATRANSISTORES DEL SILICIO DARLINGTONGeneral Electric Solid State
439579GES5307Planar epitaxial del silicio de NPN Darlington pasivado transistor. 40V, 300mA.General Electric Solid State



439580GES5308Planar epitaxial del silicio de NPN Darlington pasivado transistor. 40V, 300mA.General Electric Solid State
439581GES5308APlanar epitaxial del silicio de NPN Darlington pasivado transistor. 40V, 300mA.General Electric Solid State
439582GES5401TRANSISTORES DEL SILICIOGeneral Electric Solid State
439583GES5551TRANSISTORES DEL SILICIOGeneral Electric Solid State
439584GES5810Planar epitaxial transistor de silicio pasivado NPN. 25V, 750mA.General Electric Solid State
439585GES5810-J1Transistores Pequeños De la SeñalCentral Semiconductor
439586GES5811Planar epitaxial transistor de silicio pasivado PNP. -25V, -750mA.General Electric Solid State
439587GES5811-J1Transistores Pequeños De la SeñalCentral Semiconductor
439588GES5812Planar epitaxial transistor de silicio pasivado NPN. 25V, 750mA.General Electric Solid State
439589GES5812-J1Transistores Pequeños De la SeñalCentral Semiconductor
439590GES5813Planar epitaxial transistor de silicio pasivado PNP. -25V, -750mA.General Electric Solid State
439591GES5813-J1Transistores Pequeños De la SeñalCentral Semiconductor
439592GES5814Planar epitaxial transistor de silicio pasivado NPN. 40V, 750mA.General Electric Solid State
439593GES5814-J1Transistores Pequeños De la SeñalCentral Semiconductor
439594GES5815Planar epitaxial transistor de silicio pasivado PNP. -40V, -750mA.General Electric Solid State
439595GES5815-J1Transistores Pequeños De la SeñalCentral Semiconductor
439596GES5816Planar epitaxial transistor de silicio pasivado NPN. 40V, 750mA.General Electric Solid State
439597GES5816-J1Transistores Pequeños De la SeñalCentral Semiconductor
439598GES5817Planar epitaxial transistor de silicio pasivado PNP. -40V, -750mA.General Electric Solid State
439599GES5817-J1Transistores Pequeños De la SeñalCentral Semiconductor
439600GES5818Planar epitaxial transistor de silicio pasivado NPN. 40V, 750mA.General Electric Solid State
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